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本发明提供了一种圆形栅功率器件的自对准p型制造方法，包括：在含N型外延层的N+型衬底SiC表面进行P阱外延，形成一层P型外延层；在所述P型外延层氧化生长一层SiO2层；根据设定进行光刻刻蚀，去掉设定区域的SiO2层和P型外延层；在上述形成的...
该专利属于泰科天润半导体科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰科天润半导体科技（北京）有限公司授权不得商用。

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