笔记本电脑电池保护电路封装件及其制造方法技术

根据本发明专利技术的一观点的笔记本电脑电池保护电路封装件，包括：封装基板；电量计集成电路模块，其安装在所述封装基板上；保护集成电路模块，其安装所述封装基板上；充电/放电晶体管模块，其安装所述封装基板上；以及模塑部，其形成于所述封装基板上用于将所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块封装为一体。电晶体管模块封装为一体。电晶体管模块封装为一体。

【技术实现步骤摘要】
笔记本电脑电池保护电路封装件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及电池控制装置，更具体地，涉及一种笔记本电脑电池保护电路封装件及其制造方法。

技术介绍

[0002]通常在手机、PDA、智能手表(smart watch)、笔记本电脑等电子装置中会使用电池。锂离子电池作为移动终端中最为广泛应用的电池，发生过充电、过电流时会产生热量，如果持续发热导致温度上升，则不仅性能劣化，还存在爆炸的危险。因此，为了防止这种性能劣化，需要用电池保护电路来控制电池工作。
[0003]对于笔记本电脑而言，通过在印刷电路板(printed circuit board，PCB)上安装用于感知并阻断电池的过充电、过放电及过电流的保护集成电路、电量计集成电路、熔丝场效应晶体管等来构成电池控制电路。
[0004]因此，对于现有技术而言，为了控制电池，需要分别对多个集成电路进行封装并安装到印刷电路板上，这将导致电池控制电路的尺寸增加，并制约笔记本电脑的小型化及轻量化，而且发热方面也存在效率性问题。进一步地，还会制约为增加电池单元容量的空间。
[0005]【在先技术文献】
[0006]【专利文献】
[0007](专利文献1)1、韩国公开专利公报第10
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2009
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0117315号(2009年11月12日)
[0008](专利文献2)2、韩国公开专利公报号10
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2015
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0035266(2015年4月6日)

技术实现思路
<br/>[0009]【技术问题】
[0010]本专利技术是为了解决如上所述的技术问题而提出的，其目的在于提供一种可实现小型化且具有设计余量的同时又能够实现高效电池管理的笔记本电脑电池保护电路封装件及其制造方法。但是该技术问题仅为示例，并非用于限定本专利技术的范围。
[0011]【技术方案】
[0012]根据本专利技术的一观点的笔记本电脑电池保护电路封装件，包括：封装基板；电量计集成电路(FGIC)模块，其安装在所述封装基板上；保护集成电路模块，其安装所述封装基板上；充电/放电晶体管模块，其安装所述封装基板上；以及模塑部，其形成于所述封装基板上用于将所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块封装为一体。
[0013]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件，所述封装基板可包括具有裸片安装部和输入/输出端子部的引线框架，所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块安装在所述引线框架的所述裸片安装部上，所述模塑部露出所述输入/输出端子部的至少一部分。
[0014]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件，所述电量计集成电路模块可包括形成
有电量计集成电路元件的第一晶圆，所述保护集成电路模块可包括形成有保护集成电路元件的第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
[0015]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件，所述充电/放电晶体管模块可包括形成有至少一个充电/放电场效应晶体管的第三晶圆，所述第三晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
[0016]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件，所述第三晶圆可直接安装在所述封装基板上，所述第二晶圆安装在所述第三晶圆上。
[0017]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件，还可包括安装在所述封装基板上的熔丝晶体管，所述模塑部还封装有所述熔丝晶体管，所述熔丝晶体管包括形成有至少一个熔丝场效应晶体管的第四晶圆，所述第四晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
[0018]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件，还可包括安装在所述封装基板上的二极管模块，所述模塑部还封装有所述二极管模块，所述二极管模块可包括形成有至少一个二极管的第五晶圆，所述第五晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
[0019]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件，还可包括安装在所述封装基板上的至少一个无源元件，所述模塑部还可封装所述无源元件。
[0020]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件，还可包括连接在所述封装基板的一侧且从所述模塑部露出的连接器。
[0021]根据本专利技术的另一观点，可提供一种笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，包括：在封装基板上安装电量计集成电路模块的步骤；在所述封装基板上安装保护集成电路模块的步骤；在所述封装基板上安装充电/放电晶体管模块的步骤；以及在所述封装基板上形成模塑部以使所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块封装为一体的步骤。
[0022]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，所述封装基板可包括具有裸片安装部和输入/输出端子部的引线框架，所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块安装在所述引线框架的所述裸片安装部上，在所述模塑部的形成骤中，所述输入/输出端子部的至少一部分从所述模塑部露出。
[0023]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，所述电量计集成电路模块可包括形成有电量计集成电路元件的第一晶圆，所述保护集成电路模块包括形成有保护集成电路元件的第二晶圆，在所述电量计集成电路模块的安装步骤和所述保护集成电路模块的安装步骤中，所述第一晶圆和所述第二晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
[0024]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，所述充电/放电晶体管模块可包括形成有至少一个充电/放电场效应晶体管的第三晶圆，在所述充电/放电晶体管模块的安装步骤中，所述第三晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
[0025]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，所述第三晶圆可直接安装在所述封装基板上，所述第二晶圆安装在所述第三晶圆上。
[0026]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，还可包括在所述封装基板上安装熔丝晶体管的步骤，在所述模塑部的形成步骤中，所述模塑部还封装所述熔丝晶体管，所述熔丝晶体管包括形成有至少一个熔丝场效应晶体管的第四晶圆，在所述熔丝晶体管的安装步骤中，所述第四晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
[0027]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，还可包括在所述封装基板上安装二极管模块的步骤，所述模塑部还封装有所述二极管模块，所述二极管模块包括形成有至少一个二极管的第五晶圆，在所述二极管模块的安装步骤中，所述第五晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
[0028]根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，还可包括在所述封装基板上安装至少一个无源元件的步骤，所述模塑部还封装所述无源元件。
[0029]【有益效果】
[0030]根据如上所述本专利技术的一些实施例，能够提供一种可实现小型化且能够确保设计余量的笔记本电脑电池保护电路封装件及其制造方法。当然这些效果并不会限制本专利技术的范围。
附图说明
[0031]图1是根据本专利技术一实施例的电池保护电路封装件的概略剖面图。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种笔记本电脑电池保护电路封装件，包括：封装基板；电量计集成电路模块，其安装在所述封装基板上；保护集成电路模块，其安装所述封装基板上；充电/放电晶体管模块，其安装所述封装基板上；以及模塑部，其形成于所述封装基板上用于将所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块封装为一体。2.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，所述封装基板包括具有裸片安装部和输入/输出端子部的引线框架，所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块安装在所述引线框架的所述模具安装部上，所述模塑部露出所述输入/输出端子部的至少一部分。3.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，所述电量计集成电路模块包括形成有电量计集成电路元件的第一晶圆，所述保护集成电路模块包括形成有保护集成电路元件的第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆以晶圆级安装在所述封装基板上。4.如权利要求3所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，所述充电/放电晶体管模块包括形成有至少一个充电/放电场效应晶体管的第三晶圆，所述第三晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。5.如权利要求4所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，所述第三晶圆直接安装在所述封装基板上，所述第二晶圆安装在所述第三晶圆上。6.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，还包括安装在所述封装基板上的熔丝晶体管，所述模塑部还封装有所述熔丝晶体管，所述熔丝晶体管包括形成有至少一个熔丝场效应晶体管的第四晶圆，所述第四晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。7.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，还包括安装在所述封装基板上的二极管模块，所述模塑部还封装有所述二极管模块，所述二极管模块包括形成有至少一个二极管的第五晶圆，所述第五晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。8.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，还包括安装在所述封装基板上的至少一个无源元件，所述模塑部还封装有所述无源元件。9.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件，其中，还包括连接在所述封装基板的一侧且从所述模塑部露出的连接器。10.一种笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法，包括：在封装基板上安装电量计集成电路模块的步骤；在所述封装基板上安装保护集...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗赫辉，黄镐石，具兹根，宋致善，郑成焕，崔玹寿，
申请(专利权)人：ITM半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：