一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法技术

本发明专利技术公开了一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法，即超薄隧穿氧化层与非晶硅的生长在同一工序进行，无Q‑time时间，可减少工艺步骤，不涉及额外的上下片过程，不会增加划伤及污染风险，比氧化与非晶硅生长分开方式拥有更优异的钝化结果。

【技术实现步骤摘要】
一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法
本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法。
技术介绍
光伏发电要想成为普惠能源，必须首先实现平价上网。因此要进一步提高太阳能电池的转换效率，减少度电成本。接触区的复合损失是限制工业太阳能电池效率提升的非常重要的因素。解决这个影响因素的一种常规方式是采用局部接触，这种结构使硅基与金属电极的有效接触面积减少，未接触的区域被钝化层或者其他掩蔽层阻隔，如PERC、PERL等电池结构。然而，这种电池结构的载流子横向传输带来的欧姆损失是电池设计的关键。另一种减少接触复合的方案是采用选择性钝化接触方式，这种结构由置于硅基和金属电极之间的材料组成，有效地抑制电荷载流子通过硅表面处的缺陷重新复合，同时又起到接触的作用。由于这种钝化接触的复合损失很低，可以作为整面的钝化层，避免使用单独的钝化层和局部金属接触。选择性钝化接触结构具备简化太阳能电池制造流程和高效率的潜力。N-TOPCon电池基于选择性接触钝化理论，结构中包含超薄氧化层(电子隧穿层)和磷掺杂的多晶硅层(SiOx/do本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法，其特征是，包括以下步骤：/n(1)进舟：将完成表面抛光的硅片装入舟中，将舟推进入炉管中，进舟过程中通入N

【技术特征摘要】
1.一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法，其特征是，包括以下步骤：
(1)进舟：将完成表面抛光的硅片装入舟中，将舟推进入炉管中，进舟过程中通入N2；进舟完成后，停止通入N2，对炉管进行抽真空处理，保持真空度在100-700Torr；
(2)氧化：保持压力稳定，加热至炉管温度稳定后，通入氧气，进行SiO2生长；稳定温度范围为550-620℃，通入O2流量范围5-30slm，时间为5～30分钟；
(3)抽真空：完成氧化后，打开阀抽真空，使炉管氛围为1000mtorr以下状态；
(4)回压：通入N2回压，保持一段时间；
(5)非晶硅生长：温度压力稳定后，通入SiH4，进行非晶硅生长；稳定温度范围550-600℃，通入SiH4流量范围80～1000sccm，压力范围250～600mtorr，时间10～150分钟；
(6)通入N2，排出管内剩余SiH4；
(7)降温出舟：温度降低后，破真空后将舟从炉管中取出；
(8)卸片：将硅片从舟上取下。


2.根据权利要求1所述的一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法，其特征是，步骤(1)中，炉管内部温度为450～600℃，N2流量范围1～30slm。


3.根据权利要求1所述的一种集成隧穿氧化层的非晶硅制...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧文凯，
申请(专利权)人：普乐新能源科技徐州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32