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本实用新型公开了提供一种LDMOS器件，包含：P型衬底，P型衬底为源极；位于P型衬底上的外延层；位于外延层上的栅极，栅极的上边缘和侧边缘处围绕有场板；位于栅极上的漏极，栅极与漏极之间设置有层间隔离介质；以及填充有导电介质的漏极沟槽和源极沟槽...
该专利属于和舰芯片制造(苏州)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过和舰芯片制造(苏州)股份有限公司授权不得商用。

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