一种闪存的有效性预测方法、装置及存储介质制造方法及图纸

本申请公开了一种闪存的有效性预测方法、装置及存储介质，其中方法包括：基于预定的擦除次数间隔，利用若干检测模型对待检测的闪存芯片进行若干次可靠性等级检测，获得若干初始检测结果；基于各所述初始检测结果确定所述闪存芯片为有效状态或确定所述闪存芯片为非有效状态。本申请通过以预定擦除次数间隔执行预测，并且通过采用多模型、多次预测的方式来获得若干初始检测结果，然后综合各初始检测结果来最终确定闪存芯片为有效状态或者为非有效状态，提高预测的准确度，有效降低因为闪存芯片数据失效导致的数据安全隐患。

【技术实现步骤摘要】
一种闪存的有效性预测方法、装置及存储介质
本申请涉及存储器
，尤其是涉及一种闪存的有效性预测方法、装置及存储介质。
技术介绍
随着科学技术的高速发展，存储器作为数据存储的载体出现在了现代电子产品的各个角落，并成为电子系统中不可或缺的一部分。在存储器领域，闪存扮演着十分重要的角色。闪存经过数十年的技术更新，存储容量不断扩大，单位比特价格大幅减小，同时凭借着其超大的存储容量、更快的读写性能、更好的防磁抗震能力逐渐取代了磁质介质成为主流的非易失性存储器，在民用，工业，军工等各领域中均发挥着越来越重要的作用。闪存是一种非易失性存储器，在许多方面有其独特的优点，如：能长时间保存数据、数据传输速度快、存储容量较大等等。因此，闪存在通信、消费、工业控制、军事等领域出现的频率越来越高，也越来越受到重视。由于闪存的信息存储是通过编程和擦除操作实现的，但重复的P-E(编程-擦除)操作会使得闪存的半导体器件的氧化层变薄以及使得阈值电压有所偏移，最终导致闪存器件损坏、数据丢失，最终导致闪存失效。因此需要对闪存进行有效性预测。目前，在对闪存进行有效性预测时，通常是通过高频率的预测方式，来频繁的对闪存进行有效性预测，预测操作的次数过多、效率较低，且预测结果不够准确。
技术实现思路
本申请的实施例采用了如下技术方案：一种闪存的有效性预测方法、装置及存储介质，主要目的在于解决现有技术中预测闪存芯片得次数过多、预测效率低的问题是否有效的技术问题。为解决上述问题，本申请提供一种闪存的有效性预测方法，包括：基于预定的擦除次数间隔，利用若干检测模型对待检测的闪存芯片进行若干次可靠性等级检测，获得若干初始检测结果；基于各所述初始检测结果确定所述闪存芯片为有效状态或确定所述闪存芯片为非有效状态。可选的，在利用若干检测模型对待检测的闪存芯片进行若干次可靠性等级检测之前，所述方法还包括：获得与当前检测对应的闪存芯片的第一特征量、以及与前一次检测对应的闪存芯片的第二特征量；判断所述第一特征量与所述第二特征量的差值是否大于预定特征量差值，以在所述第一特征量与所述第二特征量的差值大于预定特征量差值的情况下，利用若干检测模型对待检测的闪存芯片进行若干次可靠性等级检测。可选的，所述方法还包括：实时对所述闪存芯片进行误码率检测，获得所述闪存芯片的误码率；基于所述误码率确定所述预定擦除次数间隔。可选的，所述第一特征量包括如下一种或几种：闪存芯片各闪存操作的时间、各闪存操作时的电流、芯片功耗、阈值电压分布及电压变化量、闪存块编号、闪存页编号、闪存所经历的编程/擦除周期数、闪存块中条件错误页数、条件错误块数、错误比特数和错误比特率；所述第二特征量包括如下一种或几种：闪存芯片各闪存操作的时间、各闪存操作时的电流、芯片功耗、阈值电压分布及电压变化量、闪存块编号、闪存页编号、闪存所经历的编程/擦除周期数、闪存块中条件错误页数、条件错误块数、错误比特数和错误比特率。可选的，所述初始检测结果包括用于表征闪存芯片可靠的第一结果以及表征闪存芯片非可靠的第二结果；所述基于各所述初始检测结果确定所述闪存芯片为有效状态或确定所述闪存芯片为非有效状态，具体包括：基于所述第一结果的数量确定所述闪存芯片为有效状态或者确定所述闪存芯片为非有效状态；或者，基于所述第二结果的数量确定所述闪存芯片为有效状态或者确定所述闪存芯片为非有效状态；或者，基于所述第一结果的数量和第二结果的数量的比值确定所述闪存芯片为有效状态或者确定所述闪存芯片为非有效状态。可选的，所述实时对所述闪存芯片进行误码率检测，获得所述闪存芯片的误码率，具体包括：通过闪存测试装置记录所述闪存芯片的当前编程-擦除周期数；对所述闪存芯片执行擦除操作和编辑操作，并通过所述闪存测试装置采集所述闪存芯片执行编辑操作时的电流、功耗，以及所述待预测闪存芯片各个页面的编程时间和所述编程时间对应的存储块号和存储页号；对所述待预测闪存芯片执行读取操作，并通过闪存测试装置采集所述闪存芯片执行读取操作时的阈值电压分布、电流、功耗以及所述待预测闪存芯片各个页面的读取时间；将所述读取操作时读取的数据与所述编辑操作时写入的数据进行比较，得到所述待预测闪存芯片的误码率。可选的，所述方法还包括：建立误码率阈值与擦除次数间隔的对应关系，以基于检测获得的所述误码率和所述对应关系，确定所述预定擦除次数间隔。可选的，在确定所述闪存芯片为非有效状态的情况下，所述方法还包括：按照预定方式输出提示信息。为解决上述问题，本申请提供一种闪存芯片可靠性等级预测装置，包括：可靠性等级检测模块：用于基于预定的擦除次数间隔，利用若干检测模型对待检测的闪存芯片进行若干次可靠性等级检测，获得若干初始检测结果；失效判断模块，用于基于各所述初始检测结果确定所述闪存芯片为有效状态或确定所述闪存芯片为非有效状态。为解决上述问题，本申请提供一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项闪存的有效性预测方法的步骤。本申请中，通过以预定擦除次数间隔来执行预测，并且通过采用多模型、多次预测的方式来获得若干初始检测结果，然后综合各初始检测结果来最终确定闪存芯片为有效状态或者为非有效状态，提高预测的准确度，有效降低因为闪存芯片数据失效导致的数据安全隐患。附图说明图1为本申请实施例一种闪存的有效性预测方法的流程图；图2为本申请又一实施例一种闪存的有效性预测方法的流程图；图3为本申请又一实施例一种闪存的有效性预测方法的流程图；图4为本申请另一实施例一种闪存的有效性预测方法的流程图；图5为本申请另一实施例一种闪存的有效性预测装置的结构框图；图6为本申请又一实施例一种闪存的有效性预测装置的结构框图；图7为本申请实施例中预测判断模块的结构框图。具体实施方式此处参考附图描述本申请的各种方案以及特征。应理解的是，可以对此处申请的实施例做出各种修改。因此，上述说明书不应该视为限制，而仅是作为实施例的范例。本领域的技术人员将想到在本申请的范围和精神内的其他修改。包含在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本申请的实施例，并且与上面给出的对本申请的大致描述以及下面给出的对实施例的详细描述一起用于解释本申请的原理。通过下面参照附图对给定为非限制性实例的实施例的优选形式的描述，本申请的这些和其它特性将会变得显而易见。还应当理解，尽管已经参照一些具体实例对本申请进行了描述，但本领域技术人员能够确定地实现本申请的很多其它等效形式。当结合附图时，鉴于以下详细说明，本申请的上述和其他方面、特征和优势将变得更为显而易见。此后参照附图描述本申请的具体实施例；然而，应当理解，所申请的实施例仅仅是本申请的实例，其可采用多种方式实施。熟知和/或重本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存的有效性预测方法，其特征在于，包括：/n基于预定的擦除次数间隔，利用若干检测模型对待检测的闪存芯片进行若干次可靠性等级检测，获得若干初始检测结果；/n基于各所述初始检测结果确定所述闪存芯片为有效状态或确定所述闪存芯片为非有效状态。/n

【技术特征摘要】
1.一种闪存的有效性预测方法，其特征在于，包括：
基于预定的擦除次数间隔，利用若干检测模型对待检测的闪存芯片进行若干次可靠性等级检测，获得若干初始检测结果；
基于各所述初始检测结果确定所述闪存芯片为有效状态或确定所述闪存芯片为非有效状态。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在利用若干检测模型对待检测的闪存芯片进行若干次可靠性等级检测之前，所述方法还包括：
基于预定的擦除次数间隔对闪存芯片进行检测，获得与当前检测对应的闪存芯片的第一特征量、以及与前一次检测对应的闪存芯片的第二特征量；
判断所述第一特征量与所述第二特征量的差值是否大于预定特征量差值，以在所述第一特征量与所述第二特征量的差值大于预定特征量差值的情况下，利用若干检测模型对待检测的闪存芯片进行若干次可靠性等级检测。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
实时对所述闪存芯片进行误码率检测，获得所述闪存芯片的误码率；
基于所述误码率确定所述预定擦除次数间隔。


4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一特征量包括如下一种或几种：
闪存芯片各闪存操作的时间、各闪存操作时的电流、芯片功耗、阈值电压分布及电压变化量、闪存块编号、闪存页编号、闪存所经历的编程/擦除周期数、闪存块中条件错误页数、条件错误块数、错误比特数和错误比特率；
所述第二特征量包括如下一种或几种：闪存芯片各闪存操作的时间、各闪存操作时的电流、芯片功耗、阈值电压分布及电压变化量、闪存块编号、闪存页编号、闪存所经历的编程/擦除周期数、闪存块中条件错误页数、条件错误块数、错误比特数和错误比特率。


5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始检测结果包括用于表征闪存芯片可靠的第一结果以及表征闪存芯片非可靠的第二结果；
所述基于各所述初始检测结果确定所述闪存芯片为有效状态或确定所述闪存芯片为非有效状态，具体包括：
基于所述第一结果的数量...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘政林，潘玉茜，张浩明，
申请(专利权)人：置富科技深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44