一种半导体激光器管壳封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体激光器管壳封装结构，包括管壳体和底座，管壳体的两侧设有若干复数根引脚，底座上连接有环形连接块，环形连接块上设有与管壳体相配合的凹槽，管壳体焊接在所述凹槽内，底座上设有载体座，载体座的上端面包括若干个坡面，其中上一坡面比相邻的下一坡面高出同一高度，载体座上设有芯片，载体座的中部开设有插槽，插槽内连接有降温板，底座上设有供所述降温板伸出的开孔。能够克服现有技术中焊接的温度直接从底座散失，导致焊接效果差的缺点；另外每一个坡面上方的焊锡片融化后热量向下传递能够将该坡面下方的焊锡片融化，减少焊接过程中的热量消耗。减少焊接过程中的热量消耗。减少焊接过程中的热量消耗。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器管壳封装结构


[0001]本技术属于半导体激光器
，具体是一种半导体激光器管壳封装结构。

技术介绍

[0002]半导体激光器件通常需要芯片载体进行器件封装，封装过程需要进行光纤耦合，通过加热的方式使封装玻璃进行熔化和成型。
[0003]现有的载体结构使得热量大量流失并且影响焊锡片的成型，易导致其他部件也发生熔化的现象产生芯片移位，同时耦合时间过长容易导致器件成品率低。例如申请号为201420333300.7的中国专利中公开了芯片之间焊接在底座上，在焊接时产生的大量热量也直接通过底座被大量散失了，使得器件的耦合效果较差。
[0004]针对现有技术的缺点，目前尚没有解决方案。

技术实现思路

[0005]针对相关技术中焊接时大量的热量散失，器件的耦合效果差的技术问题，本技术提出一种半导体激光器管壳封装结构，能够克服现有技术的上述不足。
[0006]为实现上述技术目的，本技术的技术方案是这样实现的：
[0007]一种半导体激光器管壳封装结构，包括管壳体和底座，所述管壳体的两侧设有若干复数根引脚，所述底座上连接有环形连接块，所述环形连接块上设有与所述管壳体相配合的凹槽，所述管壳体焊接在所述凹槽内，所述底座上设有载体座，所述载体座的上端面包括若干个坡面，其中上一坡面比相邻的下一坡面高出同一高度，所述载体座上设有芯片，所述载体座的中部开设有插槽，所述插槽内连接有降温板，所述底座上设有供所述降温板伸出的开孔。
[0008]进一步的：每一个所述坡面上均设有焊锡片，所述载体座和所述芯片通过若干个所述焊锡片连接。
[0009]进一步的：所述载体座为直角梯形结构，所述若干个坡面均设在直角梯形的斜腰上。
[0010]进一步的：所述插槽的截面为矩形结构，且所述插槽的四个角处设有向外延伸的弯钩，所述降温板与所述插槽形状配合。
[0011]进一步的：所述降温板包括插接连接的上降温板和下降温板，所述上降温板连接有若干中间板，所述下降温板上设有供所述中间板插入的配合槽。
[0012]进一步的：所述上降温板的下端连接有环形的外插块，所述下降温板的上端连接有与所述外插块配合的内插块。
[0013]本技术公开了一种半导体激光器管壳封装结构，能够克服现有技术中焊接的温度直接从底座散失，导致焊接效果差的缺点；另外本技术每一个坡面上方的焊锡片融化后热量向下传递能够将该坡面下方的焊锡片融化，减少焊接过程中的热量消耗，且载
体座内连接的降温板能够使降低载体座的温度，避免热量大量积聚载体座上方，导致焊料重熔。
附图说明
[0014]图1是本技术一种半导体激光器管壳封装结构底座与管壳体部分的结构示意图；
[0015]图2使本技术一种半导体激光器管壳封装结构载体座部分的剖视图；
[0016]图3是本技术一种半导体激光器管壳封装结构底座的剖视图；
[0017]图4是本技术一种半导体激光器管壳封装结构的降温板的结构示意图；
[0018]图5是本技术一种半导体激光器管壳封装结构载体座的侧视图；
[0019]附图标记为：引脚1、管壳体2、底座3、芯片4、焊锡片5、载体座6、降温板7、环形连接块8、凹槽9、插槽10、弯钩槽11、上降温板12、中间板13、下降温板14、外插块15、内插块16。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]一种半导体激光器管壳封装结构，如图1
‑
5所示，包括管壳体2和底座3，所述管壳体2的两侧设有若干复数根引脚1，所述底座3上连接有环形连接块8，所述环形连接块8上设有与所述管壳体2相配合的凹槽9，所述管壳体2焊接在所述凹槽9内，所述底座3上设有载体座6，所述载体座6的上端面包括若干个坡面，其中上一坡面比相邻的下一坡面高出同一高度，所述载体座6上设有芯片4，所述载体座6的中部开设有插槽10，所述插槽10内连接有降温板7，所述底座3上设有供所述降温板7伸出的开孔，每一个所述坡面上均设有焊锡片5，所述载体座6和所述芯片4通过若干个所述焊锡片5连接；所述载体座6为直角梯形结构，所述若干个坡面均设在直角梯形的斜腰上。
[0022]本技术中载体座的上端面包括若干个坡面，且上一坡面比下一坡面高出同一高度，从而在焊接时通过高温将坡面上端的焊锡片融化后，热量顺着焊锡片向下传递，从而可以将该坡面下部的焊锡片融化，因此在通过融化焊锡片将芯片焊接在载体座上时，只需要使用高温将若干个坡面上端的焊锡片融化然后将芯片粘在融化的焊锡片上即可，一方面相比融化大片焊锡片本技术需要的温度更少，另一方面，通过余温将坡面下方的焊锡片融化可以达到降温的目的，避免高温下导致焊锡片粘上芯片后重融导致芯片位置移动。
[0023]本技术中底座和管壳体通过连接块和凹槽配合连接，具有连接方便的优点，在具体实施时，可以再凹槽内设置焊条，待焊条融化后将管壳体插入所述凹槽即可，焊缝在凹槽内，可以使外部结构更加美观。
[0024]在本技术的一个具体实施例中：如图4
‑
5所示，所述插槽10的截面为矩形结构，且所述插槽10的四个角处设有向外延伸的弯钩槽11，所述降温板7与所述插槽形状配合；所述降温板7包括插接连接的上降温板12和下降温板14，所述上降温板12连接有若干中间板13，所述下降温板14上设有供所述中间板13插入的配合槽。在该实施例中，降温板可以
方便的提高插槽和弯钩槽插入载体座内实现对载体座的降温，从而可以将芯片与载体座之间的高温提高载体座传递至降温板上，弯钩槽的设置可以使降温板上配合的弯钩距离载体座上部更近，从而更加方便的将高温通过上部的弯钩传递至降温板，载体座下部的弯钩槽设置可以便于降温板上的高温通过与下部弯钩槽配合的弯钩向下传递，从而降低载体座和芯片之间的温度。
[0025]在本技术的一个具体实施例中：所述上降温板12的下端连接有环形的外插块15，所述下降温板14的上端连接有与所述外插块15配合的内插块16。上降温板和下降温板之间的连接方式简单，只需要将两者配合在一起后插入载体座的相应插槽内即可，具有便于安装的优点。
[0026]为了方便理解本技术的上述技术方案，以下通过具体使用方式上对本技术的上述技术方案进行详细说明。
[0027]本技术一种半导体激光器管壳封装结构，在具体使用时，将管壳体焊接在底座上的凹槽内，然后再底座上设置载体座，载体座上通过焊锡片焊接芯片，载体座上设置坡面，坡面上设置楔形的焊锡片，能够减少焊接时需要的高温，并且降低载体座和芯片之间的温度；另外本技术的降温板可以根据需要选择是否使用。
[0028本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器管壳封装结构，其特征在于，包括管壳体和底座，所述管壳体的两侧设有若干复数根引脚，所述底座上连接有环形的连接块，所述环形连接块上设有与所述管壳体相配合的凹槽，所述管壳体焊接在所述凹槽内，所述底座上设有载体座，所述载体座的上端面包括若干个坡面，其中上一坡面比相邻的下一坡面高出同一高度，所述载体座上设有芯片，所述载体座的中部开设有插槽，所述插槽内连接有降温板，所述底座上设有供所述降温板伸出的开孔。2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器管壳封装结构，其特征在于：每一个所述坡面上均设有焊锡片，所述载体座和所述芯片通过若干个所述焊锡片连接。3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器管壳...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永春，朱兵，李巧英，韩强，陈熙东，
申请(专利权)人：镭凯光电苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：