半导体元件结构以及其形成方法技术

本揭露描述一种半导体元件结构以及其形成方法。此结构包括源极区域、漏极区域，及安置在源极区域与漏极区域之间的栅电极层。栅电极层包括面向源极区域的第一表面，且此第一表面包括具有第一高度的边缘部分。栅电极层进一步包括与第一表面相对且面向漏极区域的第二表面。第二表面包括具有第二高度的边缘部分。第二高度不同于第一高度。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件结构以及其形成方法
本揭露是有关于一种半导体元件结构及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit,IC)行业已经历了指数式增长。IC材料及设计的技术进步已产生数代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(亦即，单位晶片面积的互连元件的数目)通常增大，而几何形状大小(亦即，可使用制造制程形成的最小部件(或接线))已减小。此缩小制程通常通过增大生产效率及降低相关联成本而提供了益处。此缩小亦增大了处理及制造IC的复杂性。因此，需要改良处理及制造IC。
技术实现思路
一种半导体元件结构，包括：源极区域、漏极区域以及栅电极层。栅电极层安置在源极区域与漏极区域之间。栅电极层包括面向源极区域的第一表面以及与第一表面相对且面向漏极区域的第二表面。第一表面包括具有第一高度的边缘部分。第二表面包括具有第二高度的边缘部分。第二高度不同于第一高度。一种半导体元件结构包括导电特征、第一源极/漏极区域、介电层、第二源极/漏极区域以及栅电极层。第一源极/漏极区域安本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件结构，其特征在于，包括：/n一源极区域；/n一漏极区域；以及/n一栅电极层，安置在该源极区域与该漏极区域之间，其中该栅电极层包括：/n面向该源极区域的一第一表面，其中该第一表面包括具有一第一高度的一边缘部分；以及/n与该第一表面相对且面向该漏极区域的一第二表面，其中该第二表面包括具有一第二高度的一边缘部分，其中该第二高度不同于该第一高度。/n

【技术特征摘要】
20200629 US 16/915,9301.一种半导体元件结构，其特征在于，包括：
一源极区域；
一漏极区域；以及
一栅电极层，安置在该源极区域与该漏极区域之间，其中该栅电极层包括：
面向该源极区域的一第一表面，其中该第一表面包括具有一第一高度的一边缘部分；以及
与该第一表面相对且面向该漏极区域的一第二表面，其中该第二表面包括具有一第二高度的一边缘部分，其中该第二高度不同于该第一高度。


2.根据权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，进一步包括：
一栅极介电层，与该栅电极层接触；
一或更多个半导体层，安置在该源极区域与该漏极区域之间；
一介电层，安置在该一或更多个半导体层下方；以及
一介电材料，与该栅电极层接触，其中该介电材料及该栅极介电层与该介电层的一表面接触。


3.一种半导体元件结构，其特征在于，包括：
一导电特征；
一第一源极/漏极区域，安置在该导电特征之上；
一介电层，包括与该导电特征接触的一第一表面及连接至该第一表面的一第二表面；
一第二源极/漏极区域，安置在一第一介电材料之上；以及
一栅电极层，安置在该第一源极/漏极区域与该第二源极/漏极区域之间，其中该栅电极层包括：
面向该第一源极/漏极区域的一第一表面，其中该第一表面包括一第一边缘部分；
面向该第二源极/漏极区域的一第二表面，其中该第二表面包括一第二边缘部分；
连接至该第一表面的该第一边缘部分的一第三表面，其中该第三表面位于该介电层的该第一表面所限定的一平面上方；以及
连接至该第二表面的该第二边缘部分的一第四表面，其中该第四表面位于该介电层的该第一表面所限定的该平面下方。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏焕杰，谌俊元，王培宇，庄正吉，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71