降低复合速率的PERC电池的制作方法和PERC电池技术

技术编号:29876699 阅读:25 留言:0更新日期:2021-08-31 23:52
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种降低复合速率的PERC电池的制作方法和PERC电池。降低复合速率的PERC电池的制作方法包括:对硅基底进行制绒处理,以在制绒后的硅基底形成抛光层和被抛光层间隔的绒面层;对制绒后的硅基底进行扩散处理,以形成扩散层;对扩散后的硅基底进行刻蚀处理;对刻蚀后的硅基底进行退火处理,以形成氧化硅层;在退火后的硅基底沉积背面膜层和正面膜层;在沉积了背面膜层和正面膜层的硅基底上制作电路,电路包括电极,电极设于抛光层。如此,既能够通过绒面层降低对太阳光的反射率,又能够通过抛光层降低电极接触区域的表面复合速率,有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
降低复合速率的PERC电池的制作方法和PERC电池
本申请属于太阳能电池
,尤其涉及一种降低复合速率的PERC电池的制作方法和PERC电池。
技术介绍
相关技术中,PERC电池的光电转换效率得以大幅提高的原因,主要在于背面钝化性能的加强,有效降低了背表面的复合速率。然而,目前PERC电池的光电转换效率提升的瓶颈愈申请显,效率提升迫在眉睫。基于此,如何降低复合速率以提升PERC电池的光电转化效率,成为了亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本申请提供一种降低复合速率的PERC电池的制作方法和PERC电池,旨在解决如何降低复合速率以提升PERC电池的光电转化效率的问题。第一方面,本申请提供的降低复合速率的PERC电池的制作方法,包括:对硅基底进行制绒处理,以在制绒后的所述硅基底形成抛光层和被所述抛光层间隔的绒面层;对制绒后的所述硅基底进行扩散处理,以形成扩散层;对扩散后的所述硅基底进行刻蚀处理;对刻蚀后的所述硅基底进行退火处理,以形成氧化硅层;在退火后的硅基底沉积背面膜层和正面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低复合速率的PERC电池的制作方法,其特征在于,包括:/n对硅基底进行制绒处理,以在制绒后的所述硅基底形成抛光层和被所述抛光层间隔的绒面层;/n对制绒后的所述硅基底进行扩散处理,以形成扩散层;/n对扩散后的所述硅基底进行刻蚀处理;/n对刻蚀后的所述硅基底进行退火处理,以形成氧化硅层;/n在退火后的硅基底沉积背面膜层和正面膜层;/n在沉积了背面膜层和正面膜层的硅基底上制作电路,所述电路包括电极,所述电极设于所述抛光层。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低复合速率的PERC电池的制作方法,其特征在于,包括:
对硅基底进行制绒处理,以在制绒后的所述硅基底形成抛光层和被所述抛光层间隔的绒面层;
对制绒后的所述硅基底进行扩散处理,以形成扩散层;
对扩散后的所述硅基底进行刻蚀处理;
对刻蚀后的所述硅基底进行退火处理,以形成氧化硅层;
在退火后的硅基底沉积背面膜层和正面膜层;
在沉积了背面膜层和正面膜层的硅基底上制作电路,所述电路包括电极,所述电极设于所述抛光层。


2.根据权利要求1所述的降低复合速率的PERC电池的制作方法,其特征在于,对硅基底进行制绒处理以在制绒后的所述硅基底形成抛光层和被所述抛光层间隔的绒面层,包括:
利用制绒碱液处理硅基底,以在所述硅基底的表面形成待图形化绒面;
根据预设图形对所述待图形化绒面进行抛光处理,以形成所述绒面层和所述抛光层。


3.根据权利要求2所述的降低复合速率的PERC电池的制作方法,其特征在于,根据预设图形对所述待图形化绒面进行抛光处理以形成所述绒面层和所述抛光层,包括:
在所述待图形化绒面上覆盖耐碱抗蚀刻油墨掩膜,以覆盖所述绒面层对应的区域并露出所述抛光层对应的区域;
利用抛光碱液抛光自所述耐碱抗蚀刻油墨掩膜露出的所述待图形化绒面;
去除抛光后的所述硅基底上的所述耐碱抗蚀刻油墨掩膜。


4.根据权利要求3所述的降低复合速率的PERC电池的制作方法,其特征在于,所述待图形化绒面形成于所述硅基底的正面和背面,所述抛光层包括正面抛光层和所述背面抛光层,所述绒面层位于所述硅基底的正面,所述绒面层被所述正面抛光层间隔;在所述待图形化绒面上覆盖耐碱抗蚀刻油墨掩膜以覆盖所...

【专利技术属性】
技术研发人员:应小卡福井健次习冬勇夏吉东陈议文李贵勇陈刚
申请(专利权)人:浙江爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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