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本公开涉及一种位线接触结构及其形成方法、半导体结构和半导体器件，包括：提供基底；基底包括衬底、在衬底中间隔排布的浅沟槽隔离结构及并排分布于衬底中的多个字线结构，且字线结构的顶部均设置有第一钝化层；在第一钝化层表面形成掩膜层，并对掩膜层进行刻...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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