一种高阻隔聚酰亚胺薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种高阻隔聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括：在聚酰胺酸中加入纳米二氧化硅和聚酰亚胺粉末，经热亚胺化，得高阻隔聚酰亚胺薄膜；所述聚酰胺酸，是由二酐和二胺聚合得到；所述二胺，包括含酰胺键的二胺。本发明专利技术所述方法简单，获得的聚酰亚胺薄膜具有较为理想的阻隔性能。的阻隔性能。

【技术实现步骤摘要】
一种高阻隔聚酰亚胺薄膜的制备方法


[0001]本专利技术属于柔性薄膜制备
，尤其涉及一种高阻隔聚酰亚胺薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]通常，国际上将O2透过率小于3.8cm3/
㎡
/d的高分子材料称为高阻隔高分子材料。高阻隔高分子材料，在食品包装、军事、微电子等领域都有着广泛的应用。聚酰亚胺(PI)具有突出的热稳定性和尺寸稳定性，以及良好的分子结构可设计等特点，被认为是极具潜力的高分子柔性材料，但是传统的PI的阻隔性能相对较差，难以满足特殊领域的对于水、氧阻隔性能的要求。
[0003]目前，主要采用交替镀层、分子层沉积、原子层沉积、磁控溅射等方法改善PI的阻隔性能。然而，交替镀层法工艺复杂；分子层沉积和原子层沉积法可以沉积得到致密均匀的涂层，但是沉积效率低，无机阻隔层易出现裂缝；磁控溅射技术具有沉积效率高等诸多优点，但是靶材需要精制，而且利用率低。因此，亟需开发一种简单、高效的改善PI阻隔性能的方法。

技术实现思路

[0004]基于上述问题，本专利技术提供了一种高阻隔聚酰亚胺薄膜的制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高阻隔聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在聚酰胺酸中加入纳米二氧化硅和聚酰亚胺粉末，经热亚胺化，得高阻隔聚酰亚胺薄膜；所述聚酰胺酸，是由二酐和二胺聚合得到；所述二胺，包括含酰胺键的二胺。2.根据权利要求1所述的高阻隔聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述纳米二氧化硅与聚酰胺酸的重量比为1
‑
5:100。3.根据权利要求1或2所述的高阻隔聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述纳米二氧化硅与聚酰亚胺粉末的重量比为5
‑
15:1。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的高阻隔聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚酰亚胺粉末制备方法包括如下步骤：向聚酰胺酸中加入极性有机溶剂稀释至浓度为5
‑
10％，将稀释后的聚酰胺酸在180
‑
190℃加热并恒温2
‑
3h，去溶剂，洗涤，真空干燥，研磨，得聚酰亚胺粉末。5.根据权利要求4所述的高阻隔聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述极性有机溶剂选自N,N
‑
二甲基甲酰胺、N,N
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二乙基甲酰胺、N,N
‑
二乙基乙酰胺、N

【专利技术属性】
技术研发人员：金文斌，刘国隆，邵成蒙，
申请(专利权)人：浙江中科玖源新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：