【技术实现步骤摘要】
一种兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置及等离子刻蚀设备
[0001]本技术涉及等离子刻蚀
,尤其涉及一种兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置及等离子刻蚀设备。
技术介绍
[0002]目前,硅基Micro OLED微显示行业选所用的刻蚀机均为半导体刻蚀设备,其大部分机型均不可兼容硅片及玻璃片刻蚀,其原因在于此类刻蚀设备的静电吸附装置的电压范围控制均在≤
±
2.5kv左右。硅片吸附及刻蚀需求静电吸附电压≤
±
2.5kv,而玻璃片吸附及刻蚀需求静电吸附电压≥
±
7kv,但是静电吸附电压过大,会很容易造成玻璃片击穿及制程过程中基板温度过高等异常,而且由于玻璃片的平整度较差,存在电压即使达到吸附要求也不能平稳吸引的情况,存在制程中出现玻璃片偏移、滑落的风险。
技术实现思路
[0003]为了解决上述技术问题,本技术提供了一种可兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置及等离子刻蚀设备,可将硅片或玻璃片有效吸附,而不会造成玻璃片的击穿,提高了吸附的安全性和刻蚀的稳定性。
[0004 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置,其特征在于,包括基座(1)及其上设置的静电吸盘(2),所述静电吸盘(2)上放置待刻蚀的硅片(3)或玻璃片(4),所述基座(1)的外周方向上设置有多组压紧调节机构(5),多个所述压紧调节机构(5)将所述玻璃片(4)的外周压紧。2.根据权利要求1所述的兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置,其特征在于:所述基座(1)的中部设置所述静电吸盘(2),所述基座(1)的外周设置定位多组压紧调节机构(5)执行端的定位台(11)。3.根据权利要求1所述的兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置,其特征在于:所述压紧调节机构(5)设置有3组,且均布定位在所述基座(1)的外周方向上。4.根据权利要求1~3任意一项所述的兼容硅片与玻璃片的静电吸盘装置,其特征在于:所述压紧调节机构(5)包括水平伸缩组件(51)、竖直伸缩组件(52)和压条(53),所述基座(1)的外侧通过所述水平伸缩组件(51)与所述竖直伸缩组件(52)相连,所述竖直伸缩组件(52)与所述压条(53)固定相连,所述压条...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹贺,刘晓佳,吕迅,刘胜芳,赵铮涛,
申请(专利权)人:安徽熙泰智能科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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