【技术实现步骤摘要】
一种铪基铁电存储器及其制备方法
[0001]本专利技术涉及存储器
,具体涉及一种铪基铁电存储器及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着工艺节点的快速缩小,人们在制造工艺中遇到越来越多的棘手的问题,摩尔定律的延续因此也即将走向尾声,但是科技的发展永无止境,因此对集成电路行业的要求也越来越高,为了继续将摩尔定律延续下去,人们开始寻找更多的替代方式,其中氧化铪作为一种高K介质材料,具有非常多的特性,可以满足CMOS工艺中的栅介质材料所需性质,能够很好地与硅基底匹配兼容到集成电路制造工艺中。
[0003]HfO2作为取代二氧化硅材料作为MOS管中的栅介质层,具有天生的许多优点。介电常数高(约为25),能量带隙宽(约5.7eV),与硅晶格具有适配的晶格参数,在硅基底上能够稳定存在,同时氧化铪具有高的热稳定性和可靠性。
[0004]2011年,更具重大意义的发现出现了,HfO2薄膜被报道通过一定的手段能够诱导出铁电性,该报道在学术界引起了广泛的兴趣。同时人工智能作为在人类在科学道路上的必经之路,打破固有的“存储墙 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种铪基铁电存储器,其特征在于,包括多个铪基铁电存储器单元,利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路,实现存算一体的功能,其中,所述铪基铁电存储器单元包括:衬底;底电极,形成在所述衬底上;铪基铁电体,其为经退火后的铪铝氧薄膜,形成在所述底电极上;顶电极,形成在所述铪铝氧薄膜上。2.根据权利要求1所述的铪基铁电存储器,其特征在于,所述底电极为Ti/Pt。3.根据权利要求1所述的铪基铁电存储器,其特征在于,所述顶电极为TiN。4.一种铪基铁电存储器制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在衬底上形成底电极;在所述底电极上形成铪铝氧薄膜;在所述铪铝氧薄膜上形成顶电极;进行退火使所述铪铝氧薄膜结晶形成铁电体获得铪基铁电存...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱颢,陈佩瑶,刘逸伦,曹园园,孙清清,
申请(专利权)人:复旦大学,
类型:发明
国别省市:
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