本实用新型专利技术公开了用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路及测试装置，属于半导体电器件测试技术领域，其具体包括RSW测试电路具体包括主机、信号发生器、多继电器板、电压上浮电路、多工位电路板、工位开关和控制开关，信号发生器、多继电器板和电压上浮电路均与主机电连接，信号发生器与电压上浮电路并联连接，电压上浮电路的K接口与多继电器板的K接口并联连接，多继电器板与信号发生器电连接，所述主机、信号发生器、多继电器板、电压上浮电路均通过控制开关与电源连接，多工位电路板通过工位开关与多继电器板连接，多工位电路板上的每个测试工位对应一个工位开关。试工位对应一个工位开关。试工位对应一个工位开关。
【技术实现步骤摘要】
用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路及测试装置
[0001]本技术属于半导体电器件测试
，具体为用于MOSFET动态参数测试的RSW 测试电路及测试装置。
技术介绍
[0002]MOSFET是金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管，其广泛应用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，是容量最大、需求增长最快的电子器件，同时也是最好的功率开关器件，MOSFET 在出厂前需要对其动态参数进行检测，判断其是否在某个部位存在问题，继而判断其是否存在质量问题。目前，市场上销售的MOSFET测试装置类型较多，但是其大都存在以下几个缺陷：
[0003]1、在测试的过程中，是单个测试的，测试效率低。
[0004]2、在测量的过程中容易出现偏差，导致无法准确找出故障的问题，测试精度低。
[0005]3、其上的测试电路器件不能分立测试。
技术实现思路
[0006]针对上述现有的MOSFET测试装置基本都是单个测试的，测试效率低，本技术提出了用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路及测试装置，其具体技术方案如下：
[0007]用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路，包括主机、信号发生器、多继电器板、电压上浮电路、多工位电路板、工位开关和控制开关，所述主机上设置有控制板，所述信号发生器、多继电器板和电压上浮电路均与主机上的控制板电连接，所述信号发生器与电压上浮电路并联连接，所述电压上浮电路的K接口与多继电器板的K接口并联连接，所述多继电器板与信号发生器连接，所述主机、信号发生器、多继电器板、电压上浮电路均通过控制开关 (5)与电源连接，所述多工位电路板通过工位开关与多继电器板连接，所述多工位电路板上的每个测试工位对应一个工位开关。
[0008]进一步限定，所述用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路还包括显示灯组，所述显示灯组与多继电器板电连接。
[0009]进一步限定，包括测试箱体以及用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路，所述测试箱体包括上部测试腔和下部控制腔，所述上部测试腔设置在下部控制腔上方，所述用于 MOSFET动态参数测试的RSW测试电路上的主机、信号发生器、多继电器板和电压上浮电路安装在下部控制腔内。
[0010]进一步限定，所述上部测试腔包括测试腔Ⅰ和测试腔Ⅱ，所述测试腔Ⅰ和测试腔Ⅱ并列设置，所述显示灯组包括显示灯组Ⅰ和显示灯组Ⅱ，所述显示灯组Ⅰ与测试腔Ⅰ连接，所述显示灯组Ⅱ与测试腔Ⅱ连接。
[0011]进一步限定，所述测试腔Ⅰ和测试腔Ⅱ内均设置有MOSFET测试板，所述MOSFET测试板上设置有多个测试工位，所述多个测试工位与多工位电路板连接。
[0012]进一步限定，所述用于MOSFET动态参数测试的RSW测试装置还包括搁置板，所述搁
置板安装在测试箱体上，所述搁置板设置在上部测试腔和下部控制腔之间。
[0013]进一步限定，所述控制开关安装在测试箱体的上部。
[0014]与现有相比，本技术的有益效果在于：
[0015]1、本技术用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路，其上设置有主机、信号发生器、多继电器板、电压上浮电路、多工位电路板、工位开关和控制开关，信号发生器、多继电器板和电压上浮电路均与主机电连接，信号发生器与电压上浮电路并联连接，电压上浮电路的K接口与多继电器板的K接口并联连接，多继电器板与信号发生器电连接，主机、信号发生器、多继电器板、电压上浮电路均通过控制开关与电源连接，多工位电路板通过工位开关与多继电器板连接，多工位电路板上的每个测试工位对应一个工位开关。通过多工位电路板可以一次性对多个MOSFET进行测试，提高了MOSFET的检测效率。在主机内设置有控制板，该主控板可以进行同等电压电流监控，并有数据对干扰做出处理和修正，精度可达PA 级；该测试电路以匹配不同的测试机柜，适配市场上常见的80％标准机柜。
[0016]2、RSW测试电路的测试电路上设置有显示灯组，显示灯组通过多继电器板控制，可以对不合格的MOSFET进行指示、区别警报，即通过多继电器板控制通路的开通关断，通过设备通断路电流的变化，给出信号，从而控制显示灯。
[0017]3、本技术用于MOSFET动态参数测试的RSW测试装置，其包括测试箱体以及用于 MOSFET动态参数测试的RSW测试电路，测试箱体包括上部测试腔和下部控制腔，用于 MOSFET动态参数测试的RSW测试电路上的主机、信号发生器、多继电器板和电压上浮电路安装在下部控制腔内，上部测试腔包括测试腔Ⅰ和测试腔Ⅱ，测试腔Ⅰ和测试腔Ⅱ并列设置，通过转换工位开关，可实现测试腔Ⅰ和测试腔Ⅱ可以分区工作，在测试腔Ⅰ测试时，可更换测试腔Ⅱ的MOSFET器件；在测试腔Ⅱ测试时，可更换测试腔Ⅰ的MOSFET器件。
[0018]4、测试腔Ⅰ和测试腔Ⅱ内均设置有MOSFET测试板，MOSFET测试板上设置有多个测试工位，多个测试工位与多工位电路板连接，即一个MOSFET测试板可以同时测试多个MOSFET 器件，测试效率大大提高。
[0019]5、搁置板安装在测试箱体上，搁置板设置在上部测试腔下方，搁置板上用于放置MOSFET 测试板，方便MOSFET器件的安装和拆卸。
附图说明
[0020]图1为RSW测试电路的连接示意图；
[0021]图2为RSW测试装置的结构示意图；
[0022]图3为RSW测试装置上测试腔1与测试腔2的工作示意图；
[0023]其中，1
‑
测试箱体，2
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搁置板，3
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测试腔Ⅱ，4
‑
显示灯组Ⅱ，5
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控制开关，6
‑
显示灯组Ⅰ， 7
‑
测试腔Ⅰ。
具体实施方式
[0024]下面结合附图及实施例对本技术的技术方案进行进一步的解释说明，但本技术并不限于以下说明的实施方式。
[0025]本技术用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路，包括主机、信号发生器、多继电器板、电压上浮电路、多工位电路板、工位开关和控制开关5，主机上设置有控制板，信
号发生器、多继电器板和电压上浮电路均与主机上的控制板电连接，信号发生器与电压上浮电路并联连接，电压上浮电路的K接口与多继电器板的K接口并联连接，多继电器板与信号发生器连接，主机、信号发生器、多继电器板、电压上浮电路均通过控制开关5与电源连接，多工位电路板通过工位开关与多继电器板连接，多工位电路板上的每个测试工位对应一个工位开关。
[0026]上述用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路还包括显示灯组，显示灯组与多继电器板电连接。
[0027]用于MOSFET动态参数测试的RSW测试装置，穷包括测试箱体1以及上述用于MOSFET 动态参数测试的RSW测试电路，测试箱体1包括上部测试腔和下部控制腔，上部测试腔设置在下部控制腔上方，用于MOS本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路，其特征在于，包括主机、信号发生器、多继电器板、电压上浮电路、多工位电路板、工位开关和控制开关(5)，所述主机上设置有控制板，所述信号发生器、多继电器板和电压上浮电路均与主机上的控制板电连接，所述信号发生器与电压上浮电路并联连接，所述电压上浮电路的K接口与多继电器板的K接口并联连接，所述多继电器板与信号发生器连接，所述主机、信号发生器、多继电器板、电压上浮电路均通过控制开关(5)与电源连接，所述多工位电路板通过工位开关与多继电器板连接，所述多工位电路板上的每个测试工位对应一个工位开关。2.如权利要求1所述的用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路，其特征在于，所述用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路还包括显示灯组，所述显示灯组与多继电器板电连接。3.用于MOSFET动态参数测试的RSW测试装置，其特征在于，包括测试箱体(1)以及权利要求2所述的用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路，所述测试箱体(1)包括上部测试腔和下部控制腔，所述上部测试腔设置在下部控制腔上方，所述用于MOSFET动态...
【专利技术属性】
技术研发人员：安浩，
申请(专利权)人：陕西开尔文测控技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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