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本揭露描述一种半导体元件结构以及其形成方法。此结构包括源极区域、漏极区域，及安置在源极区域与漏极区域之间的栅电极层。栅电极层包括面向源极区域的第一表面，且此第一表面包括具有第一高度的边缘部分。栅电极层进一步包括与第一表面相对且面向漏极区域的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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