【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件散热封装结构
[0001]本技术属于半导体
,具体涉及一种半导体器件散热封装结构。
技术介绍
[0002]半导体器件在工作时所产生的热量限制器件性能和可靠性,散热是半导体器件生产和应用的重点工作之一。温度过高会影响包括IGBT模块在内的大多半导体器件的使用性能,甚至造成功率器件的不可逆转的损坏不可逆转的损坏,影响元器件的正常使用。10℃法则表明,当器件温度降低10℃,器件的可靠性将增长一倍。因此,从提高半导体器件的使用可靠性的角度出发,如何对半导体器件进行散热已经成为各国研究的热点。
[0003]常规散热措施是将器件安装在具有较大散热面积的散热器上,或同时对散热器进行风冷或者水冷。传统水冷散热器,水冷腔体的水冷板壁与功率器件基板通过导热硅脂连接,由于导热硅脂的导热系数较低,且在涂抹时易产生气泡等,从而形成了较大热阻且极易造成局部温度过高,进而导致功率元件的整体散热效果较差。而且,传统的水冷散热器,多由多边形柱状散热片形成散热通道,会存在水循环不均匀、散热片之间容易被水沟堵塞、以及清洗困难等缺陷。<
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件散热封装结构,其特征在于,包括:散热壳体(1),所述散热壳体(1)上设置有冷却液进口(101)和冷却液出口(102);底板(2),与所述散热壳体(1)连接以密封所述散热壳体(1),所述底板(2)同时作为半导体器件的基板;所述底板(2)上设置有与所述冷却液进口(101)和所述冷却液出口(102)连接的沟槽(201),所述沟槽(201)呈迂回形排布。2.根据权利要求1所述的半导体器件散热封装结构,其特征在于,所述沟槽(201)的内壁是光滑的,转折处呈圆滑过渡。3.根据权利要求1所述的半导体器件散热封装结构,其特征在于,所述底板(2)的内部设置真空腔体(3),所述真...
【专利技术属性】
技术研发人员:李洁,姚强,杨进,薛娜,
申请(专利权)人:西安精匠华鹤电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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