一种电镀方法技术

本发明专利技术公开了一种电镀方法，包括如下步骤：在待镀基板上制作图形化导电种子层；在所述待镀基板和所述图形化导电种子层上制作电镀掩膜图形，所述电镀掩膜图形的凹槽图形对应于需要加厚的部分；在所述电镀掩膜图形的所述凹槽图形内填充金属材料，得到加厚金属图形。采用本发明专利技术提供的上述方案，图形化导电种子层需要加厚的位置上方形成有凹槽图形，在凹槽图形中填充金属形成的金属线与图形化导电种子层直接相连，直接增加了该部分的导电元件的厚度，如此能够在电镀时依据厚度要求精确控制局部镀层厚度能够精确控制局部镀层厚度。部镀层厚度能够精确控制局部镀层厚度。部镀层厚度能够精确控制局部镀层厚度。

【技术实现步骤摘要】
一种电镀方法


[0001]本专利技术涉及电镀工艺
，具体涉及一种精确控制镀层厚度的电镀方法。

技术介绍

[0002]电镀是电路板制造领域、MEMS制作领域、IC制造领域等常用的传统工艺，通常用于制作金属互联结构，实现元件之间、多层布线电路各层之间的电连接。
[0003]由于不同应用领域对电连接线的厚度、高宽比、均一度等参数的要求不同，目前是根据经验，调节待镀基板位置、电镀装置和电镀阳极的尺寸和形状、电镀电流的大小和脉冲周期、药液循环系统等，通过改变镀件外部的电力线分布来调节待镀基板上各区域的电流密度，达到控制镀层厚度的目的。
[0004]上述调节方式只能整体调节镀层厚度在各区域的差异，无法精确控制局部线条的镀层厚度，因此无法满足对金属镀层厚度的精度要求比较高的应用场景。

技术实现思路

[0005]本申请实施例旨在提供一种电镀方法，以解决现有技术中电镀工艺无法精确控制局部线条镀层厚度的技术问题。
[0006]为解决上述问题，本申请一些实施例中提供一种电镀方法，包括如下步骤：
[0007]在待镀基板上制作图形化导电种子层；
[0008]在所述待镀基板和所述图形化导电种子层上制作电镀掩膜图形，所述电镀掩膜图形的凹槽图形对应于需要加厚的部分；
[0009]在所述电镀掩膜图形的所述凹槽图形内填充金属材料，得到加厚金属图形。
[0010]一些实施例提供的所述的电镀方法中，在待镀基板上制作图形化导电种子层的步骤包括：
[0011]在所述待镀基板上沉积导电种子层；
[0012]在所述导电种子层上制作种子层掩膜图形；
[0013]刻蚀带有所述种子层掩膜图形的所述导电种子层，暴露出所述待镀基板，在所述待镀基板上被所述种子层掩膜图形覆盖的区域处保留所述导电种子层，形成所述图形化导电种子层。
[0014]一些实施例提供的所述的电镀方法中，在待镀基板上制作图形化导电种子层的步骤包括：
[0015]在所述待镀基板上制作种子层掩膜图形；
[0016]在带有所述种子层掩膜图形的所述待镀基板上沉积导电种子层；
[0017]去掉所述种子层掩膜图形，暴露出所述待镀基板，在无种子层掩膜图形覆盖的所述待镀基板区域保留所述导电种子层，形成所述图形化导电种子层。
[0018]一些实施例提供的所述的电镀方法中，所述图形化导电种子层与所述电镀掩膜图形在厚度方向上具有不同投影。
[0019]一些实施例提供的所述的电镀方法中，所述图形化导电种子层与所述电镀掩膜图形在厚度方向上具有不同投影包括：
[0020]所述电镀掩膜图形与所述图形化导电种子层的形状不重合；并且，
[0021]所述电镀掩膜图形与所述图形化导电种子层的形状不互补。
[0022]一些实施例提供的所述的电镀方法中，所述待镀基板上用于制作所述图形化导电种子层的一面包含绝缘材料和半导体材料中的至少之一。
[0023]一些实施例提供的所述的电镀方法中，所述导电种子层的材料包括钯、钛、镍、铜、金和银中的至少之一；或者，包括含有钯、钛、镍、铜、金和银中至少之一的合金材料。
[0024]一些实施例提供的所述的电镀方法中，在所述待镀基板和所述图形化导电种子层上制作电镀掩膜图形的步骤中：
[0025]通过光阻制作或硬质掩膜材料制作的方式制作所述电镀掩膜图形；
[0026]其中，所述光阻包括光刻胶和干膜光阻中的至少之一；所述硬质掩膜材料包括硅、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少之一。
[0027]一些实施例提供的所述的电镀方法中，还包括如下步骤：
[0028]去除所述电镀掩膜图形；
[0029]去除未被所述加厚金属图形覆盖的图形化导电种子层。
[0030]一些实施例提供的所述的电镀方法中，在所述电镀掩膜图形的所述凹槽图形内填充金属材料，得到加厚金属图形的步骤中：
[0031]所述加厚金属图形中，金属线的厚度和宽度之比大于2。
[0032]本申请提供的上述技术方案，与现有技术相比，至少具有如下有益效果：本申请中的方案，在待镀基板上制作图形化导电种子层，在待镀基板和图形化导电种子层上制作电镀掩膜图形，电镀掩膜图形是根据图形化种子层需要加厚的部分进行图形化设计的，在电镀掩膜图形的凹槽图形内填充金属材料，得到加厚金属图形。显然，图形化导电种子层需要加厚的位置上方形成有凹槽图形，在凹槽图形中填充金属形成的金属线与图形化导电种子层直接相连，直接增加了该部分的导电元件的厚度，如此能够在电镀时依据厚度要求精确控制局部镀层厚度。
附图说明
[0033]下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0034]图1为本申请一个实施例所述电镀方法的步骤流程图；
[0035]图2a
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图2d为本申请一个实施例所述电镀方法执行过程中各个阶段的电镀件结构示意图；
[0036]图3a
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图3d为本申请一个实施例所述制作图形化导电种子层的执行过程中各个阶段的电镀件结构示意图；
[0037]图4a
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图4c为本申请另一个实施例所述制作图形化导电种子层的执行过程中各个阶段的电镀件结构示意图；
[0038]图5为本申请一个实施例所述电镀方法制备得到的金属电极的结构示意图；
[0039]图6为本申请另一个实施例所述电镀方法制备得到的金属电极的结构示意图。
具体实施方式
[0040]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0041]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0042]本实施例提供一种电镀方法，如图1、图2a
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图2d所示，所述电镀方法包括如下步骤：
[0043]步骤一：在待镀基板1上制作图形化导电种子层2。其中，所述待镀基板1可以是包含功能元件或电路的基板，制作所述图形化导电种子层2的方法可以选择沉积的方式，沉积的方式可选择化学气相沉积方式。
[0044]步骤二：在所述待镀基板1和所述图形化导电种子层2上制作电镀掩膜图形3，所述电镀掩膜图形3的凹槽图形3a对应于需要加厚的部分。如图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电镀方法，其特征在于，包括如下步骤：在待镀基板上制作图形化导电种子层；在所述待镀基板和所述图形化导电种子层上制作电镀掩膜图形，所述电镀掩膜图形的凹槽图形对应于需要加厚的部分；在所述电镀掩膜图形的所述凹槽图形内填充金属材料，得到加厚金属图形。2.根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，在待镀基板上制作图形化导电种子层的步骤包括：在所述待镀基板上沉积导电种子层；在所述导电种子层上制作种子层掩膜图形；刻蚀带有所述种子层掩膜图形的所述导电种子层，暴露出所述待镀基板，在所述待镀基板上被所述种子层掩膜图形覆盖的区域处保留所述导电种子层，形成所述图形化导电种子层。3.根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，在待镀基板上制作图形化导电种子层的步骤包括：在所述待镀基板上制作种子层掩膜图形；在带有所述种子层掩膜图形的所述待镀基板上沉积导电种子层；去掉所述种子层掩膜图形，暴露出所述待镀基板，在无种子层掩膜图形覆盖的所述待镀基板区域保留所述导电种子层，形成所述图形化导电种子层。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的电镀方法，其特征在于：所述图形化导电种子层与所述电镀掩膜图形在厚度方向上具有不同投影。5.根据权利要求4所述的电镀方法，其特征在于，所述图形化导电种子层与所述电镀掩膜图形在厚度方向上具有不同投影...

【专利技术属性】
技术研发人员：王旭阳，李雪征，李俊慧，冯亚丽，郭育梅，贾赫，
申请(专利权)人：北京世维通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：