位线结构和半导体存储器制造技术

本发明专利技术涉及一种位线结构和半导体存储器，所述位线结构包括第一位线阵列和第二位线阵列，第一位线阵列包括沿Y方向延伸的多条第一位线，多条所述第一位线具有相同的长度，且沿X方向对齐排列；第二位线阵列包括沿所述Y方向延伸的多条第二位线，多条所述第二位线具有相同的长度，且沿所述X方向对齐排列；其中，所述第一位线阵列与所述第二位线阵列在所述X方向上不对齐，所述X方向与所述Y方向垂直。通过使所述第一位线阵列和所述第二位线阵列在所述X方向上不对齐，为位线接触结构在水平面内提供了更大的设置空间，从而可以扩大位线接触结构的横截面面积，进而减小位线接触结构和位线之间的接触电阻，提高器件的感应裕度和充放电速度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
位线结构和半导体存储器


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种位线结构和半导体存储器。

技术介绍

[0002]科学技术的不断发展使人们对半导体技术的要求越来越高，半导体器件的面积不断缩小，因此对半导体制造工艺的精密程度要求和精确程度提出了更高的要求。半导体存储器是一种利用半导体电路进行存取的存储器,其中，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)以其快速的存储速度和高集成度被广泛应用于各个领域。
[0003]动态随机存储器包括多个重复的存储单元，随着动态随机存储器的尺寸不断缩小、集成度不断提高，动态随机存储器的特征尺寸和单元面积都会减小，因此位线接触结构的面积也会相应减小，使得位线接触结构与相应位线之间的接触电阻变大，导致流经位线的电流过小，从而降低了动态随机存储器的感应裕度和存储电容的充放电速度。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对接触电阻过大导致感应裕度和充放电速度不足的问题，提供一种位线结构和半导体存储器。
[0005]一种位线结构，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种位线结构，其特征在于，包括：第一位线阵列，包括沿Y方向延伸的多条第一位线，多条所述第一位线具有相同的长度，且沿X方向对齐排列；第二位线阵列，包括沿所述Y方向延伸的多条第二位线，多条所述第二位线具有相同的长度，且沿所述X方向对齐排列；其中，所述第一位线阵列与所述第二位线阵列在所述X方向上不对齐，所述X方向与所述Y方向垂直。2.根据权利要求1所述的位线结构，其特征在于，多条所述第一位线沿所述X方向以设定间距等距排列，多条所述第二位线沿所述X方向以所述设定间距等距排列。3.根据权利要求2所述的位线结构，其特征在于，多条所述第一位线和多条所述第二位线在所述X方向上互相间隔设置。4.根据权利要求3所述的位线结构，其特征在于，多条所述第一位线在所述Y方向的正向一侧具有第一位线接触结构，多条所述第二位线在所述Y方向的负向一侧具有第二位线接触结构。5.根据权利要求4所述的位线结构，其特征在于，所述第一位线接触结构与所述第二位线接触结构的横截面的面积相同。6.根据权利要求4所述的位...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：