从存储器单元检索数据的自适应迭代读取校准制造技术

本申请涉及从存储器单元检索数据的自适应迭代读取校准。一种被配置成迭代校准读取电压的存储器子系统，其中基于较低读取电压的校准结果来校准较高读取电压。举例来说，存储器装置初始确定存储器单元群组的第一读取电压。所述存储器装置根据基于所述第一读取电压中的至少一个测得的第一信号和噪声特性计算经优化以读取所述存储器单元群组的第二读取电压。基于所述第二读取电压相对于所述第一读取电压当中的相应电压的偏移来估计第三读取电压；基于所述第三读取电压测量所述存储器单元群组的第二信号和噪声特性。所述存储器装置接着根据所述第二信号和噪声特性计算经优化以读取所述存储器单元群组的第四读取电压。读取所述存储器单元群组的第四读取电压。读取所述存储器单元群组的第四读取电压。

【技术实现步骤摘要】
从存储器单元检索数据的自适应迭代读取校准


[0001]本文中所公开的至少一些实施例大体上涉及存储器系统，且更明确地说涉及(但不限于)具有用于从集成电路存储器装置中的存储器单元读取数据的自适应迭代校准的存储器系统。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]在一个方面中，本申请提供一种方法，所述方法包括：确定存储器装置中的存储器单元群组的第一读取电压；基于所述第一读取电压中的至少一个测量所述存储器单元群组的第一信号和噪声特性；根据所述第一信号和噪声特性计算经优化以读取所述存储器单元群组的第二读取电压；基于所述第二读取电压相对于所述第一读取电压当中的相应电压的偏移来估计第三读取电压；基于所述第三读取电压测量所述存储器单元群组的第二信号和噪声特性；以及根据所述第二信号和噪声特性计算经优化以读取所述存储器单元群组的第四读取电压。
[0004]在另一方面中，本申请提供一种存储器子系统，所述存储器子系统包括：处理装置；以及至少一个存储器装置，所述存储器装置具有：形成于集成电路裸片上的存储器单元群组；以及校准电路，其被配置成测量所述存储器装置中的存储器单元的信号和噪声特性；其中响应于来自所述处理装置的命令，所述校准电路被配置成迭代地校准所述存储器单元群组的多个读取电压；其中基于经由测量所述存储器单元群组的信号和噪声特性确定的读取电压的经校准子集来校准高于所述多个读取电压中的至少一个的所述读取电压当中的每一相应读取电压。
[0005]在又一方面中，本申请提供一种存储器装置，所述存储器装置包括：多个存储器单元群组，其形成于集成电路裸片上；以及校准电路，其被配置成测量所述存储器装置中的存储器单元的信号和噪声特性；其中响应于在所述存储器装置中接收的读取命令，所述校准电路被配置成迭代地校准所述存储器单元群组的多个读取电压；其中所述校准电路被配置成基于所述多个读取电压中的至少一个的至少一个经校准读取电压校准高于所述多个读取电压中的所述至少一个的所述多个读取电压当中的每一相应读取电压；其中所述校准电路被配置成计算对应于待校准的相应读取电压的经校准读取电压，方式是通过在所述经校准读取电压的估计值附近的测试电压下测量所述存储器单元群组的信号和噪声特性；且其中所述校准电路被配置成基于所述至少一个经校准读取电压和所述多个读取电压中的所述至少一个之间的至少一个偏移来确定相对于待校准的所述相应读取电压的经估计偏移，所述经校准读取电压的估计在距待校准的所述相应读取电压所述经估计偏移处。
附图说明
[0006]借助于实例而非限制在附图的各图中示出实施例，在附图中相似参考指示类似元件。
[0007]图1示出根据本公开的一些实施例具有存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2示出根据一个实施例具有被配置成测量信号和噪声特性的校准电路的集成电路存储器装置。
[0009]图3展示根据一个实施例测量信号和噪声特性以改进存储器操作的实例。
[0010]图4
‑
7示出根据一个实施例的读取命令的执行期间的自适应迭代读取校准。
[0011]图8展示根据一个实施例的读取校准的方法。
[0012]图9是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0013]本公开的至少一些方面是针对一种存储器子系统，其具有校准管理器，所述校准管理器被配置成自适应地校准用于读取存储器单元群组的多个经优化读取电压。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如，存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供数据以存储于存储器子系统处，且可请求从存储器子系统检索数据。
[0014]集成电路存储器单元(例如，快闪存储器单元)可在阈值电压下被编程为借助于其状态来存储数据。举例来说，如果存储器单元在阈值电压下被配置/编程在允许大量电流通过存储器单元的状态中，则存储器单元正存储位一；且否则，存储器单元正存储位零。此外，存储器单元可通过在多个阈值电压下以不同方式被配置/编程而存储多个数据位。举例来说，存储器单元可通过在多个阈值电压下具有状态的组合而存储多个数据位；且可解译阈值电压下存储器单元的状态的不同组合以表示存储于存储器单元中的数据位的不同状态。
[0015]然而，在使用写入操作配置/编程集成电路存储器单元的状态以将数据存储在存储器单元中之后，用于读取存储器单元的经优化阈值电压可归因于例如电荷损失、读取干扰、交叉温度效应(例如，不同操作温度下的写入和读取)等若干因素而移位，尤其是在存储器单元被编程为存储多个数据位时。
[0016]一直使用常规校准电路系统来自行校准存储器区，方式是施加读取电平信号以考虑存储器区内的存储器单元的阈值电压的移位。在校准期间，校准电路系统被配置成将不同测试信号施加到存储器区以对针对测试信号输出指定数据状态的存储器单元的数目进行计数。基于所述计数，校准电路系统确定读取电平偏移值作为对校准命令的响应。
[0017]可在用于读取存储器单元的经优化信号的预期位置附近生成测试信号。然而，当经优化信号的预期位置的初始估计距经优化信号的实际位置太远时，测试信号可不在经优化信号的位置附近。因此，基于此些测试信号(基于经优化信号的预期/所估计位置而确定)执行的校准可能以较差精确度识别经优化信号，或无法识别经优化信号。
[0018]本公开的至少一些方面通过基于用于读取被编程为使用多个读取电压读取的存储器单元群组的较低经优化读取电压的校准自适应地和/或迭代地改进较高经优化读取电压的位置的估计，来解决上述缺陷和其它缺陷。
[0019]举例来说，被编程为存储多个数据位的存储器单元将使用多个读取电压读取以确定所述读取电压下存储器单元的状态和(因此)存储于存储器单元中的多个位。用于读取多个状态的经优化读取电压可归因于例如快速电荷损失(QCL)、存储电荷损失(SCL)等数据保持效应和/或其它效应而移位。在一时间周期内，经优化读取电压可在相同方向上(例如，朝向较低电压，或朝向较高电压)移位。一般来说，不同的经优化读取电压可移位不同的量，其中经优化读取电压中的较高经优化读取电压可比经优化读取电压中的较低经优化读取电压移位得更多。
[0020]预测模型可用于基于一或多个较低经优化读取电压的移位预测较高经优化读取电压的移位。因此，一旦经由校准确定较低经优化读取电压，则可预测/估计高于较低经优化读取电压的经优化读取电压的移位以校正较高经优化读取电压的预期位置的初始估计。使用经校正的估计，可执行针对较高经优化读取电压的校准以按改进的精确度识别经优化读取电压和/或避免校准中的故障。
[0021]图1示出根据本公开的一些实施例包含存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：确定存储器装置中的存储器单元群组的第一读取电压；基于所述第一读取电压中的至少一个测量所述存储器单元群组的第一信号和噪声特性；根据所述第一信号和噪声特性计算经优化以读取所述存储器单元群组的第二读取电压；基于所述第二读取电压相对于所述第一读取电压当中的相应电压的偏移来估计第三读取电压；基于所述第三读取电压测量所述存储器单元群组的第二信号和噪声特性；以及根据所述第二信号和噪声特性计算经优化以读取所述存储器单元群组的第四读取电压。2.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述第一读取电压当中的另一电压和所述偏移来估计所述第三读取电压。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二信号和噪声特性的所述测量包含：基于所述第三读取电压确定测试电压；以及读取所述测试电压下的所述存储器单元的所述群组的状态。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二信号和噪声特性包含当所述测试电压被施加以读取所述群组中的所述存储器单元时具有预定状态的所述群组中的存储器单元的计数。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二信号和噪声特性包含所述计数之间的差异。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第四读取电压被计算为在所述差异的分布的局部最小值处。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一读取电压当中的所述另一电压高于所述第一读取电压当中的针对所述第二读取电压的相应电压。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一读取电压包含电压不高于针对所述第二读取电压的所述相应电压的第一子集；且所述方法进一步包括：经由测量所述存储器单元群组的信号和噪声特性来确定对应于所述第一子集中的电压的经优化读取电压，所述经优化读取电压包含所述第二读取电压；分别计算所述经优化读取电压和所述第一子集中的所述电压之间的偏移；以及分别基于所述经优化读取电压和所述第一子集中的所述电压之间的所述偏移估计相对于所述第一读取电压当中的所述另一电压的偏移。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述经优化读取电压的所述确定和经优化以读取所述存储器单元群组的所述第四读取电压的计算是响应于从存储器子系统的控制器到所述存储器装置的读取命令。10.一种存储器子系统，其包括：处理装置；以及至少一个存储器装置，所述存储器装置具有：形成于集成电路裸片上的存储器单元群组；以及
校准电路，其被配置成测量所述存储器装置中的存储器单元的信号和噪声特性；其中响应于来自所述处理装置的命令，所述校准电路被配置成迭代地校准所述存储器单元群组的多个读取电压；其中基于经由测量所述存储器单元群组的信号和噪声特性确定的读取电压的经校准子集来校准高于所述多个读取电压中的至少一个的所述读取电压当中的每一相应读取电压。11.根据权利要求10所述的存储器子系统，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：