本实用新型专利技术提供一种背进音式MEMS麦克风结构及其封装结构，该背进音式MEMS麦克风结构包括位于振膜与基板之间的导电结构，在振膜与基板形成结构连接，由于振膜材料和基板均具有导电性，所以二者之间同时也实现了电性连接。其中，导电结构可以包括位于支架外侧壁的第一导电部、位于支架内侧壁的第二导电部，还可以包括位于支架内的第三导电部，可以加强振膜与基板之间的电性连接效果。本实用新型专利技术封装结构包括电路板、金属封装外壳、上述MEMS麦克风结构及专用集成电路，该封装结构能够实现背极位于由振膜、基板、电路板和金属封装外壳共同组成的法拉第笼中，达到有效屏蔽外界射频干扰信号的作用，有效提升背进音式MEMS麦克风的抗射频干扰能力。频干扰能力。频干扰能力。
【技术实现步骤摘要】
一种背进音式MEMS麦克风结构及其封装结构
[0001]本技术属于麦克风
，涉及一种背进音式MEMS麦克风结构及其封装结构。
技术介绍
[0002]现今的智能手机和智能音箱中使用的都是用微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，简称MEMS)技术制造的麦克风。这种麦克风具有体积小、功耗低、性能优异、一致性好、便于装配等特点。实际应用中，当手机和无线IoT设备等传输数据时，天线会通过多种方式拾取噪声。例如，专用集成电路(ASIC)中的二极管结会对射频信号进行整流，该整流信号的包络会在麦克风的输出声音中产生噪声。所以MEMS麦克风的一个重要发展趋势是抗射频(RF)干扰。MEMS麦克风本身的金属封装外壳可以起到一定程度的电磁屏蔽作用。
[0003]如何进一步提高MEMS麦克风的抗射频干扰能力，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
技术实现思路
[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种背进音式MEMS麦克风结构及其封装结构，用于解决现有技术中MEMS麦克风的抗射频干扰能力较差的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种背进音式MEMS麦克风结构，包括：
[0006]基板，所述基板中设有在垂直方向上贯穿所述基板的空腔；
[0007]振膜，悬设于所述空腔上方；
[0008]支架，位于所述振膜与所述基板之间以支撑所述振膜；
[0009]导电结构，位于所述振膜与所述基板之间以电连接所述振膜与所述基板；
[0010]背极，位于所述振膜上方，且所述背极与所述振膜之间具有气隙，所述背极中设有多个在垂直方向上贯穿所述背极的第一声孔，所述第一声孔与所述气隙连通；
[0011]背板，与所述基板及所述背极连接，所述背板中设有多个在垂直方向上贯穿所述背板的第二声孔，所述第二声孔与所述第一声孔连通。
[0012]可选地，所述导电结构与所述支架连接。
[0013]可选地，所述导电结构包括位于所述支架外侧壁的第一导电部。
[0014]可选地，所述导电结构包括位于所述支架内侧壁的第二导电部。
[0015]可选地，所述导电结构包括在垂直方向上贯穿所述支架的第三导电部，所述第三导电部的侧壁被所述支架所包围。
[0016]可选地，在所述振膜的中心指向所述振膜的边缘方向上，所述导电结构包括由内而外间隔排列的至少两个所述第三导电部。
[0017]可选地，所述第三导电部呈连续的环状结构或断续的环状结构。
[0018]可选地，所述环状结构包括圆环、多边形环中的一种。
[0019]可选地，所述背板的下表面设有多个阻挡块，所述阻挡块在垂直方向上贯穿所述背极，且所述阻挡块的下表面低于所述背极的下表面。
[0020]可选地，所述MEMS麦克风结构还包括泄气孔，所述泄气孔在垂直方向上贯穿所述振膜。
[0021]本技术还提供一种封装结构，包括：
[0022]电路板，所述电路板中设有在垂直方向上贯穿所述电路板的进音孔；
[0023]金属封装外壳，与所述电路板连接，并与所述电路板共同围成一收容空间；
[0024]如上任意一项所述的MEMS麦克风结构，位于所述收容空间内，所述基板与所述电路板连接，所述空腔与所述进音孔连通；
[0025]专用集成电路，位于所述收容空间内，并与所述MEMS麦克风结构电连接。
[0026]如上所述，本技术的背进音式MEMS麦克风结构包括位于所述振膜与所述基板之间的导电结构，在振膜与基板形成结构连接，由于振膜材料和基板均具有导电性，所以二者之间同时也实现了电性连接。其中，导电结构可以包括位于支架外侧壁的第一导电部、位于支架内侧壁的第二导电部，还可以包括位于支架内的第三导电部，可以加强振膜与基板之间的电性连接效果。本技术的背进音式MEMS麦克风结构在封装后，能够实现背极位于由振膜、基板、电路板和金属封装外壳共同组成的法拉第笼中，达到有效屏蔽外界射频干扰信号的作用，有效提升背进音式MEMS麦克风的抗射频干扰能力。
附图说明
[0027]图1显示为本技术的背进音式MEMS麦克风结构的剖面结构示意图。
[0028]图2显示为所述导电结构与所述振膜的一种平面布局图。
[0029]图3显示为所述导电结构与所述振膜的第二种平面布局图。
[0030]图4显示为所述导电结构与所述振膜的第三种平面布局图。
[0031]图5显示为所述导电结构与所述振膜的第四种平面布局图。
[0032]图6显示为本技术的封装结构的示意图。
[0033]元件标号说明
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基板
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振膜
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支架
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导电结构
[0038]401
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第一导电部
[0039]402
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第二导电部
[0040]403
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第三导电部
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背极
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泄气孔
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背板
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空腔
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气隙
[0046]10
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第一声孔
[0047]11
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第二声孔
[0048]12
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背极引出电极
[0049]13
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振膜引出电极
[0050]14
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阻挡块
[0051]15
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收容空间
[0052]16
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电路板
[0053]17
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金属封装外壳
[0054]18
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种背进音式MEMS麦克风结构，其特征在于，包括：基板，所述基板中设有在垂直方向上贯穿所述基板的空腔；振膜，悬设于所述空腔上方；支架，位于所述振膜与所述基板之间以支撑所述振膜；导电结构，位于所述振膜与所述基板之间以电连接所述振膜与所述基板；背极，位于所述振膜上方，且所述背极与所述振膜之间具有气隙，所述背极中设有多个在垂直方向上贯穿所述背极的第一声孔，所述第一声孔与所述气隙连通；背板，与所述基板及所述背极连接，所述背板中设有多个在垂直方向上贯穿所述背板的第二声孔，所述第二声孔与所述第一声孔连通。2.根据权利要求1所述的背进音式MEMS麦克风结构，其特征在于：所述导电结构与所述支架连接。3.根据权利要求2所述的背进音式MEMS麦克风结构，其特征在于：所述导电结构包括位于所述支架外侧壁的第一导电部。4.根据权利要求2所述的背进音式MEMS麦克风结构，其特征在于：所述导电结构包括位于所述支架内侧壁的第二导电部。5.根据权利要求2所述的背进音式MEMS麦克风结构，其特征在于：所述导电结构包括在垂直方向上贯穿所述支架的第三导电部，所述第三导电部的侧壁被所述支架所包围。6.根据权利要求5所述的背进音式MEMS麦克风结构，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭亮良，
申请(专利权)人：瑶芯微电子科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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