防止半导体制造设备用排气管内沉积粉末的装置、具备其的排气设备及利用其的排气管内粉末沉积防止方法制造方法及图纸

根据本发明专利技术提供一种半导体制造设备用排气设备，包括用于从半导体制造设备的工艺腔室排出的废气流动的排气管；产生压力使所述废气在所述排气管流动的真空泵；及防止在所述排气管内沉积粉末的粉末沉积防止装置，其中，为了防止由于所述废气中所含的氨(NH3)气体在所述排气管内产生粉末，所述粉末沉积防止装置形成发生等离子体反应的等离子体处理区域，利用所述等离子体反应分解所述废气中所含的氨(NH3)气体以转变成包含氮(N2)气、氢(H2)气、受激的氮原子(N

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防止半导体制造设备用排气管内沉积粉末的装置、具备其的排气设备及利用其的排气管内粉末沉积防止方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造设备技术，更具体来讲涉及防止排出工艺腔室中的残留气体的排气管沉积粉末的技术。

技术介绍

[0002]半导体元件是通过在工艺腔室内的晶片上反复执行光刻、蚀刻、扩散及金属沉积等工艺而制造的。这种半导体制造工艺中使用多种工程气体，在完成工艺后的工艺腔室中存在残留气体，由于工艺腔室内的残留气体中包含有毒成分，因此通过真空泵排出，并通过洗涤器等废气处理装置进行净化。但，发生在连接工艺腔室和洗涤器的排气管中沉积粉末的问题。
[0003]例如，在使用化学气相沉积(CVD)在晶片上沉积通过四氯化钛(TiCl4)气体与氨(NH3)气体反应产生的氮化钛(TiN)的TiN工艺的情况下，沉积在排气管中成为问题的粉末有在TiN工艺中未沉积在晶片而排出的剩余TiN粉末、以及氯化铵(NH4Cl)粉末和TiCl4.nNH3粉末。
[0004]氯化铵(NH4Cl)粉末是在TiN工艺过程中从工艺腔室排出的废气中所含的氨(NH3)气体和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种排气管内粉末沉积防止装置，是防止粉末沉积在从半导体制造设备的工艺腔室排出的废气流动的排气管内的装置，其中，为了防止由于所述废气中所含的氨(NH3)气体在所述排气管内产生粉末，形成发生等离子体反应的等离子体处理区域，利用所述等离子体反应分解所述废气中所含的氨(NH3)气体以转变成包含氮(N2)气、氢(H2)气、受激的氮原子(N
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)、受激的氢原子(H
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)、肼(N2H4)气体、二嗪(N2H2)气体的混合气体。2.根据权利要求1所述的排气管内粉末沉积防止装置，其中，利用在所述等离子体处理区域发生的热反应及所述等离子体反应，分解所述废气中所含的氯化铵(NH4C))以转变为包含氯化氢(HCl)气体、氮(N2)气、氢(H2)气、受激的氮原子(N
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)、受激的氢原子(H
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)、肼(N2H4)气体、二嗪(N2H2)气体的混合气体。3.根据权利要求1所述的排气管内粉末沉积防止装置，其中，利用在所述等离子体处理区域发生的热反应及所述等离子体反应分解所述废气中所含的氟化铵(NH4F)以转变为包含氟化氢(HF)气体、氮(N2)气、氢(H2)气、受激的氮原子(N
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)、受激的氢原子(H
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)、肼(N2H4)气体、二嗪(N2H2)气体的混合气体。4.一种排气管内粉末沉积防止装置，是防止粉末沉积在从半导体制造设备的工艺腔室排出的废气流动的排气管内的装置，其中，为了防止所述废气中所含的二氧化硅(SiO2)粉末沉积于所述排气管内，形成发生等离子体反应的等离子体处理区域，利用所述等离子体反应将所述废气中所含的二氧化硅(SiO2)粉末转变为二氧化硅气体。5.一种半导体制造设备用排气设备，包括：用于从半导体制造设备的工艺腔室排出的废气流动的排气管；产生压力使所述废气在所述排气管流动的真空泵；及防止在所述排气管内沉积粉末的粉末沉积防止装置，为了防止由于所述废气中所含的氨(NH3)气体在所述排气管内产生粉末，所述粉末沉积防止装置形成发生等离子体反应的等离子体处理区域，利用所述等离子体反应分解所述废气中所含的氨(NH3)气体以转变成包含氮(N2)气、氢(H2)气、受激的氮原子(N
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)、受激的氢原子(H
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)、肼(N2H4)气体、二嗪(N2H2)气体的混合气体。6.根据权利要求5所述的半导体制造设备用排气设备，其中，所述粉末沉积防止装置利用在所述等离子体处理区域发生的热反应和所述等离子体反应分解所述废气中所含的氯化铵(NH4Cl)以...

【专利技术属性】
技术研发人员：金昊植，裵辰镐，金佑泰，李侑珍，金亨俊，李宗泽，
申请(专利权)人：LOT真空股份有限公司，
类型：发明
国别省市：