可控硅结构制造技术

本申请提供的可控硅结构，涉及功率半导体技术领域。在本申请中，可控硅结构包括半导体结构、阳极结构、门极结构和阴极结构。半导体结构包括第一半导体材料层、第二半导体材料层、第三半导体材料层和第四半导体材料层。阳极结构与第一半导体材料层电连接，门极结构与第三半导体材料层电连接，阴极结构与第四半导体材料层电连接。阳极结构、门极结构和阴极结构至少分布于半导体结构相对的两侧。基于上述设置，可以提高可控硅结构的封装便利性。可以提高可控硅结构的封装便利性。可以提高可控硅结构的封装便利性。

【技术实现步骤摘要】
可控硅结构


[0001]本申请涉及功率半导体
，具体而言，涉及一种可控硅结构。

技术介绍

[0002]可控硅，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，也称为晶闸管。其中，可控硅具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一，且被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，例如，可以用于整流、逆变、变频、调压等。
[0003]但是，经专利技术人研究发现，在现有技术中，由于可控硅的电极设置方式，使得可控硅的封装便利性较低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种可控硅结构，以提高可控硅结构的封装便利性。
[0005]为实现上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：
[0006]一种可控硅结构，包括：
[0007]半导体结构，所述半导体结构包括依次层叠设置的第一半导体材料层、第二半导体材料层、第三半导体材料层和第四半导体材料层，所述第一半导体材料层、所述第二半导体材料层、所述第三半导体材料层和所述第四半导体材料层形成第一PN结、第二PN结和第三PN结；
[0008]至少一个阳极结构，所述阳极结构与所述第一半导体材料层电连接；
[0009]至少一个门极结构，所述门极结构与所述第三半导体材料层电连接；
[0010]至少一个阴极结构，所述阴极结构与所述第四半导体材料层电连接；
[0011]其中，所述至少一个阳极结构、所述至少一个门极结构和所述至少一个阴极结构至少分布于所述半导体结构相对的两侧。
[0012]在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述至少一个门极结构包括第一门极结构，所述至少一个阳极结构包括第一阳极结构和第二阳极结构，所述至少一个阴极结构包括第一阴极结构和第二阴极结构；
[0013]其中，所述第一门极结构、所述第一阳极结构和所述第一阴极结构位于所述半导体结构的一侧，所述第二阳极结构和所述第二阴极结构位于所述半导体结构的另一侧。
[0014]在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述第一门极结构和所述第一阳极结构为环状结构，所述第一阴极结构为圆形结构；
[0015]其中，所述第一阴极结构位于所述第一门极结构的内部区域，所述第一门极结构位于所述第一阳极结构的内部区域。
[0016]在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述第一阳极结构和所述第一阴极结构为环状结构，所述第一门极结构为圆形结构；
[0017]其中，所述第一门极结构位于所述第一阴极结构的内部区域，所述第一阴极结构
位于所述第一阳极结构的内部区域。
[0018]在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述至少一个门极结构还包括第二门极结构，所述第二门极结构和所述第一门极结构位于所述半导体结构的同一侧。
[0019]在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述第一阳极结构、所述第一阴极结构和所述第二门极结构为环状结构，所述第一门极结构为圆形结构；
[0020]其中，所述第一门极结构位于所述第一阴极结构的内部区域，所述第一阴极结构位于所述第二门极结构的内部区域，所述第二门极结构位于所述第一阳极结构的内部区域。
[0021]在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述第一门极结构和所述第二门极结构为圆形结构，所述第一阳极结构和所述第一阴极结构为环状结构；
[0022]其中，所述第一门极结构位于所述第一阳极结构的内部区域，所述第二门极结构位于所述第一阴极结构的内部区域。
[0023]在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述第一阳极结构包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第二部分和所述第三部分分别与所述第一部分同一侧的相对两个边缘部分连接，以形成凹槽区域；
[0024]其中，所述第一部分的中心位置为中空区域，以形成环状结构，所述第一阴极结构位于所述凹槽区域内，且所述第一阴极结构的中心位置为中空区域，以形成环状结构。
[0025]在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述至少一个门极结构包括第一门极结构，所述至少一个阳极结构包括第一阳极结构，所述至少一个阴极结构包括第一阴极结构；
[0026]其中，所述第一门极结构和所述第一阴极结构位于所述半导体结构的一侧，所述第一阳极结构位于所述半导体结构的另一侧。
[0027]在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述第一阴极结构为环状结构，所述第一门极结构位于所述第一阴极结构的内部区域。
[0028]本申请提供的可控硅结构，通过将至少一个阳极结构、至少一个门极结构和至少一个阴极结构至少分布于半导体结构相对的两侧，使得相较于将阳极结构、门极结构和阴极结构集中设置于半导体结构的同一侧的技术方案，可以降低电极分布的密度，从而降低电极与PN结之间引线的分布密度，进而改善由于电极的分布密度和引线的分布密度较高而导致封装便利性较低的问题，使得可以提高可控硅结构的封装便利性。
[0029]为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0030]图1为本申请实施例提供的可控硅结构的结构框图之一。
[0031]图2为本申请实施例提供的可控硅结构的结构框图之二。
[0032]图3为本申请实施例提供的可控硅结构的结构框图之三。
[0033]图4为本申请实施例提供的可控硅结构的结构框图之四。
[0034]图5为本申请实施例提供的电极之间的相对位置关系示意图之一。
[0035]图6为本申请实施例提供的电极之间的相对位置关系示意图之二。
[0036]图7为本申请实施例提供的电极之间的相对位置关系示意图之三。
[0037]图8为本申请实施例提供的电极之间的相对位置关系示意图之四。
[0038]图9为本申请实施例提供的电极之间的相对位置关系示意图之五。
[0039]图标：100
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可控硅结构；110
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半导体结构；111
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第一半导体材料层；112
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第二半导体材料层；113
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第三半导体材料层；114
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第四半导体材料层；120
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阳极结构；121
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第一阳极结构；122
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第二阳极结构；130
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门极结构；131
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第一门极结构；132
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第二门极结构；140
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阴极结构；141
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第一阴极结构；142
‑
第一阴极结构。
具体实施方式
[0040]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可控硅结构，其特征在于，包括：半导体结构，所述半导体结构包括依次层叠设置的第一半导体材料层、第二半导体材料层、第三半导体材料层和第四半导体材料层，所述第一半导体材料层、所述第二半导体材料层、所述第三半导体材料层和所述第四半导体材料层形成第一PN结、第二PN结和第三PN结；至少一个阳极结构，所述阳极结构与所述第一半导体材料层电连接；至少一个门极结构，所述门极结构与所述第三半导体材料层电连接；至少一个阴极结构，所述阴极结构与所述第四半导体材料层电连接；其中，所述至少一个阳极结构、所述至少一个门极结构和所述至少一个阴极结构至少分布于所述半导体结构相对的两侧。2.根据权利要求1所述的可控硅结构，其特征在于，所述至少一个门极结构包括第一门极结构，所述至少一个阳极结构包括第一阳极结构和第二阳极结构，所述至少一个阴极结构包括第一阴极结构和第二阴极结构；其中，所述第一门极结构、所述第一阳极结构和所述第一阴极结构位于所述半导体结构的一侧，所述第二阳极结构和所述第二阴极结构位于所述半导体结构的另一侧。3.根据权利要求2所述的可控硅结构，其特征在于，所述第一门极结构和所述第一阳极结构为环状结构，所述第一阴极结构为圆形结构；其中，所述第一阴极结构位于所述第一门极结构的内部区域，所述第一门极结构位于所述第一阳极结构的内部区域。4.根据权利要求2所述的可控硅结构，其特征在于，所述第一阳极结构和所述第一阴极结构为环状结构，所述第一门极结构为圆形结构；其中，所述第一门极结构位于所述第一阴极结构的内部区域，所述第一阴极结构位于所述第一阳极结构的内部区域。5.根据权利要求2所述的可控硅结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙传帮，邵长海，左建伟，杨志伟，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：