一种LDMOS器件及半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了提供一种LDMOS器件，包含：P型衬底，P型衬底为源极；位于P型衬底上的外延层；位于外延层上的栅极，栅极的上边缘和侧边缘处围绕有场板；位于栅极上的漏极，栅极与漏极之间设置有层间隔离介质；以及填充有导电介质的漏极沟槽和源极沟槽，漏极沟槽连接外延层和漏极，源极沟槽连接外延层和场板。该LDMOS器件结构简单，且横向尺寸小。本实用新型专利技术同时提供一种包含上述LDMOS器件的半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
一种LDMOS器件及半导体装置
本技术涉及半导体
，特别涉及一种LDMOS器件及包含该LDMOS器件的半导体装置。
技术介绍
LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)是一种基于扩散技术的功率器件，具有耐高压等优点常用于高压功率集成电路。传统LDMOS结构包含衬底以及横向布置于衬底上的源极、栅极和漏极，且各极区域之间需保持一定距离。场板(FieldPlate)是在PN结边缘处用于增大耗尽区边界曲率半径、使耗尽层横向延伸的结构。场板的设置有利于降低边界电场，提高击穿电压。传统LDMOS结构栅极场板可直接横向延伸至源极并与其连接。然而，传统LDMOS结构横向尺寸较大，不利于半导体装置的尺寸最小化。
技术实现思路
为了解决现有的技术问题，本技术提出了一种具有新型结构的LDMOS器件以及包含该LDMOS器件的半导体装置。依据本技术，提供一种LDMOS器件，包含：P型衬底，P型衬底为源极；位于P型衬底上的外延层；位于外延层上的栅极，栅极的上边缘和侧边缘处围绕有场板；位于栅极上的漏极，栅极与漏极之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包含：/nP型衬底，所述P型衬底为源极；/n位于所述P型衬底上的外延层；/n位于所述外延层上的栅极，所述栅极的上边缘和侧边缘处围绕有场板；/n位于所述栅极上的漏极，所述栅极与所述漏极之间设置有层间隔离介质；以及/n填充有导电介质的漏极沟槽和源极沟槽，所述漏极沟槽连接所述外延层和所述漏极，所述源极沟槽连接所述外延层和所述场板。/n

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包含：
P型衬底，所述P型衬底为源极；
位于所述P型衬底上的外延层；
位于所述外延层上的栅极，所述栅极的上边缘和侧边缘处围绕有场板；
位于所述栅极上的漏极，所述栅极与所述漏极之间设置有层间隔离介质；以及
填充有导电介质的漏极沟槽和源极沟槽，所述漏极沟槽连接所述外延层和所述漏极，所述源极沟槽连接所述外延层和所述场板。


2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述场板的材质为多晶硅。


3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述源极沟槽延伸至所述层间隔离介质内并通过总线连接至所述场板。


4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述外延层内包含第一N型漂移区和第二N型漂移区，其中，
所述第一N型漂移区的表面形成有掺杂浓度大于所述第一N型漂移区的第一N型扩散层，所述漏极沟槽延伸至所述外延层的端部与所述第一N型扩散层接触；
所述第二N型漂移区位于所述第一N型漂移区远离所述层间隔离介质的一侧且掺杂浓度小于所述第一N型漂移区。


5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述外延层包含P型掺杂的体区，所述P型掺杂的体区的表面形成第二N型扩散层，所述源极沟槽与所述第二N型扩散层和所述P型掺杂的体区二者接触，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴栋华，石新欢，
申请(专利权)人：和舰芯片制造苏州股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32