半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法技术

提供一种发光输出得以提高的半导体发光元件。本发明专利技术的半导体发光元件具备发光层，所述发光层具有将组成比互不相同的第一III‑V族化合物半导体层与第二III‑V族化合物半导体层反复层叠而得到的层叠结构，前述第一III‑V族化合物半导体层和前述第二III‑V族化合物半导体层均由选自Al、Ga和In以及选自As、Sb和P中的3种以上元素构成，前述第一III‑V族化合物半导体层的组成波长与前述第二III‑V族化合物半导体层的组成波长的组成波长差为50nm以下，并且，前述第一III‑V族化合物半导体层的晶格常数与前述第二III‑V族化合物半导体层的晶格常数的晶格常数差之比为0.05％以上且0.60％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法
本专利技术涉及半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法。
技术介绍
作为半导体发光元件中的半导体层的半导体材料，使用InGaAsP等III-V族化合物半导体。通过调整由III-V族化合物半导体材料形成的发光层的组成比，能够将半导体发光元件的发光波长在绿色～红外之间广泛调整。例如，如果是以波长750nm以上的红外区域为发光波长的红外发光半导体发光元件，则可以在传感器、气体分析、监控照相机等用途中广泛使用。至今为止，进行了多种用于改善半导体发光元件的特性的尝试。例如，专利文献1中，着眼于使用将多个III-V族化合物半导体层层叠而成的层叠结构得到的发光层中的各层的晶格常数差。专利文献1使用了具有由InGaAsP的四元系化合物半导体层构成的量子阱结构的发光层。专利文献1中，通过变更各阱层的组成比而调整晶格常数差，使量子阱发生应变，试图实现与该应变相伴的高输出化等。需要说明的是，专利文献1的各阱层的组成比以发光过渡波长相等的方式进行调整。现有技术文献专利文献r>专利文献1：日本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，其特征在于，其具备发光层，所述发光层具有将组成比互不相同的第一III-V族化合物半导体层与第二III-V族化合物半导体层反复层叠而得到的层叠结构，/n所述第一III-V族化合物半导体层和所述第二III-V族化合物半导体层中的III族元素为选自由Al、Ga、In组成的组中的1种或2种以上，并且，所述第一III-V族化合物半导体层和所述第二III-V族化合物半导体层中的V族元素为选自由As、Sb、P组成的组中的1种或2种以上，/n所述第一III-V族化合物半导体层和所述第二III-V族化合物半导体层均由选自所述III族元素和所述V族元素中的3种以上元素构成，/n所述第一II...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190107 JP 2019-0008541.一种半导体发光元件，其特征在于，其具备发光层，所述发光层具有将组成比互不相同的第一III-V族化合物半导体层与第二III-V族化合物半导体层反复层叠而得到的层叠结构，
所述第一III-V族化合物半导体层和所述第二III-V族化合物半导体层中的III族元素为选自由Al、Ga、In组成的组中的1种或2种以上，并且，所述第一III-V族化合物半导体层和所述第二III-V族化合物半导体层中的V族元素为选自由As、Sb、P组成的组中的1种或2种以上，
所述第一III-V族化合物半导体层和所述第二III-V族化合物半导体层均由选自所述III族元素和所述V族元素中的3种以上元素构成，
所述第一III-V族化合物半导体层的组成波长与所述第二III-V族化合物半导体层的组成波长的组成波长差为50nm以下，并且，所述第一III-V族化合物半导体层的晶格常数与所述第二III-V族化合物半导体层的晶格常数的晶格常数差之比为0.05％以上且0.60％以下。


2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述晶格常数差之比为0.3％以上。


3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中，所述第一III-V族化合物半导体层与所述第二III-V族化合物半导体层的组成波长差为30nm以下。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光元件，其中，所述第一III-V族化合物半导体层和所述第二III-V族化合物半导体层均由选自所述III族元素和所述V族元素中的4种以上元素构成。


5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：小鹿优太，门胁嘉孝，
申请(专利权)人：同和电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP