芯片漏写电可编程熔丝的测试方法及装置制造方法及图纸

技术编号:29761666 阅读:42 留言:0更新日期:2021-08-20 21:15
本发明专利技术提供一种芯片漏写电可编程熔丝的测试方法及装置,该测试方法包括:当应用待测芯片的电子设备第一次开机时,获取待测芯片的电可编程熔丝状态标志位;根据电可编程熔丝状态标志位判断电可编程熔丝是否写入数据;若电可编程熔丝未写数据,发出提醒信号。本发明专利技术能够尽早检查出芯片漏写电可编程熔丝的问题。

【技术实现步骤摘要】
芯片漏写电可编程熔丝的测试方法及装置
本专利技术涉及芯片测试
,尤其涉及一种芯片漏写电可编程熔丝的测试方法及装置。
技术介绍
Efuse(Electricallyprogrammablefuse,电可编程熔丝)广泛地应用于超大规模芯片的设计中,Efuse是根据电迁移理论,通过熔丝被电流的熔断与否来存储信息,多晶硅熔丝在熔断前电阻很小,在持续的大电流熔断后电阻成倍的增加,并且熔丝断裂的状态将永久的保持。一根熔丝可以对应二进制中的“0”或“1”的值。例如,可以定义未被熔断的熔丝节点存储“1”,被熔断的熔丝节点存储“0”。Efuse的应用主要是在芯片中起冗余作用,尤其是用在半导体存储器的电路中,当电路存在错误时,Efuse作为后备存储电路使芯片自动修复缺陷。其次,Efuse还具有一次编程的特点,可以根据不同的需求编程,使芯片更加智能。一般情况下,在芯片出厂前,需要对Efuse写入数据,如果芯片漏写Efuse,芯片会无法工作或者部分功能异常。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种芯片漏写电可编程熔丝的测试方法及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片漏写电可编程熔丝的测试方法,其特征在于,所述方法包括:/n当应用待测芯片的电子设备第一次开机时,获取所述待测芯片的电可编程熔丝状态标志位;/n根据所述电可编程熔丝状态标志位判断电可编程熔丝是否写入数据;/n若电可编程熔丝未写数据,发出提醒信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片漏写电可编程熔丝的测试方法,其特征在于,所述方法包括:
当应用待测芯片的电子设备第一次开机时,获取所述待测芯片的电可编程熔丝状态标志位;
根据所述电可编程熔丝状态标志位判断电可编程熔丝是否写入数据;
若电可编程熔丝未写数据,发出提醒信号。


2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,若所述电可编程熔丝状态标志位为1,则判断电可编程熔丝已写数据,若所述电可编程熔丝状态标志位为0,则判断电可编程熔丝未写数据。


3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述发出提醒信号包括执行以下操作的一种或几种的组合,具体包括:
将电子设备停留在开机界面,控制电子设备屏幕闪烁;
以及,将电子设备停留在开机界面,在电子设备屏幕上显示提醒文字或图片;
以及,将电子设备停留在开机界面,控制充电指示灯闪烁;
以及,将电子设备停留在开机界面,控制喇叭播放提醒音乐;
以及,控制指定的GPIO口输出固定频率的脉冲信号。


4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电可编程熔丝状态标志位为8bit,默认状态为0x00,表示芯片未写efuse,写入状态为0x01,表示芯片已经烧写efuse。


5.一种芯片漏写电可编程熔丝的测试装置,其特征在于,所述装置包括:
获取模块,用于当应用待测芯片的电子设备第一次开机时,获取所述待测芯片的电可编程熔丝状态标志位;
判断模块,用于根据所述电可编程熔丝状态标志位判断电可...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭远东
申请(专利权)人:展讯通信上海有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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