【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其形成方法
[0001]本申请涉及半导体
,具体地涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
[0002]电容器是在超大规模集成电路中常用的无源元件,主要包括多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP,Polysilicon-lnsulator-Polysilicon)、金属-绝缘体-硅(MIS,Metal-Insulator-Silicon)和金属-绝缘体-金属(MIM,Metal-Insulator-Metal)等。其中,由于MIM电容器对晶体管造成的干扰最小,且可以提供较好的线性度(Linearity)和对称度(Symmetry),因此得到了更加广泛的应用。
[0003]具有沟槽结构的MIM电容器具有更高的容量,低漏电,高可靠性。为了进一步增加容量,通常还会堆叠多层MIM结构。所述MIM电容器一般包括多层MIM结构以及电连通每层金属层的接触结构。目前,为了形成所述接触结构,需要先在所述MIM结构中刻蚀形成多个贯通对应金属层的开口,这种刻蚀的方法工艺复杂,难以实现,且可靠性低。
[0004]因此 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:半导体衬底;多个第一沟槽,位于所述半导体衬底内,用于形成电容器;多个电容器,分别位于所述第一沟槽中,所述电容器包括多个电极层以及隔离相邻电极层的绝缘层;多个第二沟槽,位于所述半导体衬底内,所述第二沟槽内的填充结构的表面层分别为所述多个电极层中的一个。2.如权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述多个第二沟槽的数量与所述多个电极层的数量相同。3.如权利要求2所述的半导体结构,其特征在于,所述多个电极层包括第一电极层,第二电极层和第三电极层;所述多个第二沟槽中的填充结构分别为第一填充结构,第二填充结构和第三填充结构。4.如权利要求3所述的半导体结构,其特征在于,所述第一填充结构包括:依次位于第二沟槽表面的第一绝缘层和第一电极层,所述第一绝缘层和第一电极层填满所述第二沟槽。5.如权利要求3所述的半导体结构,其特征在于,所述第二填充结构包括:依次位于所述第二沟槽表面的第一绝缘层,第一电极层,第二绝缘层,第二电极层,所述第一绝缘层,第一电极层,第二绝缘层和第二电极层填满所述第二沟槽。6.如权利要求3所述的半导体结构,其特征在于,所述第三填充结构包括:依次位于所述第二沟槽表面的第一绝缘层,第一电极层,第二绝缘层,第二电极层,第三绝缘层,第三电极层,所述第一绝缘层,第一电极层,第二绝缘层,第二电极层,第三绝缘层和第三电极层填满所述第二沟槽。7.如权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述多个第一沟槽的深宽比为(25~35)∶1。8.如权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构还包括:位于所述半导体衬底上的层间介电层,贯穿所述层间介电层并且分别电连接至所述填充结构的表面层的多个接触结构。9.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底;刻蚀所述半导体衬底形成多个第一沟槽;刻蚀所述半导体衬底形成多个第二沟槽;在所述多个第一沟槽和多个第二沟槽中以及多个第一沟槽和多个第二沟槽上形成电容结构,所述电容结构包括多个电极层以及隔离相邻电极层的绝缘...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡巧明,杨列勇,陈炜,卢小雨,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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