本实用新型专利技术公开了一种高功率半导体激光器，包括由内壳体和外壳体组成的空腔，外壳体上开设有流水口，流水口上连接有密封盖，内壳体内设有正极连接板和负极连接板，正极连接板和负极连接板之间设有绝缘降温板，正极连接板和负极连接板之间设有激光芯片组，激光芯片组包括若干个排列设置的激光芯片，相邻激光芯片之间设有间隔片，正极连接板与最左侧的激光芯片连接，负极连接板与最右侧的激光芯片连接，外壳体的上端连接有左连接板和右连接板，左连接板和右连接板连接，正极连接板连接有正极柱，负极连接板连接有负极柱，正极柱和负极柱均伸出的外壳体。本实用新型专利技术具有结构简单，散热性能好的优点，本实用新型专利技术的激光器检修方便。便。便。
【技术实现步骤摘要】
一种高功率半导体激光器
[0001]本技术属于激光器
，具体是一种高功率半导体激光器。
技术介绍
[0002]半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。随着半导体激光器输出功率、电光转换效率、可靠性和性能稳定性的不断提高、半导体激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面的应用更加广泛，市场需求巨大，发展前景更加广阔，半导体激光器的性能不仅仅受到芯片性能的制约，同时也受散热性能的影响，在半导体激光器内热量堆积温度升高后，对于半导体激光器的出光情况会产生严重影响。
[0003]针对现有技术的缺点，目前尚没有解决方案。
技术实现思路
[0004]针对相关技术中的上述技术问题，本技术提出一种高功率半导体激光器，能够克服现有技术的上述不足。
[0005]为实现上述技术目的，本技术的技术方案是这样实现的：
[0006]一种高功率半导体激光器，包括由内壳体和外壳体组成的空腔，所述空腔内填充有冷却水，所述外壳体上开设有流水口，所述流水口上连接有密封盖，所述内壳体内设有正极连接板和负极连接板，所述正极连接板和负极连接板之间设有绝缘降温板，所述绝缘降温板穿过所述内壳体伸入所述空腔内，所述正极连接板和负极连接板之间设有激光芯片组，所述激光芯片组包括若干个排列设置的激光芯片，相邻所述激光芯片之间设有间隔片，所述正极连接板与最左侧的激光芯片连接，所述负极连接板与最右侧的激光芯片连接，所述外壳体的上端连接有左连接板和右连接板，所述左连接板和右连接板连接，所述正极连接板连接有正极柱，所述负极连接板连接有负极柱，所述正极柱和负极柱均伸出所述的外壳体。
[0007]进一步的：所述左连接板上连接有连接环，所述右连接板的左端连接有与所述连接环配合的挂环片，且所述左连接板和右连接板均与所述外壳体转动连接。
[0008]进一步的：所述绝缘降温板和所述内壳体之间设有密封圈；所述空腔上设有供所述正极柱和负极柱穿出的穿孔，所述正极柱和穿孔之间、负极柱和穿孔之间均设有绝缘套一，所述正极柱和负极柱上均套设有绝缘套二。
[0009]进一步的：所述绝缘降温板包括绝缘横块，所述绝缘横块的下端连接有绝缘竖板，所述负极连接板和正极连接板上均设有绝缘横块安装槽。
[0010]进一步的：所述绝缘横块安装槽上方的正极连接板中部开设有激光芯片组安装槽，所述绝缘横块安装槽上方的正极连接板的前后侧连接有绝缘材料层。
[0011]进一步的：所述绝缘横块安装槽上方的负极连接板中部开设有激光芯片组安装槽，所述绝缘横块安装槽上方的负极连接板的前后侧连接有绝缘材料层。
[0012]本技术公开了一种高功率半导体激光器，具有结构简单，散热性能好的优点，本技术的激光器检修方便。
附图说明
[0013]图1是本技术一种高功率半导体激光器的结构示意图；
[0014]图2是本技术正极连接板的结构示意图；
[0015]附图标记为：密封盖1、绝缘竖板2、绝缘横块3、负极连接板4、激光芯片5、右连接板6、连接环7、左连接板8、间隔片9、空腔10、正极连接板11、激光芯片组安装槽12、绝缘材料层13、绝缘套二14、正极柱15、外壳体16、内壳体17、绝缘降温板18、绝缘横块安装槽19。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]一种高功率半导体激光器，如图1
‑
2所示，包括由内壳体17和外壳体16组成的空腔10，所述空腔10内填充有冷却水，所述外壳体16上开设有流水口，所述流水口上连接有密封盖1，通过向流水口注入冷却水可以用于冷却内部的激光芯片组或者在长时间不用时，将内部的冷却水倒出。
[0018]内壳体17内设有正极连接板11和负极连接板4，所述正极连接板11和负极连接板3之间设有绝缘降温板18，所述绝缘降温板18穿过所述内壳体17伸入所述空腔10内，绝缘降温板伸入空腔内可以实现冷却水通过绝缘降温板与内部的激光芯片组之间的热传递，从而通过冷却水和绝缘降温板能够更好地降低激光芯片组的温度。
[0019]所述正极连接板11和负极连接板4之间设有激光芯片组，所述激光芯片组包括若干个排列设置的激光芯片5，相邻所述激光芯片5之间设有间隔片9，所述正极连接板11与最左侧的激光芯片5连接，所述负极连接板4与最右侧的激光芯片5连接，所述外壳体16的上端连接有左连接板8和右连接板6，所述左连接板8和右连接板6连接，所述正极连接板11连接有正极柱15，所述负极连接板4连接有负极柱，所述正极柱15和负极柱均伸出所述的外壳体16。外壳体上连接左连接板和右连接板，通过左连接板和右连接板可以将激光芯片组及正极连接板和负极连接板所在外壳体内，在需要检修时，可以很方便的打开左连接板和右连接板进行检修。还可以在左连接板的下方和右连接板的下方均设置由绝缘材料制成的绝缘板，从而能够实现正极连接板、负极连接板和外界的绝缘。
[0020]在本技术的一个具体实施例中：所述左连接板8上连接有连接环7，所述右连接板6的左端连接有与所述连接环7配合的挂环片，且所述左连接板8和右连接板6均与所述外壳体16转动连接。通过挂环片挂在连接环上可以实现将内部的激光芯片组封闭起来，再出现故障，需要检修时，只需要拉起挂环片即可打开右连接板，然后再打开左连接板即可。
[0021]在本技术的一个具体实施例中：所述绝缘降温板18和所述内壳体17之间设有密封圈；所述空腔10上设有供所述正极柱15和负极柱穿出的穿孔，所述正极柱15和穿孔之间、负极柱和穿孔之间均设有绝缘套一，所述正极柱15和负极柱上均套设有绝缘套二14。密
封圈能够防止空腔内的冷却液进入内壳体内部，对激光芯片的正常工作产生影响。绝缘套一能够实现正极柱、负极柱和外壳体之间的绝缘，绝缘套二能够将正极柱和负极柱抱起来，防止不小心触碰正极柱或者负极柱造成伤害。
[0022]在本技术的一个具体实施例中：所述绝缘降温板18包括绝缘横块3，所述绝缘横块3的下端连接有绝缘竖板2，所述负极连接板4和正极连接板11上均设有绝缘横块安装槽19。能够便于将绝缘降温板18卡在负极连接板4和正极连接板11之间，实现正极连接板和负极连接板之间的绝缘，且结构简单，便于装配。
[0023]在本技术的一个具体实施例中：所述绝缘横块安装槽19上方的正极连接板11中部开设有激光芯片组安装槽12，所述绝缘横块安装槽19上方的正极连接板11的前后侧连接有绝缘材料层13。所述绝缘横块安装槽19上方的负极连接板4中部上设有激光芯片组安装槽12，所述绝缘横块安装槽19上方的负极连接板4的前后侧连接有绝缘材料层13。能够便于将激光芯片组安装在正极连接板和负本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高功率半导体激光器，其特征在于，包括由内壳体和外壳体组成的空腔，所述空腔内填充有冷却水，所述外壳体上开设有流水口，所述流水口上连接有密封盖，所述内壳体内设有正极连接板和负极连接板，所述正极连接板和负极连接板之间设有绝缘降温板，所述绝缘降温板穿过所述内壳体伸入所述空腔内，所述正极连接板和负极连接板之间设有激光芯片组，所述激光芯片组包括若干个排列设置的激光芯片，相邻所述激光芯片之间设有间隔片，所述正极连接板与最左侧的激光芯片连接，所述负极连接板与最右侧的激光芯片连接，所述外壳体的上端连接有左连接板和右连接板，所述左连接板和右连接板连接，所述正极连接板连接有正极柱，所述负极连接板连接有负极柱，所述正极柱和负极柱均伸出所述的外壳体。2.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器，其特征在于：所述左连接板上连接有连接环，所述右连接板的左端连接有与所述连接环配合的挂环片，且所述左连接板和右连接板均与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王永春，朱兵，李巧英，韩强，陈熙东，
申请(专利权)人：镭凯光电苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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