一种MEMS麦克风制造技术

本实用新型专利技术提供一种MEMS麦克风，包括第一线路板，设于所述第一线路板上的框架，设于所述框架上的第二线路板，所述第一线路板、框架及第二线路板围合形成腔体，所述框架形成有沿所述第一线路板至第二线路板方向的通孔，所述通孔内设有连接所述第一线路板及第二线路板的走线，所述框架的外壁靠近所述通孔的位置形成有屏蔽部，还包括位于所述腔体内且设于所述第一线路板内侧的MEMS芯片及ASIC芯片，所述MEMS芯片具有背腔，所述MEMS芯片电连接于ASIC芯片。本实用新型专利技术使得位于通孔内的走线不受外部电磁干扰，能够提升MEMS麦克风的整体抗电磁干扰能力。干扰能力。干扰能力。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS麦克风


[0001]本技术涉及微机电系统
，尤其涉及一种MEMS麦克风。

技术介绍

[0002]麦克风，学名为传声器，由英语microphone(送话器)翻译而来，也称话筒或微音器，其是将声音信号转换为电信号的能量转换器件。近些年来，基于MEMS(微型机电系统)技术制造的MEMS麦克风，凭借改进的噪声消除性能与良好的RF(射频)及EMI(电磁干扰)抑制性能，已在多种应用中体现出了诸多优势，特别是在中高端手机应用中。
[0003]现有的MEMS麦克风一般包括壳体及设置在壳体内的麦克风器件，壳体内表面设置屏蔽层，以确保位于壳体内的麦克风器件及布线不受外部电磁干扰。但是，位于壳体侧壁内的VDD PAD及OUT PAD两根走线却没有得到屏蔽，暴露于电磁环境，导致MEMS麦克风的整体抗电磁干扰能力较弱。
[0004]因此，有必要对上述MEMS麦克风的结构进行改进。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种MEMS麦克风，旨在解决现有技术中MEMS麦克风的整体抗电磁干扰能力较弱的问题。
[0006]本技术的技术方案如下：
[0007]本技术实施例提供一种MEMS麦克风，包括第一线路板，设于所述第一线路板上的框架，设于所述框架上的第二线路板，所述第一线路板、框架及第二线路板围合形成腔体，所述框架形成有沿所述第一线路板至第二线路板方向的通孔，所述通孔内设有连接所述第一线路板及第二线路板的走线，所述框架的外壁靠近所述通孔的位置形成有屏蔽部，还包括位于所述腔体内且设于所述第一线路板内侧的MEMS芯片及ASIC芯片，所述MEMS芯片具有背腔，所述MEMS芯片电连接于ASIC芯片。
[0008]在一些实施例中，所述框架的外壁靠近所述通孔的位置形成有凹口，所述凹口的内壁设有金属屏蔽层，所述凹口及所述金属屏蔽层构成所述屏蔽部。
[0009]在一些实施例中，所述框架的外壁包括两相对设置的第一外壁及两相对设置且分别与两所述第一外壁连接的第二外壁，所述第一外壁沿所述框架的长度方向延伸，所述第二外壁沿所述框架的宽度方向延伸，所述通孔设置在靠近所述第一外壁与所述第二外壁的连接处的位置。
[0010]在一些实施例中，所述第一外壁靠近所述通孔的位置形成有向所述通孔方向延伸的第一屏蔽槽，所述第二外壁靠近所述通孔的位置形成有向所述通孔方向延伸且与所述第一屏蔽槽连接的第二屏蔽槽，所述第一屏蔽槽、第二屏蔽槽及第一屏蔽槽与第二屏蔽槽的连接处构成所述凹口。
[0011]在一些实施例中，所述第一屏蔽槽包括垂直于所述第一外壁的第一内侧壁及平行于所述第一外壁且连接所述第一内侧壁的第一底壁，所述第二屏蔽槽包括垂直于所述第二
外壁的第二内侧壁及平行于所述第二外壁且连接所述第二内侧壁的第二底壁，所述第一底壁与所述第二底壁连接，所述第一底壁、第二底壁及第一底壁与第二底壁的连接处设有所述金属屏蔽层。
[0012]在一些实施例中，所述第一内侧壁及第二内侧壁上设有所述金属屏蔽层。
[0013]在一些实施例中，所述第一线路板对应所述MEMS芯片的背腔的位置开设有声孔。
[0014]在一些实施例中，所述框架的内壁设有金属屏蔽层。
[0015]从上述描述可知，与现有技术相比，本技术的有益效果在于：
[0016]在框架的外壁靠近通孔的位置设置屏蔽部，将位于通孔内的走线与外部环境隔离，不受外部电磁干扰，提升MEMS麦克风的整体抗电磁干扰能力。
【附图说明】
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术实施例提供的MEMS麦克风的结构示意图；
[0019]图2为本技术实施例提供的MEMS麦克风的分解示意图；
[0020]图3为本技术实施例提供的MEMS麦克风沿图1中A
‑
A方向的剖视图。
【具体实施方式】
[0021]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。此外，下面所描述的本技术的各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0022]请参阅图1、图2以及图3，图1为本技术实施例提供的MEMS麦克风的结构示意图，图2为本技术实施例提供的MEMS麦克风的分解示意图，图3为本技术实施例提供的MEMS麦克风沿图1中A
‑
A方向的剖视图。
[0023]如图1、图2以及图3所示，本技术实施例提供一种MEMS麦克风，包括第一线路板1，设于所述第一线路板1上的框架2，设于所述框架2上的第二线路板3，所述第一线路板1、框架2及第二线路板3围合形成腔体4，所述框架2形成有沿所述第一线路板1至第二线路板3方向的通孔21，所述通孔21内设有连接所述第一线路板1及第二线路板3的走线5，所述框架2的外壁靠近所述通孔21的位置形成有屏蔽部22。
[0024]具体的，所述MEMS麦克风还包括位于所述腔体4内且设于所述第一线路板1内侧的MEMS芯片6及ASIC芯片7，所述MEMS芯片6具有背腔61，所述MEMS芯片6电连接于ASIC芯片7。应当说明的是，为了保证MEMS麦克风的正常使用，需要在所述第一线路板1对应所述MEMS芯片6的背腔61的位置开设声孔11。
[0025]可以理解，所述通孔21的数量不限于一个，所述通孔21内走线5的数量也不限于一个，可以设置一个所述通孔21，并在所述通孔21内放置一个/多个所述走线5，也可以设置多
个所述通孔21，并在每一所述通孔21内放置一个/多个所述走线5。作为一种示例，所述走线5可以包括OUT PAD走线52及VDD PAD走线51，所述通孔21可以包括容置所述OUT PAD走线52的第一通孔212，及容置所述VDD PAD走线51的第二通孔211。所述通孔21的数量及所述通孔21内走线5的数量均是根据实际应用场景确定的，本技术实施例对此不做限定。
[0026]本技术实施例提供的MEMS麦克风，在所述框架2的外壁靠近所述通孔21的位置设置屏蔽部22，将位于所述通孔21内的走线5与外部环境隔离，不受外部电磁干扰，提升MEMS麦克风的整体抗电磁干扰能力。
[0027]作为一种可行的实施方式，所述屏蔽部22可以为形成于所述框架2外壁靠近所述通孔21的位置的凹口221，所述凹口221的内壁可以设有金属屏蔽层222，此时，所述凹口221及金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS麦克风，包括第一线路板，设于所述第一线路板上的框架，设于所述框架上的第二线路板，所述第一线路板、框架及第二线路板围合形成腔体，所述框架形成有沿所述第一线路板至第二线路板方向的通孔，所述通孔内设有连接所述第一线路板及第二线路板的走线，还包括位于所述腔体内且设于所述第一线路板内侧的MEMS芯片及ASIC芯片，所述MEMS芯片具有背腔，所述MEMS芯片电连接于ASIC芯片，其特征在于，所述框架的外壁靠近所述通孔的位置形成有屏蔽部。2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述框架的外壁靠近所述通孔的位置形成有凹口，所述凹口的内壁设有金属屏蔽层，所述凹口及所述金属屏蔽层构成所述屏蔽部。3.根据权利要求2所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述框架的外壁包括两相对设置的第一外壁及两相对设置且分别与两所述第一外壁连接的第二外壁，所述第一外壁沿所述框架的长度方向延伸，所述第二外壁沿所述框架的宽度方向延伸，所述通孔设置在靠近所述第一外壁与所述第二外壁的连接处的位置。4.根据权利要求3所述的ME...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金宇，
申请(专利权)人：瑞声声学科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：