集成芯片制造技术

本公开的各种实施例涉及一种集成芯片，其包含上覆于衬底的未掺杂层。第一阻挡层上覆于未掺杂层。掺杂层上覆于第一阻挡层。此外，第二阻挡层上覆于第一阻挡层，其中第二阻挡层以非零距离从掺杂层的周边横向偏移。第一阻挡层和第二阻挡层包括相同的III‑V半导体材料。第一阻挡层内的第一元素的第一原子百分比小于第二阻挡层内的第一元素的第二原子百分比。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片
本公开是涉及一种集成芯片及形成集成芯片的方法。
技术介绍
现代集成芯片包括在半导体衬底(例如硅)上形成的数百万或数十亿半导体器件。集成芯片(integratedchips，IC)可根据IC的应用而使用许多不同类型的晶体管器件。近年来，蜂窝式器件和射频(radiofrequency，RF)器件的不断增长的市场已引起高电压晶体管器件的使用显著增长。因此，相较于硅类半导体器件，高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor，HEMT)器件已由于高电子迁移率和宽带隙而受到越来越多的关注。这种高电子迁移率和宽带隙实现改进的性能(例如快速切换速度、低噪声)和高温应用。
技术实现思路
本公开实施例的一种集成芯片，包括未掺杂层、第一阻挡层、掺杂层以及第二阻挡层。未掺杂层上覆于衬底。第一阻挡层上覆于所述未掺杂层。掺杂层上覆于所述第一阻挡层。第二阻挡层上覆于所述第一阻挡层，其中所述第二阻挡层以非零距离从所述掺杂层的周边横向偏移，其中所述第一阻挡层和所述第二阻挡层包括相同的III-V半导体材料，其中所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，包括：/n未掺杂层，上覆于衬底；/n第一阻挡层，上覆于所述未掺杂层；/n掺杂层，上覆于所述第一阻挡层；以及/n第二阻挡层，上覆于所述第一阻挡层，其中所述第二阻挡层以非零距离从所述掺杂层的周边横向偏移，其中所述第一阻挡层和所述第二阻挡层包括相同的III-V半导体材料，其中所述第一阻挡层内的第一元素的第一原子百分比小于所述第二阻挡层内的所述第一元素的第二原子百分比。/n

【技术特征摘要】
20200131 US 62/968,212;20200512 US 16/872,5511.一种集成芯片，包括：
未掺杂层，上覆于衬底；
第一阻挡层，上覆于所述未掺杂层；
掺杂层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王云翔，蔡俊琳，余俊磊，陈柏智，叶佳灵，陈京玉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71