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本发明提供一种场效应晶体管及其制造方法，场效应晶体管包括埋藏式栅极，埋藏式栅极在垂直于沟道长度的水平方向上包括第一端部栅极、中心栅极以及第二端部栅极；其中：第一端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上...
该专利属于上海先进半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造有限公司授权不得商用。

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