电光装置和电子仪器制造方法及图纸

提供将制造成本的增大抑制到最小限度、可以将具有光扩散功能的光反射膜形成为最佳的状态的电光装置和具有该电光装置的电子仪器。在有源矩阵型的反射型或半透过半反射型的电光装置１００中，在阵列基板１０上，在光反射膜８ａ的表面，与基底保护膜１１ａ、栅极绝缘膜２ａ、扫描线３ａ、第１层间绝缘膜４ａ、数据线６ａ、第２层间绝缘膜５ａ同层的薄膜形成由按指定的图形保留的凹凸形成用薄膜１１ｇ、２ｇ、３ｇ、４ｇ、６ｇ、５ｇ的高低差和凹凸形成的凹凸图形８ｇ，所以，可以将从对向基板２０入射的光扩散，并向对向基板２０反射。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电光装置和使用该电光装置的电子仪器。更详细而言，就是涉及该电光装置的像素的结构。液晶装置中，在反射型或半透过·半反射型的装置中，在像素电极9a的下层侧形成用于将从对向基板20侧入射来的外光向对向基板20方向反射的光反射膜8a，在TFT阵列基板10侧反射从对向基板20侧入射的光并由从TFT阵列基板10侧出射的光显示图像的方式是主流。通过在对向基板侧形成光反射膜，在对向基板侧反射从TFT整列基板10侧入射的外光，可以由从TFT整列基板10侧出射的光显示图像，但是，采用这样的结构时，由于光透过TFT阵列基板10，而在TFT30的形成区域等不透过光，所以，对于进行明亮的显示是不利的。另外，也考虑了在阵列基板10、对向基板20的液晶50的相反侧设置反射板的结构，但是，由于亮度和视差的问题，显示品质通常远远比不上上述那样的内面电极结构。在这样的反射型或半反射·半透过型的液晶装置中，由光反射膜8a反射的光的方向性强，亮度随观看图像的角度而不同等视野角的依赖关系很显著。因此，以往在制造液晶装置时，在第2层间绝缘膜5a(表面保护膜)的表面涂布丙烯酰基树脂等感光性树脂800nm～1500nm的厚度之后，通过使用光刻技术在该感光性树脂上形成图案，在光反射膜8a的下层侧中与光反射膜8a平面重叠的区域，通过按指定的图形有选择地保留凹凸形成用感光性树脂层13，就在其上层侧形成的光反射膜8a的表面上形成了凹凸图形8g。因此，从对向基板20入射的光，在光反射膜8a的表面边扩散边向对向基板20反射，所以，可以抑制液晶装置中显示的图像的视野角的依赖关系。这里，作为像素开关用的有源元件，以TFT为例进行了说明，但是，作为有源元件，也可以使用MIM(Metal Insulator Metal)元件等薄膜二极管元件(TFD元件/Thin Film Diode元件)。但是，如先有的液晶装置那样，在光反射膜8a的表面利用凹凸形成用感光性树脂13形成凹凸图形8g的方法中，必须增加涂布感光性树脂的工序，所以，制造成本将增大。另外，也必须增加使用光刻技术使该涂布的感光性树脂有选择地保留凹凸形成用感光性树脂层13的工序，所以，制造成本增大。为了解决上述问题，本专利技术的特征在于在夹持电光物质的基板上具有按各像素至少与1个或多个配线电气连接的象素开关用的有源元件和光反射膜的电光装置中，在上述光反射膜的下层侧中与该光反射膜平面重叠的区域中，设置了与上述1个或多个配线和这些配线的层间或上层或下层形成的绝缘膜中的至少1层同层的薄膜按指定的图形有选择地形成的凹凸形成用薄膜和该凹凸形成用薄膜的非形成区域，在上述光反射膜的表面，利用上述凹凸形成用薄膜的形成区域和非形成区域形成凹凸图形。在本专利技术中，在光反射膜的下层侧中与光反射膜平面重叠的区域，将与上述1个或多个配线和这些配线的层间或上层或下层形成的绝缘膜中的至少1层同层的薄膜按指定的图形有选择地形成凹凸形成用薄膜，利用有无该凹凸形成用薄膜而引起的高低差和凹凸，在光反射膜的表面形成凹凸图形。这里，在上述1个或多个配线和这些配线的层间或上层或下层形成的绝缘膜，不论是否使光反射膜形成凹凸是一定要形成的，它们是在基板的整个表面上形成指定的薄膜之后使用光刻技术利用图案形成等方法而形成的。因此，直接应用在上述1个或多个配线和这些配线的层间或上层或下层形成绝缘膜的工序，便按指定的图形有选择地形成与它们同层的凹凸形成用薄膜。因此，不增加成膜工序便可形成具有光扩散功能的光反射膜。另外，也容易在基板上避开形成有源元件的区域而形成凹凸形成用薄膜，所以，不妨碍用于形成有源元件的微细加工。这里所说的有源元件，可以是具有MIM结构等的TFD元件等非线性2端子元件，也可以是TFT。另外，如果是TFT，可以将非晶形硅用于有源层，也可以将多晶硅用于有源层，不论是逆参差型、顺参差型或共面型的结构都可以。在本专利技术中，在上述光反射膜的下层侧并且上述凹凸形成用薄膜的上层侧最好形成平坦化膜。如果形成这样的结构，则有无凹凸形成用薄膜而引起的高低差和凹凸利用平坦化膜就成为没有边缘的平缓的形状，从而在光反射膜的表面反映为凹凸图形，所以，可以防止发生边缘引起的视野角的依赖关系。这里，上述平坦化膜的平均膜厚最好在上述凹凸图形的高低差的1/2倍～2倍的范围内。如果上述平坦化膜的平均膜厚超过凹凸图形的高低差的2倍，则平坦化膜就把凹凸消除了，正反射成分就太强，从而图像的视野角的依赖关系太强，不能得到明亮的图像。与此相反，上述平坦化膜的膜厚小于凹凸图形的高低差的1/2时，不能利用平坦化膜可靠地消除边缘，从而将发生边缘引起的视野角的依赖关系。因此，只要将上述平坦化膜的膜厚设定在上述凹凸图形的高低差的1/2倍～2倍的范围内，就可以抑制视野角的依赖关系，同时可以确保图像的亮度。在本专利技术中，上述凹凸形成用薄膜可以仅是1层，但是，最好是形成2层以上。为了在光反射膜的表面形成具有充分的高低差的凹凸图形，必须形成具有与可见光区域的波长同等厚度的凹凸形成用薄膜，但是，通常在TFT中不形成这么厚的薄膜。然而，如果将上述凹凸形成用薄膜形成2层以上，在薄膜很薄时，也可以在光反射膜的表面形成具有充分的高低差的凹凸图形。在本专利技术中，例如上述凹凸形成用薄膜可以采用包含至少与上述配线中的1个同层的导电膜的结构。这时，由与上述配线中的1个同层的导电膜构成的上述凹凸形成用薄膜最好与上述配线电气分离。在本专利技术中，上述有源元件是例如TFT或TFD元件，这时，上述配线中的1个就是扫描线。在本专利技术中，上述有源元件是TFT时，在上述凹凸形成用薄膜中至少包含与扫描线或栅极同层的导电膜。这样的扫描线或栅极是在基板的整个表面上形成导电膜之后使用光刻技术通过图案制作而形成的。因此，可以直接应用形成扫描线或栅极的工序，按指定的图形有选择地形成与扫描线或栅极同层的凹凸形成用薄膜，所以，在光反射膜的表面形成凹凸图形不必增加新的工序。这时，最好预先将由与上述扫描线或栅极同层的导电膜构成的上述凹凸形成用薄膜与上述扫描线和上述栅极电气分离，防止扫描线通过凹凸形成用薄膜成为与其他结构元素短路的状态或发生电容耦合。在本专利技术中，上述有源元件是TFT时，上述凹凸形成用薄膜可以采用包含与数据线或源极同层的导电膜的结构。这样的数据线或源极也和扫描线或栅极一样是在基板的整个表面上形成导电膜之后使用光刻技术通过图案制作而形成的。因此，可以直接应用形成源极的工序，按指定的图形有选择地形成与数据线或源极同层的凹凸形成用薄膜，所以，在光反射膜的表面形成凹凸图形不必增加新的工序。这时，最好例如将由与上述数据线和上述源极同层的导电膜构成的上述凹凸形成用薄膜与上述数据线和源极电气分离，防止数据线或源极通过凹凸形成用薄膜与其他结构元素成为短路状态。采用这样的结构时，上述导电膜的膜厚最好是500nm以上。在本专利技术中，上述导电膜最好至少与厚度尺寸的1/2相当的成分是由以铝膜、钽膜、钼膜或这些金属中的某一种为主要成分的合金膜构成的。另外，这些导电膜最好利用干蚀刻进行加工。由导电膜形成上述凹凸形成用薄膜时，将该导电膜形成得厚，如果是这样的金属材料，膜的应力就比较低，成膜速度快，并且利用干蚀刻容易控制锥形形状，从而可以进行图案制作。在本专利技术中，上述凹凸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在夹持电光物质的基板上具有按各像素至少与１个或多个配线电气连接的象素开关用的有源元件和光反射膜的电光装置，其特征在于：在上述光反射膜的下层侧中与该光反射膜平面重叠的区域中，设置了与上述１个或多个配线和这些配线的层间或上层或下层形成的绝缘膜中的至少１层同层的薄膜按指定的图形有选择地形成的凹凸形成用薄膜和该凹凸形成用薄膜的非形成区域，在上述光反射膜的表面，利用上述凹凸形成用薄膜的形成区域和非形成区域形成凹凸图形。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小桥裕，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]