场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种场效应晶体管及其制造方法，场效应晶体管包括埋藏式栅极，埋藏式栅极在垂直于沟道长度的水平方向上包括第一端部栅极、中心栅极以及第二端部栅极；其中：第一端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积；第二端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积。本发明专利技术的场效应晶体管采用了三维立体结构代替传统平面结构，实现了对沟道的三向包裹，增大了沟道宽度的面积，在不增加有源区面积的情况下增大了沟道控制面积，提高了栅控能力，稳定了阈值电压，增大了饱和电流。

【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种场效应晶体管及其制造方法。
技术介绍
对于传统的平面MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)结构，随着MOSFET器件尺寸的缩小，短沟道效应越来越严重，栅极对沟道的控制能力逐渐减弱，严重时会导致源端与漏端极易短路，饱和电流减小，开关特性降低等问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中随着MOSFET器件尺寸的缩小，短沟道效应越来越严重，栅极对沟道的控制能力逐渐减弱，严重时会导致源端与漏端极易短路，饱和电流减小，开关特性降低等问题的缺陷，提供一种场效应晶体管及其制造方法。本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：本专利技术提供一种场效应晶体管，所述场效应晶体管包括埋藏式栅极，所述埋藏式栅极在垂直于沟道长度的水平方向上包括第一端部栅极、中心栅极以及第二端部栅极；其中：所述第一端部栅极在平行于沟道长度的竖直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括埋藏式栅极，所述埋藏式栅极在垂直于沟道长度的水平方向上包括第一端部栅极、中心栅极以及第二端部栅极；其中：/n所述第一端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于所述中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积；/n所述第二端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于所述中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积。/n

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括埋藏式栅极，所述埋藏式栅极在垂直于沟道长度的水平方向上包括第一端部栅极、中心栅极以及第二端部栅极；其中：
所述第一端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于所述中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积；
所述第二端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于所述中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积。


2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第一端部栅极和所述第二端部栅极对称分布于所述中心栅极的两端。


3.如权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，所述埋藏式栅极在垂直于沟道长度的竖直面上的截面为倒立的凹字形状。


4.如权利要求3所述的场效应晶体管，其特征在于，所述埋藏式栅极为倒立的马鞍形状。


5.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述埋藏式栅极包括栅介质层和栅电极；
所述栅介质层为高K金属层且所述栅电极为金属栅，或，所述栅介质层为栅氧层且所述栅电极为多晶硅栅。


6.如权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，
所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佑铭，何学缅，司徒道海，刘金营，吴永玉，李敏，李天慧，李剑波，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31