发光器件、发光器件的制造方法、发光器件的制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种能够得到更高效率、长寿命的荧光发光的发光器件，本发明专利技术提供一种发光器件(2)，其具备：分散有量子点(20)的激子生成层(8)；分散有发光体(22)并与所述激子生成层(8)在上下方向上相邻的发光层(10)，其中，所述发光体(22)是荧光体或者磷光体；比所述激子生成层(8)以及所述发光层(10)靠下层的第一电极(4)；以及比所述激子生成层(8)以及所述发光层(10)靠上层的第二电极(16)，所述量子点(20)的发光频谱与所述发光体(22)的吸收频谱至少在一部分上是重叠的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件、发光器件的制造方法、发光器件的制造装置
本专利技术涉及一种具备包含量子点的发光元件的发光器件。
技术介绍
在专利文献1中，存在与发光器件相关的记载，该发光器件具备两个电极和包含量子点的该电极间的发光层。现有技术文献专利文献专利文献1：日本国公开特许公报“特开2006-185985号(2006年7月13日公开)”
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在专利文献1中，在发光层中含有的量子点进行激子的生成。这样，在发光层中，当进行激子的生成时，存在发光效率降低的问题。另外，在通过涂布形成发光层的情况下，与通过蒸镀形成发光层的情况相比，在发光器件中容易混入杂质，存在发光器件的元件的发光寿命变短的问题。解决问题的手段为了解决上述问题，本专利技术的发光器件，具备：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，具备：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极，所述发光器件的特征在于，/n所述量子点的发光频谱与所述发光体的吸收频谱至少在一部分上是重叠的。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光器件，具备：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极，所述发光器件的特征在于，
所述量子点的发光频谱与所述发光体的吸收频谱至少在一部分上是重叠的。


2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
在所述量子点中产生的激子通过偶极振动的共振现象，向所述发光体的激发能级跃迁，从而所述发光体发光。


3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述量子点的发光频谱的峰值波长比所述发光体的发光频谱的峰值波长短。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其特征在于，
所述量子点的发光频谱的峰值波长包含在所述发光体的吸收频谱中。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其特征在于，
所述发光体的吸收频谱的峰值波长包含在所述量子点的发光频谱中。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，其特征在于，
所述量子点在所述激子生成层中的浓度为10质量百分比至30质量百分比。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其特征在于，
所述发光体在所述发光层中的浓度为0.1质量百分比至1质量百分比。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其特征在于，
具备边缘罩，所述边缘罩具有多个开口，并在多个像素区域规定所述激子生成层和所述发光层，在所述多个开口的各个中，所述激子生成层覆盖开口，所述发光层跨越所述边缘罩的上端，覆盖所述激子生成层和所述开口。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件，其特征在于，
所述激子生成层和所述发光层具备感光性材料，所述量...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚本优人，川户伸一，梅田时由，二星学，仲西洋平，內海久幸，兼弘昌行，冈本翔太，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP