一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅制造技术

本实用新型专利技术涉及单向可控硅技术领域，且公开了一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅，包括门极电极G与阴极电极K，利用P型短基区扩散层的次表面层的高阻特性，将门极电极G与阴极电极K之间外接的1KΩ电阻集成到芯片本体的内部，形成横向扩散电阻RGK，当可控硅门极电极G与阴极电极K之间加电流IG时，在RGK上产生一个电压降VR，只有当VR大于等于P型短基区和N型长基区的门坎电压VO时，可控硅才会触发，克服了目前市场上的微触发单向可控硅温度特性差、IGT离散性大、维持电流高、开关速度低和VTM大等缺点，大大的提升了可控硅的性能，尤其是触发电流温度特性的高温特性得到了很大的改善。发电流温度特性的高温特性得到了很大的改善。发电流温度特性的高温特性得到了很大的改善。

【技术实现步骤摘要】
一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅


[0001]本技术涉及单向可控硅
，具体为一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅。

技术介绍

[0002]微触发(灵敏触发)单向可控硅的一个重要特性是使用时需要的门极触发信号很小，一般它的触发电流IGT≤150uA，但触发电流随温度变化而发生变化，高温时触发电流变小，80℃时只有常温(25℃)时的0.1
‑
0.2倍，可控硅容易受干扰而误触发。而低温时触发电流变大，
‑
40℃的触发电流是常温(25℃)时的8
‑
9倍，可控硅不易触发。因此在设计可控硅触发电路时，常常会在门极和阴极间并联1KΩ电阻，以防止可控硅受干扰而误导通。但同时必须考虑可能遇到的最低温度，在最低温度触发电路的驱动电流是否能够满足可控硅因低温触发电流变大后的导通条件。
[0003]可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，现有技术中通常都是通过所连接电路中的光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极，属于外部作用，效果较差本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅，包括芯片本体(10)，其特征在于：所述芯片本体(10)包括阳极电极A(1)、P型阳极区(2)、N型长基区(3)和P型短基区(5)，所述阳极电极A(1)、P型阳极区(2)、N型长基区(3)和P型短基区(5)从下至上依次层叠设置，P型短基区(5)扩散层的次表面层有着高阻特性；所述芯片本体(10)的顶部设置有N
+
型发射区(6)和门极电...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏广乾，
申请(专利权)人：西安坤维电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：