一种半导体器件散热封装结构制造技术

技术编号:30000586 阅读:31 留言:0更新日期:2021-09-11 04:45
本实用新型专利技术涉及一种半导体器件散热封装结构,包括:散热壳体,所述散热壳体上设置有冷却液进口和冷却液出口;底板,与所述散热壳体连接以密封所述散热壳体,所述底板同时作为半导体器件的基板;所述底板上设置有与所述冷却液进口和所述冷却液出口连接的沟槽,所述沟槽呈迂回形排布。本实用新型专利技术的半导体器件散热封装结构与半导体器件形成为一体,结构非常紧凑,一体封装的形式避免了低导热系数硅胶产生的热阻,大大提高了半导体器件的散热效果。大大提高了半导体器件的散热效果。大大提高了半导体器件的散热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件散热封装结构


[0001]本技术属于半导体
,具体涉及一种半导体器件散热封装结构。

技术介绍

[0002]半导体器件在工作时所产生的热量限制器件性能和可靠性,散热是半导体器件生产和应用的重点工作之一。温度过高会影响包括IGBT模块在内的大多半导体器件的使用性能,甚至造成功率器件的不可逆转的损坏不可逆转的损坏,影响元器件的正常使用。10℃法则表明,当器件温度降低10℃,器件的可靠性将增长一倍。因此,从提高半导体器件的使用可靠性的角度出发,如何对半导体器件进行散热已经成为各国研究的热点。
[0003]常规散热措施是将器件安装在具有较大散热面积的散热器上,或同时对散热器进行风冷或者水冷。传统水冷散热器,水冷腔体的水冷板壁与功率器件基板通过导热硅脂连接,由于导热硅脂的导热系数较低,且在涂抹时易产生气泡等,从而形成了较大热阻且极易造成局部温度过高,进而导致功率元件的整体散热效果较差。而且,传统的水冷散热器,多由多边形柱状散热片形成散热通道,会存在水循环不均匀、散热片之间容易被水沟堵塞、以及清洗困难等缺陷。<br/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件散热封装结构,其特征在于,包括:散热壳体(1),所述散热壳体(1)上设置有冷却液进口(101)和冷却液出口(102);底板(2),与所述散热壳体(1)连接以密封所述散热壳体(1),所述底板(2)同时作为半导体器件的基板;所述底板(2)上设置有与所述冷却液进口(101)和所述冷却液出口(102)连接的沟槽(201),所述沟槽(201)呈迂回形排布。2.根据权利要求1所述的半导体器件散热封装结构,其特征在于,所述沟槽(201)的内壁是光滑的,转折处呈圆滑过渡。3.根据权利要求1所述的半导体器件散热封装结构,其特征在于,所述底板(2)的内部设置真空腔体(3),所述真...

【专利技术属性】
技术研发人员:李洁姚强杨进薛娜
申请(专利权)人:西安精匠华鹤电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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