字线结构和半导体存储器制造技术

本发明专利技术涉及一种字线结构和半导体存储器，字线结构包括第一字线阵列和第二字线阵列，第一字线阵列包括沿X方向延伸的多条第一字线，多条所述第一字线具有相同的长度，且沿Y方向对齐排列；第二字线阵列包括沿所述X方向延伸的多条第二字线，多条所述第二字线具有相同的长度，且沿所述Y方向对齐排列；其中，所述第一字线阵列与所述第二字线阵列在所述Y方向上不对齐，所述Y方向与所述X方向垂直。通过使所述第一字线阵列和所述第二字线阵列在所述Y方向上不对齐，为字线接触结构在水平面内提供了更大的设置空间，从而可以扩大字线接触结构的横截面面积，进而减小字线接触结构和相应字线之间的接触电阻，提高存储单元中开关的打开和关断速度。断速度。断速度。

【技术实现步骤摘要】
字线结构和半导体存储器


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种字线结构和半导体存储器。

技术介绍

[0002]科学技术的不断发展使人们对半导体技术的要求越来越高，半导体器件的面积不断缩小，因此对半导体制造工艺的精密程度要求和精确程度提出了更高的要求。半导体存储器是一种利用半导体电路进行存取的存储器,其中，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)以其快速的存储速度和高集成度被广泛应用于各个领域。
[0003]动态随机存储器包括多个重复的存储单元，随着动态随机存储器的尺寸不断缩小、集成度不断提高，动态随机存储器的特征尺寸和单元面积都会减小，因此字线接触结构的面积也会相应减小，使得字线接触结构与相应字线之间的接触电阻变大，导致流经字线的电流过小，从而降低了动态随机存储器的存储单元中开关的打开和关断速度。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对接触电阻过大导致存储单元中开关的打开和关断速度不足的问题，提供一种字线结构和半导体存储器。
[0005]一种字线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种字线结构，其特征在于，包括：第一字线阵列，包括沿X方向延伸的多条第一字线，多条所述第一字线具有相同的长度，且沿Y方向对齐排列；第二字线阵列，包括沿所述X方向延伸的多条第二字线，多条所述第二字线具有相同的长度，且沿所述Y方向对齐排列；其中，所述第一字线阵列与所述第二字线阵列在所述Y方向上不对齐，所述Y方向与所述X方向垂直。2.根据权利要求1所述的字线结构，其特征在于，多条所述第一字线沿所述Y方向以设定间距等距排列，多条所述第二字线沿所述Y方向以所述设定间距等距排列。3.根据权利要求2所述的字线结构，其特征在于，多条所述第一字线和多条所述第二字线在所述Y方向上互相间隔设置。4.根据权利要求3所述的字线结构，其特征在于，多条所述第一字线在所述X方向的正向一侧具有第一字线接触结构，多条所述第二字线在所述X方向的负向一侧具有第二字线接触结构。5.根据权利要求4所述的字线结构，其特征在于，所述第一字线接触结构与所述第二字线接触结构的横截面的面积相同。6.根据权利要求4所述的字...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：