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本发明公开了一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法，即超薄隧穿氧化层与非晶硅的生长在同一工序进行，无Q‑time时间，可减少工艺步骤，不涉及额外的上下片过程，不会增加划伤及污染风险，比氧化与非晶硅生长分开方式拥有更优异的钝化结果。...
该专利属于普乐新能源科技(徐州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过普乐新能源科技(徐州)有限公司授权不得商用。

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