确定可疑缺陷的位置制造技术

用于确定基板的可疑缺陷的位置的方法、非暂时性计算机可读介质和检测系统。暂时性计算机可读介质和检测系统。暂时性计算机可读介质和检测系统。

【技术实现步骤摘要】
确定可疑缺陷的位置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年3月3日提交的US 16/808,111的优先权。所述申请的公开内容通过引用以其全文并出于所有目的并入本文。

技术介绍

[0003]诸如半导体晶片之类的晶片经历可能导致各种类型的缺陷的多个机械和化学工艺。
[0004]晶片检验与检查以两个阶段执行。在第一阶段期间，光学晶片检验系统发现可疑缺陷并产生关于可疑缺陷的位置的位置信息。
[0005]在第二阶段期间，带电粒子检查系统(诸如扫描电子显微镜)检查可疑缺陷并确定哪些可疑缺陷是实际缺陷。
[0006]光学晶片检验系统比带电粒子检查系统快得多，并且可在相对短的时间段中扫描整个晶片。带电粒子检查系统的分辨率比光学晶片检验系统的分辨率精细得多，并且可检查纳米级缺陷。因此，两阶段晶片检验与检查提供速度与准确性之间的权衡。
[0007]光学晶片检验系统和带电粒子检查系统彼此不同，并且由光学晶片检验系统检验的晶片被机械地移动至带电粒子检查系统。
[0008]由于各种原因，带电粒子检查系统无法假定可疑缺陷恰好位于由光学晶片检验系统测量的可疑缺陷的位置信息中指示的位置。各种原因可包括带电粒子检查系统的位置测量中的不准确性、带电粒子检查系统的导航中的不准确性、以及带电粒子检查系统与光学晶片检验系统之间的失准。
[0009]因此，带电粒子检查系统必须在以可疑缺陷的位置为中心的相对较大搜索窗口内搜索可疑缺陷。
[0010]搜索过程是耗时的。
[0011]越来越需要提供更准确的搜索工艺。

技术实现思路

[0012]可提供用于确定可疑缺陷的位置的方法、非暂时性计算机可读介质和系统。
附图说明
[0013]在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护被视为本公开内容的实施例的主题。然而，当结合附图阅读时，通过参考以下详细描述，可最好地理解本公开内容的关于组织和操作方法的实施例及其目的、特征和优点，在附图中：
[0014]图1示出方法的示例；
[0015]图2示出将晶片划分为五个区域的示例；
[0016]图3示出通过计算最小平方误差来选择的线性估计器的示例；
[0017]图4示出估计的多个CPRS确定位置的分布、直方图和匹配的过滤函数的示例；
[0018]图5示出方法的示例；以及
[0019]图6示出系统的示例。
具体实施方式
[0020]在下文的详细描述中，阐述了众多具体细节以便提供对本公开内容的实施例的透彻理解。
[0021]然而，本领域技术人员将理解，可在没有这些具体细节的情况下实践本公开内容的当前实施例。在其他示例中，未详细描述众所周知的方法、程序和组件，以免模糊本公开内容的当前实施例。
[0022]在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护被视为本公开内容的实施例的主题。然而，当结合附图阅读时，通过参考以下详细描述，可最好地理解本公开内容的关于组织和操作方法的实施例及其目的、特征和优点。
[0023]应了解，为了图示的简单和清楚起见，附图中所示的元件不一定按比例绘制。例如，为了清楚起见，一些元件的尺寸可能相对于其他元件放大。此外，在认为适当的情况下，可在附图之间重复附图标记以指示相应或相似元件。
[0024]由于本公开内容的所示实施例大部分可使用本领域技术人员已知的电子组件和电路来实现，为了理解和了解本公开内容的当前实施例的基本概念以及为了不混淆或分散本公开内容的当前实施例的教导，将不以比上文所示出的所认为必要的更大的程度来解释细节。
[0025]说明书中对方法的任何引用应在细节上作必要修改后应用于能够执行所述方法的系统，并且应在细节上作必要修改后应用于非暂时性的且存储用于执行所述方法的指令的计算机可读介质。
[0026]说明书中对系统的任何引用应在细节上作必要修改后应用于可由系统执行的方法，并且应在细节上作必要修改后应用于非暂时性的且存储可由系统执行的指令的计算机可读介质。
[0027]说明书中对非暂时性的计算机可读介质的任何引用应在细节上作必要修改后应用于可在执行存储在计算机可读介质中的指令时应用的方法，并且应在细节上作必要修改后应用于配置为执行存储在计算机可读介质中的指令的系统。
[0028]术语“和/或”意指附加地或替代地。
[0029]术语“包括”、“具有”、“由
……
组成”和“基本上由
……
组成”以可互换的方式使用。对这些术语中的一个的任何引用可在细节上作必要修改后应用于这些术语中的任何其他术语。
[0030]术语“配置”可意指“构造和布置”和/或编程。
[0031]在说明书中使用以下术语：
[0032]ο光学晶片检验系统(OWIS)：使用光来检测缺陷的晶片检验系统。OWIS可用可见光辐射、紫外辐射、深紫外辐射和极紫外辐射来照射晶片。OWIS的非限制性示例包括由美国加利福尼亚州应用材料公司制造的UVision
TM
系列。
[0033]ο可疑缺陷的OWIS确定位置：由OWIS测量的可疑缺陷的位置(例如，坐标)。
[0034]ο带电粒子检查系统(CPRS)：使用带电粒子辐射来检查缺陷的带电粒子检查系统。
CPRS可用电子束或离子束照射可疑缺陷及其附近。CPRS的非限制性示例包括由美国加利福尼亚州应用材料公司制造的SEM
‑
Vision
TM
系列。
[0035]ο可疑缺陷的CPRS确定位置：由CPRS测量的可疑缺陷的位置(例如，坐标)。
[0036]ο排列相关映射：(a)属于形成排列的可疑缺陷子组的可疑缺陷的OWIS确定位置与(b)属于所述子组的可疑缺陷的CPRS确定位置之间的映射。
[0037]图1示出方法100的示例。
[0038]方法100可由步骤110开始，步骤110为接收晶片的可疑缺陷的OWIS确定位置。晶片的可疑缺陷的OWIS确定位置可由CPRS接收。
[0039]晶片的可疑缺陷的OWIS确定位置可以以不同格式提供，例如通过可疑缺陷的分布图来提供。
[0040]可疑缺陷可遍布整个晶片，或仅在晶片的一些部分中。
[0041]步骤110之后可以是步骤120，步骤120为检查多个可疑缺陷。
[0042]多个可疑缺陷可位于晶片的一个或多个区域内。
[0043]图2示出将晶片10划分为五个区域：第一区域201、第二区域202、第三区域203、第四区域204和第五区域205。第一区域201为位于晶片10的中心的圆形。其他区域为围绕第一区域的晶片的环形部分的区段。
[0044]这些区域可在形状和尺寸上与图2的区域不同。
[0045]返回参考图1，检查可包括在初始搜索窗口处搜索多个可疑缺陷。可定义初始搜索窗口以包括可疑缺陷。可基于组的可疑缺陷的OWIS确定位置来定义初始搜索窗口。初始搜索窗口可以是晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于确定基板的可疑缺陷的位置的方法，所述方法包括：通过带电粒子检查系统(CPRS)确定可疑缺陷组的CPRS确定位置；其中所述确定是至少部分地基于所述可疑缺陷组的光学晶片检验系统(OWIS)确定位置；其中所述组的所述可疑缺陷仅为所述基板的所述可疑缺陷的一部分；针对可疑缺陷的多个排列中的可疑缺陷的每个排列，计算排列相关映射以提供多个排列关系映射；其中每个排列关系映射将所述排列的所述可疑缺陷的CPRS确定位置映射到所述排列的所述可疑缺陷的OWIS确定位置；其中可疑缺陷的每个排列由所述可疑缺陷组的子组形成；选择选定排列相关映射；确定是否使用所述选定排列相关映射来将所述基板的所述可疑缺陷的所述OWIS确定位置转换为所述基板的所述可疑缺陷的CPRS确定位置；以及当确定使用所述选定排列相关映射时，通过使用所述选定排列相关映射，将所述基板的所述可疑缺陷的所述OWIS确定位置转换为所述基板的所述可疑缺陷的CPRS确定位置。2.如权利要求1所述的方法，包括：当确定不使用所述选定排列相关映射时，增加所述组内的可疑缺陷的数量并跳转至所述确定所述组的所述CPRS位置。3.如权利要求1所述的方法，包括：确定所述选定排列相关映射的确定性水平；并且其中所述确定是否使用所述选定排列相关映射是基于所述选定排列相关映射的所述确定性水平。4.如权利要求1所述的方法，包括：针对所述多个排列相关映射中的每一个计算得分以提供多个得分；以及基于所述多个得分来选择所述选定排列。5.如权利要求4所述的方法，包括：将所述多个排列相关映射中的每一个应用于所述可疑缺陷组的OWIS确定位置，以提供所述可疑缺陷组的估计的多个CPRS确定位置；并且其中所述针对所述多个排列相关映射中的每一个计算所述得分是基于所述可疑缺陷组的所述多个CPRS确定位置。6.如权利要求1所述的方法，包括：针对可疑缺陷的所述多个排列中的可疑缺陷的每个排列，计算附加排列相关映射以提供多个附加排列相关映射。7.如权利要求6所述的方法，其中对于所述多个排列中的至少一个排列，所述排列的附加排列相关映射在复杂度方面与所述排列的所述排列相关映射不同。8.如权利要求6所述的方法，其中对于所述多个排列中的至少一个排列，所述排列的附加排列相关映射在位置误差来源的数量方面与所述排列的所述排列相关映射不同。9.如权利要求6所述的方法，包括：针对所述多个排列相关映射中的每一个计算得分以提供多个得分；针对所述附加的多个排列相关映...

【专利技术属性】
技术研发人员：O，
申请(专利权)人：应用材料以色列公司，
类型：发明
国别省市：