一种乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料制造技术

本发明专利技术公开了一种乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料，其由乙酰丙酮钯溶液、钯粉、银粉、二氧化钌、添加剂、玻璃粉、有机载体组成，所述添加剂为五氧化二铌、氧化铜、二氧化钛、二氧化锰、氧化锆等。本发明专利技术采用乙酰丙酮钯溶液代替钯粉，由于在空气气氛中乙酰丙酮钯在400℃前完全分解为钯，用乙酰丙酮钯溶液代替钯粉可以提升高含量的钯在电阻浆料中的分散性，改善片式电阻器的电学性能。同时按一定比例混合使用片状或棒状银粉与球形银粉，利用片状或棒状银粉填充表面裂纹和缩孔，提高低阻片式电阻器的良品率。式电阻器的良品率。式电阻器的良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料


[0001]本专利技术属于电阻浆料
，具体涉及一种乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料。

技术介绍

[0002]片式厚膜电阻器由于具有较小的尺寸和较高的可靠性被广泛地应用在各种电子设备中，作为集成电路的核心元器件对其可靠性有着极为苛刻的要求。片式厚膜电阻器用电阻浆料作为核心原材料决定了片式电阻器主要的工作性能，阻值分散性是决定片式电阻能否可靠应用的关键电性能之一。尤其是在低阻段（0.1Ω/
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～100Ω/
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）浆料中银粉、钯粉等金属导电相的增多，导电相材料的均匀分散对浆料制备过程提出了更高的要求。银粉、钯粉等导电相在浆料中的不均匀分散不仅会导致批量生产的片式电阻器阻值的分散性差，在后续的激光调阻工序中无法有效切割调阻，而且会增加在烧结后表面开裂和缩孔的风险，导致大量的不良品出现，提高生产成本。
[0003]导致上述问题出现的原因是：在低阻段（0.1Ω/
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～100Ω/
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）的片式厚膜电阻浆料中金属导电相银粉、钯粉等含量增多，特别是由于钯具有良好的稳定性和银迁移导致耐焊性较差，在低阻段浆料中钯粉的含量最高可达30%，而浆料制备过程不能将其分散均匀，不仅导致片式电阻器的阻值分散性差，同时带来部分银粉、钯粉团聚，在烧结过程中团聚金属导电相与粘结相之间的热膨胀系数差距过大，发生表面裂纹和缩孔现象，产生大量不良品。

技术实现思路

[0004]为了解决片式电阻浆料印刷过程中出现的上述问题，本专利技术提供一种阻值分散性好、电性能优异的乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料。
[0005]为实现上述目的，本专利技术所采取的低阻片式厚膜电阻浆料由下述质量百分比的原料组成：质量浓度为55%～60%的乙酰丙酮钯溶液10%～40%、钯粉0%～15%、银粉2%～20%、二氧化钌0～10%、添加剂1%～10%、玻璃粉20%～50%、有机载体20%～40%；且所述电阻浆料中钯元素的质量含量为5%～30%。
[0006]本专利技术电阻浆料优选由下述质量百分比的原料组成：质量浓度为55%～60%的乙酰丙酮钯溶液10%～35%、钯粉0%～15%、银粉5%～10%、二氧化钌2%～5%、添加剂1%～5%、玻璃粉20%～40%、有机载体20%～40%。进一步优选电阻浆料中钯元素的质量含量为7%～20%。
[0007]上述乙酰丙酮钯溶液为乙酰丙酮钯的苯甲醇、氯仿、甲苯溶液中任意一种。
[0008]上述银粉优选片状或棒状银粉与球型银粉的质量比为20:80～70:30的混合物。
[0009]上述添加剂为五氧化二铌、氧化铜、二氧化钛、二氧化锰、氧化锆中任意一种或多种。
[0010]上述玻璃粉为硅酸盐玻璃粉，其质量百分比组成为： PbO 15%～45%、SiO
2 25%～40%、CaO 10%～25%、B2O
3 3%～12%、Al2O
3 5%～10%、Na2O 0.2%～0.5%。
[0011]上述有机载体是松油醇、乙基纤维素、氢化松香、聚乙烯醇缩丁醛、马来酸树脂中任意一种或多种。
[0012]本专利技术低阻片式厚膜电阻浆料采用常规的辊轧法制备得到。
[0013]本专利技术的有益效果如下：本专利技术采用钯的配合物乙酰丙酮钯溶液代替钯粉，由于在空气气氛中乙酰丙酮钯在400℃前完全分解为钯，用乙酰丙酮钯溶液代替钯粉可以提升高含量的钯在电阻浆料中的分散性，改善片式电阻器的电学性能。同时按一定比例混合使用片状或棒状银粉与球形银粉，利用片状或棒状银粉填充表面裂纹和缩孔，提高低阻片式电阻器的良品率。
附图说明
[0014]图1是实施例1制备的片式厚膜电阻浆料对应烧结膜表面（左）及背光（右）照片。
[0015]图2是对比例1制备的片式厚膜电阻浆料对应烧结膜表面（左）及背光（右）照片。
具体实施方式
[0016]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步详细说明，但本专利技术的保护范围不仅限于这些实施例。
[0017]下面实施例中的细度均使用刮板细度计测试。
[0018]实施例1本实施例低阻片式厚膜电阻浆料的质量百分比组成为：质量浓度为57%的乙酰丙酮钯溶液35%、片状银粉3%、球型银粉2%、二氧化钌3%、五氧化二铌2%、玻璃粉30%、5%松油醇、15%乙基纤维素、3%氢化松香、2%聚乙烯醇缩丁醛；其中玻璃粉由两种微米级硅酸盐玻璃粉A和B按质量比为5:5组成，玻璃粉A的质量百分比组成为：15% PbO、20% SiO2、5% B2O3、5%Al2O3，玻璃粉B的质量百分比组成为15% CaO、8%Al2O3、35% SiO2、0.3% Na2O组成，玻璃粉粒径D50为1.0～1.5μm。所述电阻浆料中钯元素的质量含量为7%。
[0019]本实施例片式厚膜电阻浆料的制备方法如下：（1）将40g乙酰丙酮钯完全溶解于30g苯甲醇中，得到质量浓度为57%的乙酰丙酮钯溶液；（2）将70g质量浓度为57%的乙酰丙酮钯溶液、6g片状银粉、4g球型银粉、6g二氧化钌、4g五氧化二铌、9g乙基纤维素、1g氢化松香，在三辊辊轧机上进行辊轧膏状化处理，得到细度≤7μm的膏状化导电相；（3）称取30g玻璃粉A、30g玻璃粉B、8g松油醇、10g乙基纤维素、2g氢化松香，在三辊辊轧机上进行辊轧膏状化处理，得到细度≤7μm的膏状化玻璃相；（4）称取100g膏状化导电相、80g膏状化玻璃相、2g松油醇、11g乙基纤维素、3g氢化松香、4g聚乙烯醇缩丁醛，在三辊辊轧机上进行辊轧，得到细度≤5μm的低阻片式厚膜电阻浆料。
[0020]实施例2本实施例低阻片式厚膜电阻浆料的质量百分比组成为：质量浓度为57%的乙酰丙酮钯溶液28%、球型钯粉12%、片状银粉3%、球型银粉2%、二氧化钌2%、五氧化二铌2%、氧化铜0.5%、二氧化锰0.5%、玻璃粉20%、松油醇10%、乙基纤维素15%、氢化松香3%、聚乙烯醇缩丁醛
2%；其中玻璃粉由两种微米级硅酸盐玻璃粉A和B按质量比为4:6组成，玻璃粉A的质量百分比组成为：15% PbO、20% SiO2、5% B2O3、5%Al2O3，玻璃粉B的质量百分比组成为15% CaO、8%Al2O3、35% SiO2、0.3% Na2O组成，玻璃粉粒径D50为1.0～1.5μm。所述电阻浆料中钯元素的质量含量为17.5%。
[0021]本实施例片式厚膜电阻浆料的制备方法如下：（1）将32g乙酰丙酮钯完全溶解于24g苯甲醇中，得到质量浓度为57%的乙酰丙酮钯溶液；（2）将56g质量浓度为57%的乙酰丙酮钯溶液、24g球型钯粉、6g片状银粉、4g球型银粉、4g二氧化钌、4g五氧化二铌、1g氧化铜、1g二氧化锰、1g松油醇、8g乙基纤维素、1g氢化松香，在三辊辊轧机上进行辊轧膏状化处理，得到细度≤7μm的膏状化导电相；（3）称取16g玻璃粉A、24g玻璃粉B、4g松油醇、5g乙基纤维素、1g氢化松香，在三辊辊轧机上进行辊轧膏状化处理，得到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料，其特征在于所述电阻浆料由下述质量百分比的原料组成：质量浓度为55%～60%的乙酰丙酮钯溶液5%～40%、钯粉0%～20%、银粉2%～20%、二氧化钌0～10%、添加剂1%～10%、玻璃粉20%～50%、有机载体20%～40%；所述添加剂为五氧化二铌、氧化铜、二氧化钛、二氧化锰、氧化锆中任意一种或多种；所述电阻浆料中钯元素的质量含量为5%～30%。2.根据权利要求1所述的乙酰丙酮钯掺杂改性低阻片式厚膜电阻浆料，其特征在于所述电阻浆料由下述质量百分比的原料组成：质量浓度为55%～60%的乙酰丙酮钯溶液10%～35%、钯粉0%～15%、银粉5%～10%、二氧化钌2%～5%、添加剂1%～5%、玻璃粉20%～40%、有机载体20%～40%；所述电阻浆料中钯元素的质量含量为7%～20%。3.根据权利要求1或2所述的乙酰丙酮钯...

【专利技术属性】
技术研发人员：张帅，周宝荣，赵科良，吴高鹏，马小强，马倩，兰金鹏，刘琦瑾，
申请(专利权)人：西安宏星电子浆料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：