半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术针对用于制造具有金属电极的MiM电容器结构的方法，金属电极具有富氮金属氮化物层。该方法包括在设置在衬底上的第一互连层上沉积第一电极双层，其中第一电极双层包括具有不同氮浓度的第一层和第二层。该方法还包括在第一电极双层上沉积介电层，以及在第一互连层上沉积第二电极双层，其中第二电极包括具有不同氮浓度的第三层和第四层。该方法还包括图案化第一电极双层、介电层和第二电极双层以在第一互连层上形成电容器结构。本发明专利技术的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。涉及半导体结构及其形成方法。涉及半导体结构及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]可以在芯片中内置去耦电容器，以防止电源中的电压尖峰，诸如当最初为芯片供电或激活芯片的各个组件时。在芯片制造工艺中，可以在晶体管形成之后在后段制程中集成去耦电容器。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例提供了一种半导体结构，包括：第一互连层，设置在衬底上，其中，所述第一互连层包括导电结构；电容器结构，形成在所述第一互连层的导电结构上，其中，所述电容器结构包括：第一电极双层，包括第一层和第二层，所述第一层和所述第二层的每个包括不同的氮浓度；介电层，设置在所述第一电极双层的所述第二层上；和第二电极双层，位于所述介电层上，所述第二电极双层包括第三层和第四层，所述第三层和所述第四层的每个包括不同的氮浓度；以及第二互连层，位于所述电容器结构上，其中，所述第二互连层的导电结构与所述第二电极双层的所述第四层接触。
[0004]本专利技术的另一实施例提供了一种半导体结构，包括：第一互连层，设置在衬底上；电容器结构，形成在所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：第一互连层，设置在衬底上，其中，所述第一互连层包括导电结构；电容器结构，形成在所述第一互连层的导电结构上，其中，所述电容器结构包括：第一电极双层，包括第一层和第二层，所述第一层和所述第二层的每个包括不同的氮浓度；介电层，设置在所述第一电极双层的所述第二层上；和第二电极双层，位于所述介电层上，所述第二电极双层包括第三层和第四层，所述第三层和所述第四层的每个包括不同的氮浓度；以及第二互连层，位于所述电容器结构上，其中，所述第二互连层的导电结构与所述第二电极双层的所述第四层接触。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二电极双层的所述第三层与所述介电层接触。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一层的氮浓度低于所述第二层的氮浓度。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第四层的氮浓度低于所述第三层的氮浓度。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一层比所述第二层厚。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第四层比所述第三层厚。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一电极双层和所述第二电极双层具有相似的表面积。8.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑安皓，郭舫廷，陈彦羽，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：