本实用新型专利技术公开了一种晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，该结构包括芯片，芯片背面贴合有ABF膜，在ABF膜后面粘合有一定厚度的支撑硅层，支撑硅层未经过磨片处理，芯片正面有第一压区和第二压区，在所述第一压区和第二压区正面会通过光刻、显影、溅射、电镀等工艺，形成金属走线层、薄膜介质层、金属电极和焊球凸点。本实用新型专利技术的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，通过在芯片外设有绝缘介质胶膜和支撑层，能够大大的减小芯片的翘曲度，而且由于在芯片外设有支撑硅层，支撑硅层能有效的对芯片散热，提供更好的散热需求，并可以根据客户的封装需求灵活定制封装厚度的新型封装结构；根据客户需求提供定制化的芯片封装厚度需求。度需求。度需求。
【技术实现步骤摘要】
晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构
[0001]本技术涉及晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，属于半导体领域。
技术介绍
[0002]晶圆级芯片封装WLP(wafer level package)和平板级芯片封装PLP(panel level package)，具有高产出、密集引脚、可重新布线(RDL)外扩引脚、小型化、薄型化、可靠性高等优点。
[0003]芯片含有线路的一面，称为正面，通过重新布线(RDL)、植球(Bumping)等工艺实现连接和保护的功能；所对应的不含有线路称为背面。在WLP和PLP的一部分结构中，为了避免裸芯片出现机械划伤、碰撞缺损、光电效应干扰等问题，以及为了更清晰地进行激光打码，需要在芯片背面即裸晶面添加一层胶层，简称背胶层，以取代传统封装中的塑封料的作用。但此层保护结构机械强度不足，无法起到保护封装结构的作用，与此同时WLP和PLP封装结构多有散热性问题。
技术实现思路
[0004]专利技术目的：为了克服现有技术中存在的不足，本技术提供一种晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，作业过程中有效解决圆片翘曲度问题，提供更好的机械强度支撑的封装工艺方法，在单颗芯片封装结构中提供背面保护，提供更好的散热需求，并可以根据客户的封装需求灵活定制封装厚度的新型封装结构。
[0005]技术方案：为解决上述技术问题，本技术的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，包括芯片，所述芯片正面设有第一压区和第二压区，所述芯片背面贴合有绝缘介质胶膜，在绝缘介质胶膜外粘合有支撑层，使用支撑层可有效降低重构晶圆的翘曲度。
[0006]作为优选，所述芯片正面形成金属走线层、薄膜介质层、金属电极和焊球凸点，芯片背面通过绝缘介质胶膜完全包裹。
[0007]作为优选，所述支撑层为支撑硅层。
[0008]作为优选，所述第一压区和第二压区上设有正极和负极，正极和负极分别通过金属走线层连接，两个金属走线层分别与焊球凸点连接，金属走线层和正负极通过薄膜介质层支撑。
[0009]作为优选，所述支撑层厚度为0
‑
40mm。
[0010]作为优选，所述绝缘介质胶膜包括底部和侧面，芯片位于底部和侧面形成的凹槽内，底部的厚度为0
‑
20mm。
[0011]作为优选，所述支撑层外设有金属层。
[0012]作为优选，所述金属层为Cu、Al、Ti、Ni、Ag多种金属的单层或多层结构，或为Ti/Ni/Ag叠层结构。
[0013]作为优选，所述金属层外设有背胶层。
[0014]作为优选，所述背胶层为液体环氧树脂涂布、液态或粉末态环氧树脂模压成型或
单层的环氧树脂树脂膜。
[0015]有益效果：本技术的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，通过在芯片外设有绝缘介质胶膜和支撑层，能够大大的减小芯片的翘曲度，而且由于在芯片外设有支撑硅层，支撑硅层能有效的对芯片散热，提供更好的散热需求，并可以根据客户的封装需求灵活定制封装厚度的新型封装结构；根据客户需求提供定制化的芯片封装厚度需求；产品背面有支撑硅保护，可以提供更好的散热效果，更高的机械支撑效果，更好的保护主体芯片。
附图说明
[0016]图1为来料晶圆的结构示意图。
[0017]图2为来料圆片划片槽后的结构示意图。
[0018]图3为单颗芯片的结构示意图。
[0019]图4为芯片倒装在载体圆片上的示意图。
[0020]图5为重构晶圆的示意图。
[0021]图6为设置支撑层的重构晶圆示意图。
[0022]图7为将载片圆片和临时键合膜从重构晶圆上剥离后的示意图。
[0023]图8为印刷电极后封装结构的示意图。
[0024]图9为带支撑硅的扇出芯片结构的示意图。
[0025]图10为磨除部分支撑硅的扇出芯片结构的示意图。
[0026]图11为磨除全部支撑硅的扇出芯片结构的示意图。
[0027]图12为磨除全部支撑硅和部分ABF膜的扇出芯片结构的示意图。
[0028]图13为磨除全部支撑硅和全部ABF膜的扇出芯片结构的示意图。
[0029]图14为磨除全部支撑硅、全部ABF膜4和芯片11部分背面硅的扇出芯片结构的示意图。
[0030]图15为背面支撑硅扇出多芯片封装结构的示意图。
[0031]图16为具有金属层的结构示意图。
具体实施方式
[0032]下面结合附图对本技术作更进一步的说明。
[0033]如图11所示，本专利技术一种晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，该结构包括芯片，芯片背面贴合有ABF膜4，在所述的ABF膜4后面粘合有一定厚度的支撑硅层5，支撑硅层5未经过磨片处理，芯片11正面有第一压区111和第二压区112，在所述第一压区111和第二压区112正面会通过光刻、显影、溅射、电镀等工艺，形成金属走线层61、薄膜介质层62、金属电极63和焊球凸点64，所述支撑层外设有金属层，金属层为Cu、Al、Ti、Ni、Ag多种金属的单层或多层结构，或为Ti/Ni/Ag叠层结构。所述金属层外设有背胶层，所述背胶层为液体环氧树脂涂布、液态或粉末态环氧树脂模压成型或单层的环氧树脂树脂膜，如图16所示。
[0034]参见图10，本专利技术一种硅片晶圆支撑扇出结构71，本结构包括芯片11，芯片背面贴合有ABF膜4，ABF膜4后面粘合有一定厚度的支撑硅层5，支撑硅层5经过部分磨片处理，芯片11正面有第一压区111和第二压区112，第一压区111和第二压区112正面会通过光刻、显影、
溅射、电镀等工艺，形成金属走线层61、薄膜介质层62、金属电极63和焊球凸点64。
[0035]参见图11，本专利技术一种硅片晶圆支撑扇出结构72，本结构包括芯片11，芯片背面贴合有ABF膜4，所述的ABF膜背后原有一层支撑硅层5被完全磨除，所述的芯片11正面有第一压区111和第二压区112，在第一压区111和第二压区112正面会通过光刻、显影、溅射、电镀等工艺，形成金属走线层61、薄膜介质层62、金属电极63和焊球凸点64。
[0036]参见图12，本专利技术一种硅片晶圆支撑扇出结构73，本结构包括芯片11，芯片背面贴合有ABF膜4，所述的ABF膜4经过磨片处理，所述所述的芯片11正面有第一压区111和第二压区112，在第一压区111和第二压区112正面会通过光刻、显影、溅射、电镀等工艺，形成金属走线层61、薄膜介质层62、金属电极63和焊球凸点64。
[0037]参见图13，本专利技术一种硅片晶圆支撑扇出结构74，本结构包括芯片11，所述的芯片11背面原有贴合的ABF膜和支撑硅被完全磨除，所述所述的芯片11正面有压区111和压区112，在所述的压区111和压区112正面会通过光刻、显影、溅射、电镀等工艺，形成金属走线层61、薄膜介质层62、金属电极63和焊球凸点64。
[0038]参见图14，本专利技术一种硅片晶圆支撑扇出本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，包括芯片，所述芯片正面设有第一压区和第二压区，其特征在于：所述芯片背面贴合有绝缘介质胶膜，在绝缘介质胶膜外粘合有支撑层。2.根据权利要求1所述的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，其特征在于：所述芯片正面形成金属走线层、薄膜介质层、金属电极和焊球凸点，芯片背面通过绝缘介质胶膜完全包裹。3.根据权利要求2所述的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，其特征在于：所述支撑层为支撑硅层。4.根据权利要求2所述的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，其特征在于：所述第一压区和第二压区上设有正极和负极，正极和负极分别通过金属走线层连接，两个金属走线层分别与焊球凸点连接，金属走线层和正负极通过薄膜介质层支撑。5.根据权利要求3或4所述的晶圆级嵌入式硅片晶圆支撑扇出封装结构，其特征在于：所述支撑层厚度为0
...
【专利技术属性】
技术研发人员：王赛，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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