氧化亚硅的生产装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种氧化亚硅的生产装置，包括真空室、原料容器、加热源、支架、析出基体，原料容器、加热源、支架、析出基体均位于真空室内，加热源设置在原料容器上或者围绕在原料容器的周围，析出基体设置在支架上，还包括将氧化亚硅从析出基体上刮下来的刮削机构，刮削机构设置于真空室内。本实用新型专利技术可避免沉积在析出基体上的氧化亚硅受到温度影响而使品质下降。

【技术实现步骤摘要】
氧化亚硅的生产装置
本技术涉及一种氧化亚硅的生产装置。
技术介绍
氧化亚硅，又名一氧化硅，是黑棕色到黄土色无定形粉末，白色立方晶体，结构为空间网状，不会自燃，不溶于水，熔点大于1702摄氏度，沸点是1880摄氏度，密度是2.13g/立方厘米。SiO是一种不稳定的硅氧化物，在空气中加热时会形成白色的二氧化硅粉末。SiO其实并不是一个纯化合物，它实际上是非晶态的纳米Si颗粒通过特殊的合成方法均匀地分散到无定形的SiO2体相中形成的一种纳米复合材料，SiO的储锂容量来自于分散在SiO2里面的纳米Si颗粒。氧化亚硅的主要用途：用于光学玻璃和半导体材料；作为精细陶瓷合成原料，如氮化硅、碳化硅精细陶瓷粉末原料；蒸发涂覆在光学仪器的金属反射镜面上作保护膜；锂离子电池的高容量负极材料。氧化亚硅的生产采用汽化沉积法，其反应式为:SiO2+Si＝2SiO。由于氧化亚硅的生产条件非常苛刻，目前国内SiO粉体的工业化生产主要是在八十年代的实验室基础上延用半导体工业高温蒸发工艺，生产设备产量小，单体生产设备单产仅为5-10公斤，生产使用加热方式，并在不活泼气体氛本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.氧化亚硅的生产装置，包括真空室(1)、原料容器(2)、加热源(3)、支架(4)、析出基体(5)，原料容器(2)、加热源(3)、支架(4)、析出基体(5)均位于真空室(1)内，加热源(3)设置在原料容器(2)上或者围绕在原料容器(2)的周围，析出基体(5)设置在支架(4)上，其特征在于，还包括将氧化亚硅从析出基体(5)上刮下来的刮削机构，刮削机构设置于真空室(1)内。/n

【技术特征摘要】
1.氧化亚硅的生产装置，包括真空室(1)、原料容器(2)、加热源(3)、支架(4)、析出基体(5)，原料容器(2)、加热源(3)、支架(4)、析出基体(5)均位于真空室(1)内，加热源(3)设置在原料容器(2)上或者围绕在原料容器(2)的周围，析出基体(5)设置在支架(4)上，其特征在于，还包括将氧化亚硅从析出基体(5)上刮下来的刮削机构，刮削机构设置于真空室(1)内。


2.根据权利要求1所述的氧化亚硅的生产装置，其特征在于，刮削机构包括：
刮刀(6)；
升降驱动机构(7)，刮刀(6)与升降驱动机构(7)连接；
第一直线驱动机构(8)，第一直线驱动机构(8)与升降驱动机构(7)连接；
第一支架(9)，第一直线驱动机构(8)与第一支架(9)连...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁正秋，许曙光，禹方甜，
申请(专利权)人：孚林常州新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32