一种钝化接触晶硅太阳电池制造装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种钝化接触晶硅太阳电池制造装置及方法，该装置包括依次连通的预处理腔、多个镀膜腔和出片腔，多个镀膜腔的两端均连通有过渡腔，过渡腔的两端均具有插板阀；预处理腔、镀膜腔、过渡腔和出片腔内还具有传输机构、加热机构和通气口，用于载板的传输以及温度和压强的维持；镀膜腔内具有多个线性离子喷射机构，多个线性离子喷射机构包括等离子发生器以及进气口和朝向传输机构设置的阵列喷嘴，镀膜腔内还具有多个设置在阵列喷嘴中间的惰性气体源喷射机构。本发明专利技术通过镀膜腔内间隔设置的反应等离子体阵列喷嘴和惰性气体源喷射机构，形成了连续均匀的气场结构，实现了连续高速镀膜，提高了镀膜的质量和可控性。

【技术实现步骤摘要】
一种钝化接触晶硅太阳电池制造装置及方法
本专利技术涉及太阳电池
，尤其涉及一种钝化接触晶硅太阳电池制造装置及方法。
技术介绍
太阳电池是利用半导体在吸收光照时产生光电效应从而将光能转换为电能的新型电池，而钝化接触晶硅太阳电池是指为了增加透光量、减少光损失而在硅片背面加入了钝化层的结构；对于钝化接触晶硅太阳电池来说，目前基于硅材料的电子选择性钝化接触Ag/n+poly-Si/SiOx结构，可以有效的降低电池背表面钝化区和金属区载流子复合密度，在保证良好钝化的同时，还具有很低的接触电阻率。相关技术中，一种制备钝化接触晶硅太阳电池的方法为，先用热氧化法生长氧化层，再通过化学气相沉积法沉积本征的非晶硅层，最后通过离子注入或者高温热扩散的方法形成磷掺杂多晶硅层；然而上述工艺中，热氧化法所需温度与化学气相沉积法所需温度不一致，升温、降温等待时间长，产能偏低；为了解决上述问题，相关技术中还公开了一种利用管式等离子化学气相沉积设备在电池片背面沉积二氧化硅薄膜、磷掺杂非晶碳化硅薄膜，再经过高温退火处理，使非晶碳化硅转变为微晶碳化硅；然而磷扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钝化接触晶硅太阳电池制造装置，其特征在于，包括依次连通的预处理腔、多个镀膜腔和出片腔，多个所述镀膜腔的两端均连通有过渡腔，所述过渡腔的两端均具有插板阀；/n所述预处理腔、镀膜腔、过渡腔和出片腔内还具有传输机构，所述传输机构上放置有用于承载晶硅片的载板，所述传输机构沿着从预处理腔至出片腔的方向输送所述载板；/n所述预处理腔、镀膜腔和出片腔内均具有加热机构，用以维持腔体内的温度，所述预处理腔、镀膜腔和出片腔的侧壁上均具有通气口，用以维持腔体内的压强；/n所述镀膜腔内具有多个线性离子喷射机构，多个所述线性离子喷射机构包括等离子发生器以及进气口和朝向传输机构设置的阵列喷嘴，所述阵列喷嘴用于通入...

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触晶硅太阳电池制造装置，其特征在于，包括依次连通的预处理腔、多个镀膜腔和出片腔，多个所述镀膜腔的两端均连通有过渡腔，所述过渡腔的两端均具有插板阀；
所述预处理腔、镀膜腔、过渡腔和出片腔内还具有传输机构，所述传输机构上放置有用于承载晶硅片的载板，所述传输机构沿着从预处理腔至出片腔的方向输送所述载板；
所述预处理腔、镀膜腔和出片腔内均具有加热机构，用以维持腔体内的温度，所述预处理腔、镀膜腔和出片腔的侧壁上均具有通气口，用以维持腔体内的压强；
所述镀膜腔内具有多个线性离子喷射机构，多个所述线性离子喷射机构包括等离子发生器以及进气口和朝向传输机构设置的阵列喷嘴，所述阵列喷嘴用于通入反应等离子体，所述反应等离子体与经过的载板上的晶硅片结合，以实现镀膜；
其中，所述镀膜腔内还具有多个惰性气体源喷射机构，所述惰性气体源喷射机构设置在所述阵列喷嘴中间，用于将相邻的等离子体区域分开。


2.根据权利要求1所述的钝化接触晶硅太阳电池制造装置，其特征在于，所述惰性气体源喷射机构的出气口设置为锥形结构，以提高流速将与硅片结合不强的等离子活性分子吹扫掉，实现镀膜的自饱和生长。


3.根据权利要求1所述的钝化接触晶硅太阳电池制造装置，其特征在于，在承载了硅片的所述载板行进至靠近所述过渡腔时，所述过渡腔上靠近所述载板侧的所述插板阀开启，所述载板进入至所述过渡腔内后，所述插板阀关闭。


4.根据权利要求3所述的钝化接触晶硅太阳电池制造装置，其特征在于，所述预处理腔、过渡腔和出片腔内注入的气体为氮气。


5.根据权利要求3所述的钝化接触晶硅太阳电池制造装置，其特征在于，在承载了...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁建宁，李绿洲，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32