位线接触结构及其形成方法、半导体结构和半导体器件技术

本公开涉及一种位线接触结构及其形成方法、半导体结构和半导体器件，包括：提供基底；基底包括衬底、在衬底中间隔排布的浅沟槽隔离结构及并排分布于衬底中的多个字线结构，且字线结构的顶部均设置有第一钝化层；在第一钝化层表面形成掩膜层，并对掩膜层进行刻蚀，以多个第一掩膜块，相邻两个第一掩膜块之间均具有第一开口，且第一开口的横向尺寸沿第一方向逐渐减少；利用第一掩膜块对衬底和字线结构进行刻蚀，以在基底中形成位线接触孔，位线接触孔的横向尺寸沿第一方向逐渐减少；在位线接触孔内沉积第一导电层，以形成位线接触结构；所述第一方向由掩膜层指向第一钝化层。通过形成方法形成的位线接触结构，可以防止在位线接触孔中形成空洞。

【技术实现步骤摘要】
位线接触结构及其形成方法、半导体结构和半导体器件
本公开涉及半导体
，尤其涉及一种位线接触结构及其形成方法、半导体结构和半导体器件。
技术介绍
目前，在半导体
中，通常形成的位线接触结构呈现竖直形状，从而导致后续在位线接触结构中沉积导电层时，会在位线接触孔中形成空洞和缝隙，进而影响位线与位线接触结构中导电层的接触，因而导致位线接触电性能异常。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种位线接触结构及其形成方法、半导体结构和半导体器件，该位线接触结构的形成方法，可以防止在位线接触孔中形成空洞，以避免位线接触时的电性能异常。本公开第一方面提供了一种位线接触结构的形成方法，包括：提供基底；所述基底包括衬底、在衬底中间隔排布的浅沟槽隔离结构及并排分布于所述衬底中的多个字线结构，且所述字线结构的顶部均设置有第一钝化层；r>在所述第一钝化层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种位线接触结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n所述基底包括衬底、在衬底中间隔排布的浅沟槽隔离结构及并排分布于所述衬底中的多个字线结构，且所述字线结构的顶部均设置有第一钝化层；/n在所述第一钝化层表面形成掩膜层，并对所述掩膜层进行刻蚀，以形成多个第一掩膜块，相邻两个所述第一掩膜块之间均具有第一开口，且所述第一开口的横向尺寸沿第一方向逐渐减少；/n利用所述第一掩膜块对所述衬底和所述字线结构进行刻蚀，以在所述基底中形成位线接触孔，所述位线接触孔的横向尺寸沿第一方向逐渐减少；/n在所述位线接触孔内沉积第一导电层，以形成所述位线接触结构；/n所述第一方向由所述掩膜层指向所述第一钝化...

【技术特征摘要】
1.一种位线接触结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
所述基底包括衬底、在衬底中间隔排布的浅沟槽隔离结构及并排分布于所述衬底中的多个字线结构，且所述字线结构的顶部均设置有第一钝化层；
在所述第一钝化层表面形成掩膜层，并对所述掩膜层进行刻蚀，以形成多个第一掩膜块，相邻两个所述第一掩膜块之间均具有第一开口，且所述第一开口的横向尺寸沿第一方向逐渐减少；
利用所述第一掩膜块对所述衬底和所述字线结构进行刻蚀，以在所述基底中形成位线接触孔，所述位线接触孔的横向尺寸沿第一方向逐渐减少；
在所述位线接触孔内沉积第一导电层，以形成所述位线接触结构；
所述第一方向由所述掩膜层指向所述第一钝化层。


2.根据权利要求1所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层表面形成掩膜层，包括；
在所述第一钝化层表面依次形成第一刻蚀层、第一阻挡层、第二刻蚀层、第二阻挡层和初始掩膜图案；
利用所述初始掩膜图案对所述第二阻挡层和所述第二刻蚀层进行刻蚀，以形成多个第二掩膜块，并使得相邻两个第二掩膜块之间具有第二开口；
在所述第二开口内沉积第二钝化层，以形成所述掩膜层。


3.根据权利要求2所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，所述对所述掩膜层进行刻蚀，以形成多个第一掩膜块，包括：
对所述第二掩膜块、所述第二钝化层和所述第一阻挡层进行刻蚀，以形成多个第三掩膜块；
利用所述第三掩膜块对所述第一刻蚀层进行刻蚀，并去除所述第三掩膜块，以形成多个所述第一掩膜块。


4.根据权利要求3所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，所述对所述第二掩膜块、所述第二钝化层和所述第一阻挡层进行刻蚀，以形成多个第三掩膜块，包括：
对所述第二掩膜块和所述第二钝化层进行刻蚀，以去除所述第二掩膜块、部分所述第二钝化层和部分所述第一阻挡层，保留的所述第二钝化层和所述第一阻挡层形成多个钝化块，多个所述钝化块的表面为锥形或椭圆形结构；
利用保留的所述钝化层对所述第一阻挡层进行刻蚀，以形成所述第三掩膜块。


5.根据权利要求4所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，对所述第二掩膜块、所述第二钝化层和所述第一阻挡层刻蚀的方式为等离子体干法刻蚀。


6.根据权利要求5所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，所述对所述第二掩膜块和所述第二钝化层进行刻蚀和部分所述第二钝化层，保留的所述第二钝化层形成多个钝化块，包括：
通入第一刻蚀气体，利用第一电极产生第一等离子体；
通过所述第一等离子体对所述第二掩膜块和所述第二钝化层进行刻蚀，去除部分所述第二掩膜块和部分所述第二钝化层；
通入第二刻蚀气体，利用第二电极产生第二等离子体，以去除剩余的所述第二掩膜块，形成多个所述钝化块；
其中，所述第一等离子体的能量大于所述第二等离子体的能量。


7.根据权利要求6所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，所述第一电极的功率为350W至500W，所述电极的频率为10MHZ至20MHZ。


8.根据权利要求6所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，所述第二电极的功率大于或等于1000W，所述第二电极的频率为30MHZ至100MHZ。


9.根据权利要求6所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，
所述第一刻蚀气体为包括氩气和氦气，其中所述氩气的流量为200sccm至300sccm,所述氦气的流量小于或等于150sccm，所述第一刻蚀气体的刻蚀时间小于或等于15s；
所述第二刻蚀气体包括氧气和氮气，其中所述氧气的流量大于或等于200sccm，所述第二刻蚀气体的刻蚀时间为5s至20s。


10.根据权利要求5所述的位线接触结构的形成方法，其特征在于，所述利用保留的所述钝化层对所述第一阻挡层进行刻蚀，以形成所述第三掩膜块，包括：
通入第三刻蚀气体，利用第三电极和第四电极同时产生第三等离子体；
通过所述第三等离子体对所述第一阻挡层进行刻蚀，以形成所述第三掩膜块；
其中，所述第三电极的频率和功率与所述第四电极的频率和功率不同，所述第三刻蚀气体为含碳和氟的气体中的一种或多种...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘浩，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34