【技术实现步骤摘要】
一种圆形栅功率器件的自对准p型制造方法
[0001]本专利技术涉及一种圆形栅功率器件的自对准p型制造方法。
技术介绍
[0002]碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，广泛受到人们的关注和研究。其高温大功率电子器件具备输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、耐高温高压等优点，在开关稳压电源、高频加热、汽车电子以及功率放大器等方面取得了广泛应用。
[0003]然而其还存在阈值电压高、饱和电流时驱动电压高、材料缺陷较多、沟道迁移率较低、成本较高等技术、经济问题，严重制约着SiC功率器件的发展。
[0004]并且由于工艺技术的不成熟，在加工上还存在一些不可控因素，导致器件性能的不稳定。SiC工艺技术因为与Si基器件工艺技术不完全适配，故在刻蚀工艺中，刻蚀深度不易控制。因为SiC材料为两种原子构成，其本身的材料缺陷比Si要多，材料特性也更为特殊，在加工过程中步骤越复杂越容易引入缺陷和损伤。同时SiC所用工艺精度较低，一致性较差，在进行加工过程中，同一批次器件性能差异相对较大。因此需要设计对工艺参数不敏感的工艺技术，从而...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种圆形栅功率器件的自对准p型制造方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1，在含N型外延层的N+型衬底SiC表面进行P阱外延，形成一层P型外延层；步骤2，在所述P型外延层氧化生长一层SiO2层；步骤3，根据设定进行光刻刻蚀，去掉设定区域的SiO2层和P型外延层；步骤4，在步骤3形成的结构上氧化生长一层SiO2，该SiO2生长厚度控制在1
‑
2μm；步骤5，淀积poly，直至高于SiO2层；步骤6，进行化学机械研磨，研磨至P型外延层表面；步骤7，在步骤6形成的上表面进行P型离子注入，离子注入区域覆盖整个晶圆；步骤8，通过淀积、光刻、刻蚀工艺形成介质层和接触孔，形成栅极和漏极的电极；步骤9，下表面金属化，形...
【专利技术属性】
技术研发人员：张瑜洁，施广彦，李佳帅，李志君，黄波，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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