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本实用新型涉及单向可控硅技术领域，且公开了一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅，包括门极电极G与阴极电极K，利用P型短基区扩散层的次表面层的高阻特性，将门极电极G与阴极电极K之间外接的1KΩ电阻集成到芯片本体的内部，形成横向扩散电阻RGK，当可...
该专利属于西安坤维电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安坤维电子科技有限公司授权不得商用。

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