具有用于2晶体管竖直存储器单元的共享存取线的存储器装置制造方法及图纸

一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含位于衬底上方的存储器单元以及第一数据线、第二数据线和第三数据线。所述存储器单元包含第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包含位于所述设备的第一层级上的电荷存储结构，以及与所述电荷存储结构电分离的第一沟道区。所述第二晶体管包含位于所述设备的第二层级上且电耦合到所述电荷存储结构的第二沟道区。所述第一数据线和所述第二数据线位于所述设备的第三层级上且电耦合到所述第一沟道区。所述第一层级在所述衬底与所述第三层级之间。所述第三数据线电耦合到所述第二沟道区且与所述第一沟道区电分离。述第二沟道区且与所述第一沟道区电分离。述第二沟道区且与所述第一沟道区电分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有用于2晶体管竖直存储器单元的共享存取线的存储器装置
[0001]优先权申请
[0002]本申请要求2018年12月26日提交的第62/785,150号美国临时申请的优先权，所述美国临时申请以全文引用的方式并入本文中。

技术介绍

[0003]存储器装置广泛地用于计算机和许多其它电子物品中来存储信息。存储器装置通常分类成两种类型：易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置的实例包含动态随机存取存储器(DRAM)装置。非易失性存储器装置的实例包含快闪存储器装置(例如，快闪存储器棒)。存储器装置通常具有用以存储信息的许多存储器单元。在易失性存储器装置中，如果电源与存储器装置断开连接，那么存储于存储器单元中的信息会丢失。在非易失性存储器装置中，即使电源与存储器装置断开连接，存储于存储器单元中的信息也会保留。
[0004]本文中的描述涉及易失性存储器装置。最常规的易失性存储器装置将信息以电荷形式存储在包含于存储器单元中的电容器结构中。随着对装置存储密度的需求增加，许多常规技术提供缩减存储器单元的大小以便增大给定装置区域的装置存储密度的方式。然本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，其包括：存储器单元，其位于衬底上方，所述存储器单元包含：第一晶体管，其包含位于所述设备的第一层级上的电荷存储结构，以及与所述电荷存储结构电分离的第一沟道区；以及第二晶体管，其包含位于所述设备的第二层级上且电耦合到所述电荷存储结构的第二沟道区；第一数据线，其电耦合到所述第一沟道区；第二数据线，其电耦合到所述第一沟道区，所述第一数据线和所述第二数据线位于所述设备的第三层级上，所述第二层级在所述第一层级与所述第三层级之间；以及第三数据线，其电耦合到所述第二沟道区且与所述第一沟道区电分离。2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括存取线，所述存取线包含跨越所述第一沟道区的部分和所述第二沟道区的部分的部分。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一沟道区包含：第一部分，其位于所述电荷存储结构的第一侧上；第二部分，其位于所述电荷存储结构的第二侧上；以及第三部分，其位于所述电荷存储结构与所述衬底之间。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一沟道区和所述第二沟道区包含不同材料。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述电荷存储结构包含半导体材料。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述电荷存储结构包含金属。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二区包含以下中的至少一种：氧化锌锡(ZTO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO
x
)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓硅(IGSO)、氧化铟(InO
x
、In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化钛(TiO
x
)、氮氧化锌(Zn
x
O
y
N
z
)、氧化镁锌(Mg
x
Zn
y
O
z
)、氧化铟锌(In
x
Zn
y
O
z
)、氧化铟镓锌(In
x
Ga
y
Zn
z
O
a
)、氧化锆铟锌(Zr
x
In
y
Zn
z
O
a
)、氧化铪铟锌(Hf
x
In
y
Zn
z
O
a
)、氧化锡铟锌(Sn
x
In
y
Zn
z
O
a
)、氧化铝锡铟锌(Al
x
Sn
y
In
z
Zn
a
O
d
)、氧化硅铟锌(Si
x
In
y
Zn
z
O
a
)、氧化锌锡(Zn
x
Sn
y
O
z
)、氧化铝锌锡(Al
x
Zn
y
Sn
z
O
a
)、氧化镓锌锡(Ga
x
Zn
y
Sn
z
O
a
)、氧化锆锌锡(Zr
x
Zn
y
Sn
z
O
a
)、氧化铟镓硅(InGaSiO)和磷化镓(GaP)。8.一种设备，其包括：第一存储器单元，其位于衬底上方，所述第一存储器单元包含：第一晶体管，其包含第一电荷存储结构和与所述第一电荷存储结构电分离的第一区；以及第二晶体管，其包含电耦合到所述第一电荷存储结构的第二区；以及第二存储器单元，其位于所述衬底上方，所述第二存储器单元包含：第三晶体管，其包含第二电荷存储结构和与所述第二电荷存储结构电分离的第三区；以及第四晶体管，其包含电耦合到所述第二电荷存储结构的第四区；第一数据线，其电耦合到所述第一区；第二数据线，其电耦合到所述第三区；第三数据线，其电耦合到所述第一区和所述第三区；以及存取线，其跨越所述第一区、所述第二区、所述第三区和所述第四区中的每一个的一部
分。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第一数据线、所述第二数据线和所述第三数据线具有第一方向上的长度，且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡迈勒，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：