一种太阳能电池的制作方法技术

本申请公开了一种太阳能电池的制作方法，该方法在衬底上依次形成了N个多结电池，相邻所述多结电池之间包括牺牲层，且各所述牺牲层的腐蚀速率与所述牺牲层和所述衬底之间的距离正相关，这使得在N个多结电池制备完成之后，可通过腐蚀的方式依次剥离这N个多结电池，实现在同一个衬底上以层叠方式一次性制备N个多结电池的目的，降低了多结电池的制作过程中所需的衬底数量，从而降低了多结太阳能电池的制备成本。且本申请实施例提供的太阳能电池的制作方法制备的N个多结电池的种类可以不相同，为利用同一个衬底实现多种多结电池制备提供了可能。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池的制作方法
本申请涉及半导体
，更具体地说，涉及一种太阳能电池的制作方法。
技术介绍
太阳能电池可将太阳能直接转换为电能，是一种最有效的清洁能源形式。目前的多结太阳能电池技术以其高转换效率、优良的抗辐射性能、稳定的温度特性以及易于规模化生产等优势，已全面取代传统的硅太阳能电池成为空间飞行器的主电源。但目前的多结太阳能电池的制备过程存在成本较高的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请提供了一种太阳能电池的制作方法，以实现降低多结太阳能电池的制备成本的目的。为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：一种太阳能电池的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成N个多结电池，相邻所述多结电池之间包括牺牲层，所述牺牲层的腐蚀速率与所述牺牲层和所述衬底之间的距离正相关，各所述多结电池至少包括两个子电池，N为大于1的整数。可选的，在所述衬底上形成的第N个多结电池的外延层中存在晶格失配应力，以为第N-1个形成的所述牺牲层提供张应力。可选本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上依次形成N个多结电池，相邻所述多结电池之间包括牺牲层，所述牺牲层的腐蚀速率与所述牺牲层和所述衬底之间的距离正相关，各所述多结电池至少包括两个子电池，N为大于1的整数。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上依次形成N个多结电池，相邻所述多结电池之间包括牺牲层，所述牺牲层的腐蚀速率与所述牺牲层和所述衬底之间的距离正相关，各所述多结电池至少包括两个子电池，N为大于1的整数。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成的第N个多结电池的外延层中存在晶格失配应力，以为第N-1个形成的所述牺牲层提供张应力。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上依次形成N个多结电池包括：
在所述衬底上形成倒置结构的第一多结电池；
在所述第一多结电池背离所述衬底一侧形成第一牺牲层；
在所述第一牺牲层背离所述衬底一侧形成倒置结构的第二多结电池；
在所述第二多结电池背离所述衬底一侧形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的腐蚀速率大于所述第一牺牲层的腐蚀速率；
在所述第二牺牲层背离所述衬底一侧形成倒置结构的第三多结电池。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一多结电池背离所述衬底一侧形成第一牺牲层包括：
在所述第一多结电池背离所述衬底一侧形成AlxGa1-xAs层，且x的取值由a向b渐变，其中，0<a≤b，0<b≤1；
所述在所述第二多结电池背离所述衬底一侧形成第二牺牲层包括：
在所述第二多结电池背离所述衬底一侧形成AlAs层。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述AlxGa1-xAs层的形成过程中，x的取值由b向1线性渐变，其中，0<b≤1。

【专利技术属性】
技术研发人员：朱鸿根，张策，张雷，吴真龙，武留洋，吴志明，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32