用于切割胶带的粘合剂组合物和包含其的切割胶带制造技术

本发明专利技术提供了用于切割胶带的粘合剂组合物和包含其的切割胶带，所述用于切割胶带的粘合剂组合物可以防止芯片拾取的成功率由于切割过程中发生的氧抑制现象而降低。用于切割胶带的粘合剂组合物包含粘结剂、还原剂和光引发剂。剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于切割胶带的粘合剂组合物和包含其的切割胶带


[0001]本申请要求于2019年9月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2019
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0119120号的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。本专利技术涉及用于切割胶带的粘合剂组合物和包含其的切割胶带。

技术介绍

[0002]通常，半导体芯片制造方法包括在晶片上形成精细图案的过程和对晶片进行抛光和封装以满足最终器件的规格的过程。
[0003]封装过程包括：检查半导体芯片中的缺陷的晶片检查过程；通过切割将晶片分离成单个芯片的切割过程；将单个芯片附接至电路膜或引线框的安装板的管芯接合过程；通过电连接手段(例如导线)将设置在半导体芯片上的芯片焊盘连接至电路膜或引线框的电路图案的导线接合过程；用封装材料对半导体芯片进行封装以保护半导体芯片的内部电路和其他部件的模制过程；对连接引线的阻挡条进行切割的修剪过程；将引线弯曲成期望形式的成形过程；以及检查封装产品中的缺陷的最终产品检查过程。
[0004]在切割过程中，通过金刚石砂轮等将晶片切割成预定厚度。在切割过程之前，在适当的条件下将切割胶带层合到晶片的背面上以固定晶片，然后进行切割过程。此外，使用管芯接合膜(粘合剂膜)来将切割的单个芯片附接至电路板。通过切割过程，由其中形成有复数个芯片的半导体晶片制造出分离的单个芯片。就广义来说，切割过程是通过研磨半导体晶片的背面并沿着芯片之间的切割线切割半导体晶片来制造复数个分离的单个芯片的过程。
[0005]此外，在常规的切割过程中，存在产率由于对芯片的损坏而降低的问题。为了解决该问题，已经提出了包括在用刀片将半导体芯片切割之后进行的扩展过程的制造方法。在该制造方法中，使经切割的半导体晶片扩展，用紫外(UV)光照射半导体晶片的基础膜，并拾取复数个单个芯片。
[0006]然而，在扩展过程期间，发生其中切割的芯片的外围被举离的管芯举离现象，并且氧被捕获在举离部分中。此后，在照射UV光的过程中产生的自由基与所捕获的氧反应而形成过氧自由基，并因此在芯片的外围处发生氧抑制现象。其中发生氧抑制现象的表面保持具有高的粘附性，并且当拾取芯片时，产生芯片拾取的成功率由于膜之间的固定而降低的问题。

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]本专利技术的目的是提供用于切割胶带的粘合剂组合物和包含所述用于切割胶带的粘合剂组合物的切割胶带，所述用于切割胶带的粘合剂组合物能够防止芯片拾取的成功率由于切割过程中发生的氧抑制现象而降低。
[0009]然而，本专利技术要实现的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员将从以下描述
中清楚地理解未提及的其他目的。
[0010]技术方案
[0011]本专利技术的一个实施方案提供了用于切割胶带的粘合剂组合物，所述用于切割胶带的粘合剂组合物包含：粘结剂；还原剂；和光引发剂。
[0012]本专利技术的另一个实施方案提供了切割胶带，所述切割胶带包括：基础膜；和形成在基础膜的至少一个表面上的粘合剂层，其中所述粘合剂层包含所述用于切割胶带的粘合剂组合物。
[0013]有益效果
[0014]如上所述，由于根据本专利技术的一个实施方案的用于切割胶带的粘合剂组合物还包含还原剂，因此其可以通过引发过氧自由基的还原来减轻氧抑制现象。
[0015]此外，由于根据本专利技术的一个实施方案的切割胶带在其粘合剂层中包含所述用于切割胶带的粘合剂组合物，因此其可以防止芯片拾取的成功率降低。
[0016]本专利技术的效果不旨在限于上述效果，并且本领域技术人员将从本说明书中清楚地理解未提及的效果。
具体实施方式
[0017]基于本专利技术人可以根据原则适当地限定术语的含义以以最好的方式描述他们的专利技术的这样的原则，本说明书和所附权利要求中所使用的术语不应被解释为限于一般含义或字典定义，而是应被解释为具有与本专利技术的技术范围相关的含义和概念。因此，应理解，本说明书中描述的实施方案仅为本专利技术的最优选的实例，而不包括本专利技术的全部技术精神，并因此在提交本专利技术时可以存在能够代替这些实施方案的各种等同方案和修改方案。
[0018]在整个本说明书中，应理解，当任何部分被称为“包含”任何组分时，除非另有说明，否则其不排除其他组分，而是还可以包含其他组分。
[0019]在整个本说明书中，当任何构件被称为在另一构件“上”时，其不仅指任何构件与另一构件接触的情况，而且还指在这两个构件之间存在第三构件的情况。
[0020]在整个本说明书中，单位“重量份”可以指组分之间的重量比。
[0021]在整个本说明书中，术语“(甲基)丙烯酸酯”用作用于丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的集合术语。
[0022]在整个本说明书中，任何化合物的“重均分子量”和“数均分子量”可以使用该化合物的分子量和分子量分布来计算。具体地，该化合物的分子量和分子量分布可以通过以下来获得：将四氢呋喃(THF)和该化合物放置在1ml玻璃小瓶中以制备其中该化合物的浓度为1重量％的测试样品；通过过滤器(孔尺寸：0.45μm)将标准样品(聚苯乙烯)和测试样品过滤；将各样品滤液注入到GPC注入器中；并将测试样品的洗脱时间与标准样品的校准曲线进行比较。此时，可以使用Infinity II 1260(Agilent Technologies,Inc.)作为测量仪器，以及可以将流量和柱温分别设定为1.00mL/分钟和40.0℃。
[0023]在整个本说明书中，“玻璃化转变温度(Tg)”可以使用差示扫描分析(Differnetial Scanning Analysis，DSC)测量。具体地，玻璃化转变温度可以使用DSC(差示扫描量热仪，DSCQ2000，TA Instrument Korea)通过以下来测量：在
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60℃至150℃的温度范围内以5℃/分钟的加热速率对样品进行加热，在所述温度范围内进行双循环实验，并测
量绘制为其中存在热变化的量的点的DSC曲线的中点。
[0024]在常规切割过程的扩展过程中，发生其中切割的芯片的外围被举离的管芯举离现象，并且氧被捕获在举离的部分中。此后，在照射紫外(UV)光的过程中产生的自由基与捕获的氧反应形成过氧自由基，并因此在芯片的外围处发生氧抑制现象。其中发生氧抑制现象的表面保持具有高的粘附性，并且当拾取芯片时，产生芯片拾取的成功率由于膜的固定而降低的问题。
[0025]本专利技术的一个实施方案提供了用于切割胶带的粘合剂组合物，所述用于切割胶带的粘合剂组合物包含：粘结剂；还原剂；和光引发剂。
[0026]由于根据本专利技术的用于切割胶带的粘合剂组合物还包含还原剂，因此其可以通过引发过氧自由基的还原来减轻氧抑制现象。
[0027]根据本专利技术的一个实施方案，粘结剂可以包含具有以下玻璃化转变温度的基于(甲基)丙烯酸酯的树脂：
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28℃至
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58℃、29℃至
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57℃、
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30℃至
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于切割胶带的粘合剂组合物，包含：粘结剂；还原剂；和光引发剂。2.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中所述粘结剂包含玻璃化转变温度为
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28℃至
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58℃的基于(甲基)丙烯酸酯的树脂。3.根据权利要求2所述的粘合剂组合物，其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含基于(甲基)丙烯酸酯的单体和含可交联官能团的单体的共聚物。4.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中所述还原剂为选自基于磷的还原剂、基于硫的还原剂、基于硼的还原剂及其组合中的一者。5.根据权利要求4所述的粘合剂组合物，其中所述还原剂为选自以下中的一者：三苯基膦、亚磷酸三苯酯、三辛基膦、3,9
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双(十八烷氧基)
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2,4,8,10
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四氧杂
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3,9
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二磷杂螺[5,5]十一烷(BOTDBU)、亚硫酸乙烯酯(ETS)、二甲基胺
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硼(Me2NH*BH3)及其组合。6.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中基于100重量份的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金多爱，韩智浩，李光珠，金殷英，张美，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：