一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管，包括晶体管本体，所述晶体管本体的下端为P型衬底，所述P型衬底的上端两侧对称设有绝缘体，所述P型衬底的上端中间设有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层与两侧的绝缘体之间分别设有源极和漏极。本实用新型专利技术采用台面工艺制造功率模块晶体管，能够轻松地通过穿通型结构和局部少子寿命控制来完善普通晶体管无法达到的高频低损耗特性；模块封装形式封装的晶体管，可以在不改变芯片大小的情况下使电流密度大幅度增加；同时在结构上采取模块化集成特性的设计模式，从而实现了关断损耗和导通压降之间较好的性能平衡关系，同时确保器件拥有更好的散热性和更大的功率容量。

【技术实现步骤摘要】
一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管
本技术涉及晶体管
，具体是一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管。
技术介绍
晶体管是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件)，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。一般说来，功率器件通常工作于高电压、大电流的条件下，因此要求其具备耐压高、工作电流大、自身耗散功率大等特点，而普通的功率模块晶体管由于受技术的限制，普遍具有体积小、散热性差、芯片可利用率低等缺陷，从而导致产品质量不稳定，使用寿命偏低，为此我们推出一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：>一种采用台面工艺的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管，其特征在于，包括晶体管本体，所述晶体管本体的下端为P型衬底(1)，所述P型衬底(1)的上端两侧对称设有绝缘体(3)，所述P型衬底(1)的上端中间设有二氧化硅绝缘层(6)，所述二氧化硅绝缘层(6)与两侧的绝缘体(3)之间分别设有源极(4)和漏极(7)，所述二氧化硅绝缘层(6)的上端设有栅极(5)，所述源极(4)和漏极(7)的下端与P型衬底(1)之间均设有沟道(2)。/n

【技术特征摘要】
1.一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管，其特征在于，包括晶体管本体，所述晶体管本体的下端为P型衬底(1)，所述P型衬底(1)的上端两侧对称设有绝缘体(3)，所述P型衬底(1)的上端中间设有二氧化硅绝缘层(6)，所述二氧化硅绝缘层(6)与两侧的绝缘体(3)之间分别设有源极(4)和漏极(7)，所述二氧化硅绝缘层(6)的上端设有栅极(5)，所述源极(4)和漏极(7)的下端与P型衬底(1)之间均设有沟道(2)。


2.根据权利要求1所述的一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管，其特征在于，所述晶体管本体为模块封装形式进行晶体管。


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【专利技术属性】
技术研发人员：魏广乾，
申请(专利权)人：西安坤维电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61