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本公开的各种实施例涉及一种集成芯片，其包含上覆于衬底的未掺杂层。第一阻挡层上覆于未掺杂层。掺杂层上覆于第一阻挡层。此外，第二阻挡层上覆于第一阻挡层，其中第二阻挡层以非零距离从掺杂层的周边横向偏移。第一阻挡层和第二阻挡层包括相同的III‑V半...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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