集成电路的转移封装方法技术

一种集成电路的转移封装方法，包含提供步骤、转移步骤，及键合步骤。所述提供步骤提供多个裸晶片，及包括多个键合区的导线架，所述导线架的每一所述键合区具有晶片座、多支与所述晶片座连接的引脚，及多个分别设置在每一所述引脚上且位于所述晶片座的焊垫。所述转移步骤将部分的所述裸晶片分别转移至所述导线架对应的所述晶片座上。所述键合步骤以覆晶方式将所述裸晶片对位在所述引脚上的所述焊垫上，并通过热压方式直接将所述裸晶片分别键合在所述晶片座。先行提供在所述引脚上设置有焊垫的导线架，一次将多个裸晶片以覆晶方式进行转移而对位在焊垫上，再通过热压方式将所述裸晶片分别键合在所述晶片座，省略现有凸块制程有效提升制程效率。

【技术实现步骤摘要】
集成电路的转移封装方法
本专利技术涉及一种半导体制程方法，特别是涉及一种集成电路的转移封装方法。
技术介绍
在集成电路(integratedcircuits，IC)的前段生产制程所生产的裸晶片(die)主要是经由晶圆制作、电路设计，及晶圆切割等步骤制作而成，随后将各个裸晶片通过打线接合(wirebonding)或覆晶接合(flipchipbonding)方式电连接至一导线架(leadframe)上，最后再进行整体的封装制程。其中，将裸晶片通过打线接合(wirebonding)电连接至导线架的制程中，除了需要考量焊线选用的成本与其长度造成的信号传递影响之外，其制程繁复也是此接合方式的缺点；而通过覆晶接合(flipchipbonding)方式将裸晶片电连接至导线架的制程中，虽然省略了焊线而无须进行打线步骤，但需要先对裸晶片进行凸块制程(bumping)，也就是在裸晶片上先形成例如由锡球构成的凸块，才能通过凸块与导线架焊接接合。因此，无论是打线接合需使用焊线进行打线，或覆晶接合(flipchipbonding)需先行进行凸块制程(bumping)，均导致现有裸晶片在接合至导线架的制程中，无法有效提升其制程效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种集成电路的转移封装方法。本专利技术集成电路的转移封装方法，包含提供步骤、转移步骤，及键合步骤；所述提供步骤提供多个裸晶片，及包括多个键合区的导线架，所述导线架的每一所述键合区具有晶片座、多支与所述晶片座连接的引脚，及多个分别设置在每一所述引脚上且位于所述晶片座的焊垫，所述转移步骤将部分的所述裸晶片分别转移至所述导线架对应的所述晶片座上，所述键合步骤以覆晶方式将所述裸晶片对位在所述引脚上的所述焊垫上，并通过热压方式直接将所述裸晶片分别键合在所述晶片座。本专利技术集成电路的转移封装方法，所述转移步骤中，先将部分的所述裸晶片转移至暂时基板，再通过吸取装置将所述暂时基板上的所述裸晶片转移至所述晶片座上。本专利技术集成电路的转移封装方法，还包含实施在所述键合步骤之后的封装步骤，将封装胶覆盖所述裸晶片并露出所述引脚。本专利技术集成电路的转移封装方法，还包含实施在所述封装步骤之后的剪切步骤，剪切所述引脚而得到具有多个引脚的集成电路。本专利技术集成电路的转移封装方法，所述裸晶片为未封装的集成电路。本专利技术的有益效果在于：先行提供在所述引脚上设置有焊垫的导线架，并一次将多个裸晶片以覆晶(flipchip)方式进行转移而对位在对应的焊垫上，再通过热压方式直接将所述裸晶片分别键合在所述晶片座，省略现有凸块制程(bumping)有效提升制程效率。附图说明图1是一流程图，说明本专利技术集成电路的转移封装方法的一实施例；图2是一俯视示意图，说明本专利技术集成电路的转移封装方法的一提供步骤中提供的多个裸晶片；图3是一俯视示意图，说明本专利技术集成电路的转移封装方法的该提供步骤中提供的一导线架；图4是一局部剖视示意图，说明本专利技术集成电路的转移封装方法的一转移步骤与一键合步骤；图5是一剖视示意图，辅助图4说明本专利技术集成电路的转移封装方法的一封装步骤；及图6是一立体示意图，说明本专利技术集成电路的转移封装方法实施一剪切步骤所得的一集成电路。具体实施方式下面结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明。参阅图1至图3，本专利技术集成电路的转移封装方法包含一提供步骤101、一转移步骤102、一键合步骤103、一封装步骤104，及一剪切步骤105。该提供步骤101提供多个裸晶片2，及一导线架(leadframe)3。所述裸晶片2是由一已制作具有微电路的晶圆(wafer)20上分割而得，也就是说，所述裸晶片2可视为一未封装的集成电路(IC)。该导线架3适用于供所述裸晶片2设置及后续封装使用，该导线架3为金属制且呈片状，该导线架3包括多个阵列排列的键合区30，且每一该键合区30具有一晶片座31、多支由与该晶片座31连接的引脚32，及多个分别设置在每一该引脚32上且位于该晶片座31的焊垫33。具体地说，本实施例中所提供的该导线架3的所述引脚32是内伸至该晶片座31而与该晶片座31连接，并在所述引脚32与该晶片座31的连接处分别设置位于该晶片座31的所述焊垫33；其中，所述引脚32的数量没有特别限制，邻近的该键合区30的所述引脚32数量可以相同也可以不同，于本实施例中，该导线架3的每一个键合区30的所述引脚32数量是以二十四支为例做说明，但不以此为限，此外，所述焊垫33的构成材料则是以焊锡为例做说明。参阅图1、图2及图4，该转移步骤102主要是将部分的所述裸晶片2分别转移至该导线架3对应的所述晶片座31上。详细地说，先将该晶圆20固定于一例如蓝膜(bluetape)的胶层(图未示)，并对该晶圆20进行切割而形成多个裸晶片2，接着再将胶层上的所述裸晶片2转移至一暂时基板(图未示)上，随后通过一吸取装置4将该暂时基板上的所述裸晶片2转移至所述晶片座31上，从而完成该转移步骤102。参阅图1、图4及图5，在完成该转移步骤102而将所述裸晶片2转移到该晶片座31上方后，接着进行该键合步骤103，以覆晶(flipchip)方式将所述裸晶片2对位在所述引脚32上的所述焊垫33上，并通过热压方式直接将所述裸晶片2分别键合(bonding)在所述晶片座31上，便可完成该键合步骤103。通过先提供在所述引脚32上设置有焊垫33的导线架3，并一次将多个裸晶片2进行转移而以覆晶(flipchip)方式对位在对应的焊垫33上，再直接以热压方式将所述裸晶片2键合(bonding)在所述晶片座31，省略现有的凸块制程(bumping)，从而有效提升集成电路的转移封装整体的制程效率。在转移并通过热压键合所述裸晶片2于该导线架3上后，接着便可进行该封装步骤104，也就是进行封胶(molding)步骤，将具有多个键合完成的裸晶片2的导线架3置于一压模机(图未示)，通过例如树脂的封装胶5包覆所述裸晶片2而露出所述引脚32，从而完成该封装步骤104。参阅图1、图5，及图6，待该封装步骤104完成后，便可进行最后的该剪切步骤105，剪切所述引脚32让具有该封装胶5的所述裸晶片2彼此分开，并对所述引脚32进行弯曲成型，而得到一封装完成且具有多个引脚32的集成电路6。综上所述，本专利技术集成电路的转移封装方法，先行提供具有多支引脚32的导线架3，且先在所述引脚32上设置焊垫33，再一次将多个裸晶片2以覆晶(flipchip)方式进行转移而对位在对应的焊垫33上，随后通过热压方式将所述裸晶片2直接键合在所述晶片座31，省略现有凸块制程(bumping)，从而有效提升集成电路的转移封装整体的制程效率，所以确实能达成本专利技术的目的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路的转移封装方法，包含提供步骤、转移步骤，及键合步骤；其特征在于：所述提供步骤提供多个裸晶片，及包括多个键合区的导线架，所述导线架的每一所述键合区具有晶片座、多支与所述晶片座连接的引脚，及多个分别设置在每一所述引脚上且位于所述晶片座的焊垫，所述转移步骤将部分的所述裸晶片分别转移至所述导线架对应的所述晶片座上，所述键合步骤以覆晶方式将所述裸晶片对位在所述引脚上的所述焊垫上，并通过热压方式直接将所述裸晶片分别键合在所述晶片座。/n

【技术特征摘要】
20200214 TW 1091047361.一种集成电路的转移封装方法，包含提供步骤、转移步骤，及键合步骤；其特征在于：所述提供步骤提供多个裸晶片，及包括多个键合区的导线架，所述导线架的每一所述键合区具有晶片座、多支与所述晶片座连接的引脚，及多个分别设置在每一所述引脚上且位于所述晶片座的焊垫，所述转移步骤将部分的所述裸晶片分别转移至所述导线架对应的所述晶片座上，所述键合步骤以覆晶方式将所述裸晶片对位在所述引脚上的所述焊垫上，并通过热压方式直接将所述裸晶片分别键合在所述晶片座。


2.根据权利要求1所述的集成电路的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨立昌，林益胜，
申请(专利权)人：聚积科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71